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[发明专利]一种制备倾斜端面超辐射发光管的方法-CN202310741387.5在审
发明人：贾宪生;张子旸;陈红梅 -专利权人： 青岛翼晨镭硕科技有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备倾斜端面超辐射发光管的方法，包括如下步骤：s1、制备外延片，s2、制备波导结构，s3、制备倾斜端面，s4、制备电极窗口，s5、制备P面电极，s6、减薄和抛光，s7、制备N面电极，s8、退火，获得倾斜端面超辐射发光管。该制备倾斜端面超辐射发光管的方法采用标准半导体工艺，并在流程中引入法拉第笼等电位面诱导等离子体倾斜方向刻蚀制备倾斜端面，操作简单、生产效率高，可以批量制备倾斜端面超辐射发光管。
一种制备倾斜端面辐射发光方法

[发明专利]一种多级的微纳米台阶结构的加工方法-CN202310741391.1在审
发明人：贾宪生;张子旸;陈红梅 -专利权人： 青岛翼晨镭硕科技有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多级的微纳米台阶结构的加工方法，包括：在所需加工的晶圆表面涂覆光刻胶；采用掩膜版对光刻胶进行光刻处理；掩膜版包括多个圆孔阵列，圆孔阵列的圆孔直径和周期依据微纳米台阶深度设计，所述圆孔直径越大台阶深度越深；对晶圆进行一次刻蚀，使晶圆上形成多个圆孔阵列；去除晶圆上光刻胶；对晶圆进行二次刻蚀，去除晶圆上圆孔阵列的圆孔侧壁，形成多级微纳米台阶结构；本发明通过在设计具有不同直径和周期圆孔的圆孔阵列的掩膜版，在晶圆上仅经过一次刻蚀形成不同深度圆孔阵列，再经二次刻蚀去除圆孔整列的圆孔侧壁形成不同高度的微纳米台阶，可适用于多层级和大高度差高深度的台阶制造。
一种多级纳米台阶结构加工方法

[实用新型]一种MBE半自动化对准系统-CN202320771952.8有效
发明人：闫俊涛;张伟;张子旸 -专利权人： 青岛翼晨镭硕科技有限公司
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种MBE半自动化对准系统，前腔室和后腔室通过气动闸板阀分隔，带升降功能的取料装置设置在后腔室内部上方，步进马达连接传动杆推动载物平台进行取料装置方向的线型往返运动，通过扣合方式将物料花篮平稳放置在载物平台固定位置上，基板平稳放置在物料花篮中，感应传感器安装在前腔室外的传动杆边上，PLC控制器控制步进马达工作，感应传感器将信号传递给PC控制系统，PC控制系统在接收到设定的第一特定信号时命令取料装置抓取基板并升起至设定位置，在接收到设定的第二特定信号时命令气动闸板阀关闭。基板的二维定位由载物平台和物料花篮定位定型完成，对接过程由PC控制系统智能完成，使得整个送料过程平稳、快速。
一种 mbe 半自动对准系统

[实用新型]一种洗涤塔水循环使用系统-CN202320780659.8有效
发明人：张伟;王洪培;张子旸 -专利权人： 青岛翼晨镭硕科技有限公司
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： B01D36/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种洗涤塔水循环使用系统，洗涤塔出水口通过第三逆止阀连通到过滤系统，过滤系统通过第四逆止阀连通储水罐，储水罐通过第七球阀开关连通纯净水罐，储水罐的顶部安装压力表，储水罐的底部连通带第八球阀开关的排污管，储水罐通过PH值检测仪连通到供水装置，供水装置与洗涤塔顶部的供水口连通在一起，储水罐的上部安装有液位计，储水罐的顶部有排气装置。通过过滤系统和出水管沉淀排污同对废水进行处理，将循环水制备成洗涤塔所需要纯度的循环水，当储水罐内水量低于液位计最低水位要求时，通过纯净水罐补水，如此往复使用，可以节约大量纯净水，也避免了直接排放废水和废气造成污染。
一种洗涤水循环使用系统

[发明专利]掺杂型的半导体可饱和吸收镜、其制备方法以及激光器-CN202310579364.9有效
发明人：张子旸;陈红梅;戴浩;蒋成 -专利权人： 青岛翼晨镭硕科技有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01S3/1118 文献下载
摘要：本发明提供了一种掺杂型的半导体可饱和吸收镜、其制备方法以及激光器，其中，掺杂型的半导体可饱和吸收镜，包括：层叠设置的分布式布拉格反射镜以及至少一个周期的可饱和吸收体，其中，一个周期的可饱和吸收体包括：层叠设置的缓冲层、可饱和吸收层以及第一盖层，缓冲层位于分布式布拉格反射镜与可饱和吸收层之间；在半导体可饱和吸收镜包括多个周期的可饱和吸收体的情况下，其还包括：间隔层，任一相邻的两个周期的可饱和吸收体之间均设置有间隔层；缓冲层或第一盖层或间隔层内存在P型或N型掺杂区域A。应用本发明的技术方案能够有效地解决现有技术中半导体可饱和吸收镜的光学特性差以及基于元器件构成的超快激光器的性能和稳定性差的问题。
掺杂半导体饱和吸收制备方法以及激光器

