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[发明专利]一种高线性增益红外雪崩光电二极管及其制备方法-CN201711215411.2有效
发明人：康健彬;李沫;李倩;王旺平;陈飞良;张健 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明属于半导体光电探测器领域，提供了一种高线性增益红外雪崩光电二极管及其制备方法，该二极管结构包括下电极接触层、周期性异质结构倍增层、电荷层、周期性异质结构吸收层和上电极接触层。周期性异质结构吸收层利用导带内子带能级跃迁实现对红外光子的吸收，周期性异质结构倍增层利用GaN/AlN异质结材料特有的能带特性促使光生电子发生单极碰撞离化。本发明提供的红外探测器能够保证器件在线性模式工作下获得高的雪崩增益，适用于各种需要进行微弱红外信号探测的应用场景。
一种线性增益红外雪崩光电二极管及其制备方法

[发明专利]一种基于光子学太赫兹跳频源的超宽带跳频通信系统-CN202310966296.1在审
发明人：张健;王瀚锋;杨帆;姜昊;李沫;陈飞良;刘洋 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-08-02 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H04B1/7156 文献下载
摘要：本发明属于太赫兹通信技术领域，具体为一种基于光子学太赫兹跳频源的超宽带跳频通信系统。包括发射端和接收端，发射端包括第一光子学太赫兹跳频源和发射天线，接收端包括接收天线、太赫兹低噪声放大器、太赫兹功分器、第二光子学太赫兹跳频源、跳频同步模块、太赫兹混频器和基带信号解调模块；通过发射端的第一光子学太赫兹跳频源、接收端的第二光子学太赫兹跳频源，实现太赫兹频段的超带宽跳频通信系统，解决了传统电子学跳频方案无法满足太赫兹频段的跳频问题。
一种基于光子赫兹跳频源宽带通信系统

[发明专利]一种基于石墨烯的太赫兹智能超表面天线单元-CN202210862566.X有效
发明人：姜昊;张健;张鲁明;杨帆;陈飞良;李沫 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于石墨烯的太赫兹智能超表面天线单元，属于毫米波/太赫兹阵列天线技术领域。该智能超表面天线单元包括介质基板、位于介质基板下方的金属条带状结构以及位于介质基板上方的金属图案层。所述金属图案层中设有一个贯穿的圆环缝隙，该圆环缝隙上设有第一石墨烯结构和第二石墨烯结构，两个石墨烯结构均跨接于圆环缝隙两端金属上，且第一石墨烯结构中心点和第二石墨烯结构中心点与圆环缝隙的圆心连线的夹角α应满足20°≤α≤120°。本发明利用石墨烯材料表面阻抗随电势变化的特性，配合金属图案层和圆环缝隙，实现中心频率95GHz和中心频率300GHz的宽带可重构智能超表面天线单元。
一种基于石墨赫兹智能表面天线单元

[发明专利]基于牺牲层的水平纳米空气沟道晶体管制备方法-CN202310563149.X在审
发明人： 陈飞良;李晓旭;李沫;张健;姜昊;杨帆 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01J9/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种基于牺牲层的水平纳米空气沟道晶体管制备方法，属于半导体晶体管技术领域。本发明方法首先在绝缘衬底上依次沉积导电薄膜和牺牲层薄膜；再形成光刻胶‑牺牲层图案；然后侧向去除部分牺牲层薄膜，使光刻胶的边缘悬空；再沉积掩膜薄膜，形成水平纳米空气沟道；最后剥离多余部分，留下电极，完成水平纳米空气沟道二极管的制备。本发明方法通过控制牺牲层的侧向去除深度，可实现对水平纳米空气沟道尺寸控制精度达到纳米级；同时，具有成本低、简便易行，与半导体工艺完全兼容，且重复性、稳定性和一致性良好的优点，适用于大面积晶圆级纳米空气沟道晶体管阵列的批量生产，具备真正的实用性。
基于牺牲水平纳米空气沟道晶体管制备方法

