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[发明专利]一种测量金属微结构残余应力的方法-CN201610538415.3有效
发明人：杜立群;宋畅;罗磊;陶友胜;李庆峰 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2016-07-08 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： G01L5/00 文献下载
摘要：一种测量金属微结构残余应力的方法，属于微制造技术领域，涉及到金属微结构残余应力的测量方法。将具有拉曼活性的固体颗粒进行预处理，与电铸液混合形成悬浮液进行微电铸。将固体颗粒作为应力追踪信号，通过微拉曼光谱法进行金属微结构的残余应力测量。通过添加具有拉曼活性的固体颗粒与金属进行共沉积制备金属微结构，解决了X射线衍射法无法测量金属微结构残余应力的局限性，并扩大了微拉曼光谱法在测量残余应力方面的应用范围，具有应用范围广、简单、高效的特点，从而提高金属微器件的尺寸精度和制作成品率。
一种测量金属微结构残余应力方法

[发明专利]金属基底上制备微射频T形功分器的方法-CN201710285069.7有效
发明人：杜立群;李晓军;李爰琪;齐磊杰;陶友胜;赵明 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： C25D1/10 文献下载
摘要：金属基底上制备微射频T形功分器的方法，属于微制造技术领域。采用UV‑LIGA工艺在铜基底上利用SU‑8负性光刻胶制作出支撑内导体的胶柱，再利用AZ50XT正性光刻胶制作出图形胶膜，通过电铸铜工艺得到金属边框、内导体和顶盖等结构。最后利用丙酮溶解AZ50XT胶膜得到T形功分器。本发明摒弃了传统的硅基底而改用金属基底，避免了在制作过程中硅基底易碎的问题，并且不需要在基底上溅射金属导电层，缩减了工艺步骤。同时，AZ50XT胶膜在去除时无需加热，不会在结构内部产生热应力，从而降低了制作失败的几率。
金属基底制备射频形功分器方法

[发明专利]金属镍基底上制备高密集微细镍圆柱阵列的方法-CN201510969313.2有效
发明人：杜立群;赵明;陶友胜;罗磊;李庆峰;鲍其雷 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2015-12-21 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： C25D1/00 文献下载
摘要：一种金属镍基底上制备高密集微细镍圆柱阵列的方法，属于微制造技术领域，涉及金属基底上微电铸金属阵列器件类，特别涉及到一种基于UV‑LIGA工艺在金属镍基底上制备高密集型微细镍圆柱阵列的方法。其特征是：在金属镍基底上，经过两次匀胶、曝光及超声显影等工艺制作SU‑8胶模，再通过超声电铸镍、研磨、煮酸等工艺实现圆柱阵列的制作。最后通过退火工艺去除圆柱内的残余应力。本发明的有益效果是：通过超声显影和超声电铸等手段解决了现有方法中盲孔电铸中的“失铸”以及微圆柱阵列与基底的结合力差等问题。制作的圆柱阵列直径小于100μm、柱间距小于200μm、高度达数百微米。本发明具有工艺简单、圆柱与金属基底结合力好、表面形貌完好、微柱阵列的密度大等优点。
金属基底制备密集微细圆柱阵列方法