[发明专利]半导体可饱和吸收镜、其制备方法以及激光器-CN202310586496.4有效
发明人：张子旸;陈红梅;楚惠媛;蒋成 -专利权人： 青岛翼晨镭硕科技有限公司
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01S3/1118 文献下载
摘要：本发明涉及光学器件技术领域，具体提供了一种半导体可饱和吸收镜、其制备方法以及激光器，其中，半导体可饱和吸收镜包括：层叠设置的分布式布拉格反射镜、可饱和吸收体结构、盖层以及金属光栅。应用本发明的技术方案能够有效地解决现有技术中半导体可饱和吸收镜的调制深度差、光吸收能力低的问题。
半导体饱和吸收制备方法以及激光器

[实用新型]一种中红外辐射发光二极管-CN202222315594.8有效
发明人：张子旸;王洪培;姚中辉;陈红梅;蒋成;黄彦程 -专利权人： 青岛翼晨镭硕科技有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种中红外辐射发光二极管，其技术方案的要点是包括管体，所述管体上部设置有脊型波导，所述脊型波导包括依次相连的竖直波导、斜向波导以及J型弯曲波导；所述竖直波导长度方向与腔面法线方向平行设置；所述J型弯曲波导包括长度方向与腔面法线方向平行设置的直段部以及与直段部平滑弯曲过渡的弯钩部；所述斜向波导分别与竖直波导以及J型弯曲波导倾斜相交；本实用新型相比于传统的中红外辐射发光二极管具有更小的体积。
一种红外辐射发光二极管

[实用新型]一种中红外激光器增益介质结构-CN202222301186.7有效
发明人：张子旸;王洪培;姚中辉;陈红梅;蒋成;楚惠媛 -专利权人： 青岛翼晨镭硕科技有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01S5/125 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种中红外激光器增益介质结构，其技术方案的要点是包括两个电极以及若干层设置在两个电极之间的增益层，所述增益层包括从上到下依次设置的上布拉格反射器、黑磷半导体层以及下布拉格反射器；本实用新型通过应用黑磷替代现有的量子点/量子阱结构，结构简单，能够良好的激发中红外光源。
一种红外激光器增益介质结构

[发明专利]一种激光诱导原位生长周期性纳米结构的方法-CN202210508097.1在审
发明人：张子旸;王洪培 -专利权人： 青岛翼晨镭硕科技有限公司
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光诱导原位生长周期性纳米结构的方法，包括如下步骤：步骤一：在衬底上进行首次生长形成缓冲层对衬底表面进行平整；步骤二：在衬底上利用多道激光光束照射的同时进行继续生长，其中多道激光光束在衬底上形成干涉，继续生长1‑4h后形成周期性纳米结构。使用激光干涉诱导在衬底上进行原位生长，避免了光刻、腐蚀、清洗等复杂的过程，降低了成本。激光干涉诱导定位生长定位更加准确，精确度更高。同时避免了开腔操作，对后续结构生长不会造成污染，结构性能更好。
一种激光诱导原位生长周期性纳米结构方法

[发明专利]一种三态发光量子点超辐射发光二极管及其制造方法-CN202210359299.4在审
发明人：张子旸;姚中辉;陈红梅;蒋成;王洪培 -专利权人： 青岛翼晨镭硕科技有限公司
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种三态发光量子点超辐射发光二极管及其制造方法，其技术方案的要点是超辐射发光二极管包括巴条，所述巴条包括从下到上依次设置的N‑GaAs衬底层、N‑GaAs缓冲层、N‑AlGaAs下包层、GaAs下波导层、In(Ga)As量子点有源区、GaAs上波导层、P‑AlGaAs上包层、P+‑GaAs欧姆接触层；所述巴条的顶面设置有与巴条中心面倾斜相交的脊型波导；所述巴条的前腔面设置有中心波长为1000nm的ZrO2增透膜涂层；所述巴条的后腔面设置有若干对中心波长为880nm的Ta2O5/SiO2高反射涂层；制造方法包括，步骤S1,外延结构生长；步骤S2,脊型波导蚀刻加工；步骤S3,电极加工；步骤S4，光学镀膜加工；本发明的超辐射发光二极管能够同时具有高功率和宽光谱的特性，能够良好的适用于OCT系统等非相干光学系统。
一种三态发光量子辐射发光二极管及其制造方法