[发明专利]一种宽禁带半导体器件辐射效应激光模拟系统-CN201710024954.X有效
发明人：孙鹏;李沫;汤戈;龙衡;李倩;陈飞良;代刚;张健 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2017-01-13 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽禁带半导体器件辐射效应激光模拟系统，该系统包括短波长脉冲激光产生与衰减系统、显微成像与能量监测系统、测试与控制系统三个部分。本发明可利用短波长脉冲激光辐照宽禁带半导体器件，在半导体器件中产生电离效应，模拟伽马射线等辐射源作用于半导体器件的辐射电离效应，填补了宽禁带半导体器件的辐射电离效应激光模拟系统的空白，且该系统具有结构紧凑、安全性高等特点，降低了试验成本，提高了试验效率，为有针对性的对宽禁带半导体器件进行抗辐射加固设计提供了有效手段。
一种宽禁带半导体器件辐射效应激光模拟系统

[发明专利]一种结合包络检测和KK原理的光子太赫兹多体制通信系统-CN202310407847.0在审
发明人：张健;文卓越;杨帆;李沫;段锐;姜昊;陈飞良 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H04B10/60 文献下载
摘要：本发明属于太赫兹通信技术领域，具体为一种结合包络检测和KK原理的光子太赫兹多体制通信系统，包括光子‑无线太赫兹发射机和基于包络检测和KK原理相结合的多体制接收机；通过发射机中的数模转换器DAC产生多种调整格式的数字信号，并转换为模拟信号；在接收机中，通过包络检测和KK原理相结合的方式，实现了仅依靠强度检测器实现多体制通信。此外，利用直接检测模式DD与KK接收模式采用接收机具有相同硬件这一特点，对非相干与KK接收技术融合，并配合配合光子‑无线太赫兹发射机，实现了在无额外硬件开销的前提下，兼具DD(非相干)或KK(相干)两种接收模式的多体制通信。
一种结合包络检测 kk 原理光子赫兹体制通信系统

[发明专利]一种基于高阶电光调制的光子学超宽带太赫兹跳频源-CN202310142895.1在审
发明人：杨帆;刘毓超;张健;李沫;姜昊;陈飞良 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本发明属于太赫兹信号产生技术领域，具体为一种基于高阶电光调制的光子学超宽带太赫兹跳频源，该光子学超宽带太赫兹跳频源将电信号产生单元生成的电跳频信号作为调制信号，利用其驱动电光调制器产生多频率分量且频率跳变的光跳频信号，随后用光带通滤波器根据需求选择出跳频带宽倍增的高阶边带，并与参考光外差拍频产生跳频带宽倍增至高达数十GHz的太赫兹跳频信号。与现有技术相比，本发明系统结构简单，跳频带宽放大倍数等于调制阶数，降低了电信号模块的成本与复杂度，且突破传统的电子学跳频源的跳频带宽限制。可应用于太赫兹通信及雷达探测、电子对抗等领域。
一种基于电光调制光子宽带赫兹跳频源

[发明专利]双曲超材料复合光栅增强的高频量子点单光子源-CN201710600355.8有效
发明人： 陈飞良;李沫;张晖;黄锋;李倩;张健 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2017-07-21 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了双曲超材料复合光栅增强的高频量子点单光子源，包括衬底、双曲超材料和量子点，双曲超材料的表面或内部有光栅微结构；双曲超材料是由介质薄膜和金属薄膜/介质薄膜和类金属薄膜交替形成一维周期性结构；量子点置于一维周期性结构内部或在双曲超材料的近场；本发明利用双曲超材料实现量子点宽带自发辐射增强，同时结合光栅的定向耦合输出特性提高光出射效率，大大提高量子点单光子源的光子产生速率和收集利用效率，可实现GHz以上的高频、高亮度、定向发射的量子点单光子源；同时兼容光泵浦和电泵浦两种激发方式，并适用于从紫外到红外各个波段；可广泛应用于量子信息、量子计算、量子成像、量子认证、量子精密测量相关领域。
双曲超材料复合光栅增强高频量子光子

[发明专利]基于倾角沉积的晶圆级纳米空气沟道晶体管制备方法-CN202310166037.0在审
发明人： 陈飞良;李沫;张健;赵海全;姜昊;杨帆;李晓旭;马培胜 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明提出了一种基于倾角沉积的晶圆级纳米空气沟道晶体管制备方法，属于半导体晶体管技术领域。该方法在衬底上形成图形台阶，利用图形台阶的自阴影遮挡效应在台阶上、下之间形成水平纳米空气沟道，通过控制图形台阶高度与倾角沉积的角度来调控所形成纳米空气沟道的尺寸，精度可达纳米级；并且倾角沉积产生的薄膜边缘是尖锐的三角形结构，利于增大场增强因子提升器件性能。该方法与半导体工艺兼容，能够实现大面积晶元级水平纳米空气沟道晶体管阵列的批量制备，而且具备良率高、工艺一致性和重复性好的优点，既适用于纳米空气沟道二极管器件的晶圆级制备，也适用于包括背栅、顶栅和侧栅在内不同结构纳米空气沟道三极管器件的晶圆级制备。
基于倾角沉积晶圆级纳米空气沟道晶体管制备方法

[发明专利]基于多层薄膜的水平结构纳米空气沟道晶体管-CN202211455190.7在审
发明人： 陈飞良;李沫;张健;姜昊;杨帆;王佳超;马培胜;李晓旭 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于多层薄膜的水平结构纳米空气沟道晶体管，属于晶体管技术领域。包括绝缘衬底，设置于其正面的多层薄膜阴极、阳极，阴极和阳极之间构成纳米空气沟道；多层薄膜阴极由导电薄膜和绝缘薄膜交错层叠构成；阳极由导电材料构成，或者由导电薄膜和绝缘薄膜交错层叠构成；多层薄膜阴极和多层薄膜阳极的一侧还设置有导电侧壁，用于各导电薄膜层之间实现电连接。本发明通过多层薄膜锐利边缘结构获得较大的场增强因子，并利用多层薄膜串联发射有效增大晶体管的场发射电流，同时由于垂直刻蚀或腐蚀工艺可以较为容易地实现90度侧壁，保持多层薄膜中每层发射结构的全同性，实现多层薄膜串联下同时发射电子以保持稳定的发射电流。
基于多层薄膜水平结构纳米空气沟道晶体管

[发明专利]一种背照式级联倍增雪崩光电二极管-CN201710805961.3有效
发明人：李倩;李沫;陈飞良;康健彬;王旺平;黄锋;张晖;张健 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2017-09-08 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明公开了一种背照式级联倍增雪崩光电二极管，在衬底上自下向上依次为缓冲层、n型掺杂AlxGa1‑xN层、i型周期级联倍增层、i型本征吸收层及p型电极层，在i型本征吸收层台面周围是光耦合汇聚结构。本发明通过光耦合汇聚结构有效解决了周期级联倍增结构在背入射下有效吸收率低的问题，同时减小了器件台面尺寸，降低了体漏电流。本发明给出了周期级联倍增雪崩光电二极管在背照射下有效工作的解决方案，适于大规模阵列集成，且适用于紫外、可见、近红外的各个波段，可广泛应用于微弱光探测成像乃至单光子探测成像领域。
一种背照式级联倍增雪崩光电二极管