[实用新型]一种高阶光栅单纵模沟槽激光器-CN202122406254.1有效
发明人：张子旸;姚中辉;陈红梅;蒋成;王洪培 -专利权人： 青岛翼晨镭硕科技有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高阶光栅单纵模沟槽激光器，包括基片，所述基片的顶部设置有脊型波导，所述基片中设置有沟槽，所述沟槽设置于所述脊型波导的正下方，所述沟槽的排布方向与所述脊型波导延伸的方向倾斜布置；所述脊型波导的两侧垂直于所述脊型波导均匀设置有若干高阶光栅。本申请采用倾斜的沟槽结合高阶光栅结构无需采用电子束光刻技术即可实现精确波长单纵模输出，极大的节省成本，而且相较于传统的DFB激光器制备工艺更简单，成品率更高；采用量子点外延结构，有利于实现低阈值、高特征温度；利用倾斜沟槽结合高阶光栅结构可以对边模消除，避免了仅采用高阶光栅时，其耦合系数较低，不能很好的实现模式筛选的问题，进而实现精确的输出波长调控。
一种光栅单纵模沟槽激光器

[实用新型]一种带有功率放大器的单纵模沟槽F-P激光器-CN202122406356.3有效
发明人：张子旸;姚中辉;陈红梅;蒋成;王洪培 -专利权人： 青岛翼晨镭硕科技有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01S5/065 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种带有功率放大器的单纵模沟槽F‑P激光器，包括基片，所述基片的顶部设置有脊型波导，所述基片中设置有沟槽，所述沟槽设置于所述脊型波导的正下方，所述沟槽的排布方向与所述脊型波导延伸的方向倾斜布置；所述脊型波导的后方连通设置有功率放大器。实用新型的一个用途是，本方案锥形放大器和沟槽激光器的结合，可以实现在保持单纵模的基础上，达到高功率输出的良好结果。并且所有结构的制备都可以采用普通的紫外光刻机实现，极大地降低了制备成本和加工难度。
一种带有功率放大器单纵模沟槽激光器

[实用新型]一种短腔高重频激光器-CN202122406872.6有效
发明人：张子旸;蒋成;王洪培;姚中辉;陈红梅 -专利权人： 青岛翼晨镭硕科技有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种短腔高重频激光器，其技术方案的要点是包括泵浦源以及谐振腔，所述谐振腔包括波分复用器、半导体可饱和吸收镜以及增益介质，所述波分复用器与泵浦源相连，所述波分复用器分别与半导体可饱和吸收镜以及增益介质相连，所述增益介质包括介质衬底以及若干层设置在介质衬底上的增益层；所述增益层包括由介质衬底一侧向远离介质衬底一侧依次排布的下限制层、量子层以及上限制层；所述量子层为量子点或量子阱构造；本实用新型在满足直线腔激光器‑斜率效率要求的同时，具有更短的谐振腔腔长，从而能够达到高重频的性能，进而满足更多工况的使用需求。
一种短腔高重频激光器

[实用新型]一种单纵模F-P激光器的沟槽结构-CN202122326283.7有效
发明人：姚中辉;张子旸;陈红梅;蒋成;王洪培 -专利权人： 青岛翼晨镭硕科技有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01S5/065 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种单纵模F‑P激光器的沟槽结构，包括基片以及脊型波导，所述脊型波导位于所述基片的顶部，所述基片中设置有沟槽，所述沟槽设置于所述脊型波导的正下方，所述沟槽的排布方向与所述脊型波导延伸的方向倾斜布置。沟槽位于基片中，能够在基片各层的外延生长过程中采用紫外光刻机光刻形成沟槽，相较于直接在脊型波导上刻蚀，无需增加刻蚀深度，简化了工艺而且提高了成品率；而且掩埋结构的沟槽制备在更加接近有源区的位置，极大的提高了耦合效率，有利于实现更优异的选模特性。
一种单纵模激光器沟槽结构

[发明专利]一种异质结的处理方法以及可调谐阵列器件的制备方法-CN202111022879.6在审
发明人：张子旸;蒋成 -专利权人： 青岛翼晨镭硕科技有限公司
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结的处理方法，包括如下步骤：步骤一：对异质结材料表面的二维材料进行飞秒激光照射，使二维材料与半导体材料进行掺杂；步骤二：对经过飞秒激光照射的区域采用纳秒激光照射处理后，完成异质结材料中异质结的处理。使用本方法的飞秒激光和纳秒激光两步退火对异质结材料进行处理，能够提高异质结材料之间的结合力的同时，还可以消减材料中的缺陷，从而优化异质结材料的质量；另外，对材料不同区域，通过调节飞秒激光和纳秒激光的参数可以实现可调谐阵列器件的制备；利用两步激光退火的方式，相较于传统的热退火，能够更加精细化处理。
一种异质结处理方法以及调谐阵列器件制备

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