[发明专利]日盲紫外单光子源及其制备方法-CN201711386201.X有效
发明人： 陈飞良;李沫;李倩;张晖;黄锋;李舒啸;张健 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01S5/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种日盲紫外单光子源及其制备方法，包括宽禁带半导体p型层、i型本征层、单量子点和n型层构成的量子点嵌埋pin纳米线或量子点嵌埋pin薄膜，pin结构中量子点的禁带宽度大于4.43 eV，且pin结构采用禁带宽度大于量子点的半导体材料，从而形成类量子阱结构以增强对单量子点的量子限制；本发明对于光泵浦和电泵浦两种激发方式均适用，既可垂直于衬底发射，也可平行于衬底发射，因此既可用于自由空间单光子源也可用于片上集成单光子源；其发射波长在小于280 nm的日盲波段，且宽禁带量子点适于室温乃至高温单光子发射，可广泛应用于量子信息、量子计算、量子成像、量子认证、近距离保密通信、量子精密测量相关领域。
紫外光子及其制备方法

[发明专利]一种高对称性超宽带氮化镓功率放大器功率合成网络-CN202310160368.3在审
发明人：王向东;张健;李沫;杨帆;姜昊;陈飞良;刘洋 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明公开一种高对称性超宽带氮化镓功率放大器功率合成网络，应用于单片式微波集成电路领域，针对现有的树形功率合成网络，在Ku波段，过长的二级功率合成传输线严重恶化了该功率合成网络的高频特性，无法满足高频、超宽带要求的问题；本发明的功率合成网络晶体管采用X形布局，使得功率合成网络结构在横向和纵向均呈轴对称，并相对于二级功率合成点中心对称，提高了功率合成网络对称性和大信号偶模稳定性，并有利于芯片的散热，提高了热稳定性；本发明还利用两阶L‑C低通匹配网络使阻抗变换在超宽带内都位于Smith圆图低Q值区，进一步改善高频带宽和插入损耗。
一种对称性宽带氮化功率放大器功率合成网络

[发明专利]一种高频毫米波低剖面透射阵列天线-CN202210236246.3有效
发明人：姜昊;张健;张鲁明;杨帆;陈飞良;李沫 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01Q21/00 文献下载
摘要：一种高频毫米波低剖面透射阵列天线，属于毫米波阵列天线技术领域。所述高频毫米波低剖面透射阵列天线包括馈源、位于馈源正上方的PRS阵面以及位于PRS阵面正上方的透射阵面。本发明提供的一种高频毫米波低剖面透射阵列天线，采用特定结构和排布方式的透射阵面，与特定结构与排布方式的PRS阵面结合，得到的透射阵列天线在95.3GHz～104.6GHz范围内，增益波动小于3dB，相对带宽9.3％；3dB增益带宽内除95.3GHz～95.8GHz范围内s11小于‑9dB，其余频点s11小于‑10dB；95.3GHz～104.6GHz范围内，在二维空间内实现±40°的波束扫描。
一种高频毫米波剖面透射阵列天线

[发明专利]一种低成本紧凑型超宽带氮化镓移相器-CN202310371925.6在审
发明人：王向东;张健;李沫;杨帆;姜昊;陈飞良;刘洋 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H03H11/16 文献下载
摘要：本发明公开一种低成本紧凑型超宽带氮化镓移相器，应用于单片式微波集成电路领域，针对现有移相器Lange桥尺寸较大的问题，本发明采用平面螺旋宽带耦合网络和宽带相位补偿网络，实现移相电路紧凑布局；平面螺旋宽带耦合网络采用一级线圈和次级线圈组成的两级线圈耦合网络，简化电路，并通过多次弯折两级耦合线圈形成平面螺旋布局，耦合网络面积大幅减小；宽带相位补偿网络采用电感、电容组成的无损带通响应网络对平面螺旋耦合网络进行相位补偿，改善高频响应，扩展高频带宽；相比Lange桥耦合器的传统反射型移相器面积大幅减小，实现了GaN移相器小型化，大幅降低成本，有利于GaN移相器的推广应用以及GaN MMIC多功能集成。
一种低成本紧凑型宽带氮化移相器

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