专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种防尘防水耐腐蚀的螺纹套管-CN202321043978.7有效
  • 陈美林 - 温岭市百弘机械有限公司
  • 2023-05-05 - 2023-10-17 - F16B37/00
  • 本实用新型公开了一种防尘防水耐腐蚀的螺纹套管,主体模块包括螺纹套管主体、对称设置且铰接安装在螺纹套管主体外侧面上的活动半圆板、固定在活动半圆板内壁上的密封垫圈、对称固定在一侧活动半圆板端部上的固定件、对称固定在另一侧活动半圆板端部上的螺纹座、穿过固定件啮合在螺纹座内的螺丝、扣合在活动半圆板端部上的防护盖一端固定在防护盖上另一端固定在螺纹套管主体外侧面上的连接绳,螺纹套管主体用于与螺栓进行连接,方便将两个物体固定连接在一起,同时螺纹套管主体用于安装其他组件,活动半圆板端部铰接在螺纹套管主体的外侧面上,用于安装密封垫圈,该防尘防水耐腐蚀的螺纹套管,具有防水防尘以及实用性高的优点。
  • 一种防尘防水腐蚀螺纹套管
  • [发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202310473774.5在审
  • 张轩瑞;陈美林 - 上海晶岳电子有限公司
  • 2023-04-27 - 2023-10-13 - H01L27/02
  • 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法,其中半导体器件包括:基板主体,所述基板主体从中央向外周依次包括元胞区、过渡区和终端区;所述终端区包括分压内环和分压外环,所述分压内环和所述分压外环之间为触发区;所述元胞区中形成有MOS管,所述过渡区中形成有栅极电阻和栅极结构,所述栅极结构与所述MOS管的栅极相连接;所述触发区中形成有TVS管;第一互连金属,使TVS管的阳极通过所述栅极结构与所述MOS管的栅极相连接;第二互连金属,使所述栅极电阻并联于所述TVS管的阳极与所述MOS管的源极之间。本发明与传统TVS器件相比具有更小的单位面积动态电阻,降低了器件箝位系数,提高了器件的静电防护及电流泄放能力。
  • 一种半导体器件及其制造方法
  • [实用新型]烤箱密封结构-CN202320435391.4有效
  • 刘建江;周小强;陈美林;黄铭康 - 江门市品高电器实业有限公司
  • 2023-03-08 - 2023-10-03 - A47J37/06
  • 本实用新型公开了烤箱密封结构,包括:导风罩,导风罩的一侧安装有用于发热的发热丝,导风罩的中部设置有安装孔;密封圈,设置于安装孔并与导风罩固定连接;滚动轴承,设置于安装孔,滚动轴承的外环与密封圈的内壁抵接;驱动电机,设置于导风罩背离发热丝的一侧,驱动电机设置有驱动轴,驱动轴穿设于滚动轴承的内环并伸入导风罩。采用滚动轴承和密封圈共同实现对驱动电机和导风罩连接处的密封,有效防止蒸汽从驱动电机和导风罩的连接处泄露,避免对机器的驱动电气元件造成损伤而导致机器损坏,有效提高机器运行的稳定性。
  • 烤箱密封结构
  • [实用新型]一种高稳定汽车挂钩-CN202321266224.8有效
  • 陈美林 - 温岭市百弘机械有限公司
  • 2023-05-24 - 2023-10-03 - B60R7/08
  • 本实用新型公开了一种高稳定汽车挂钩,主体模块包括底座、固定在底座端部上的固定件、固定在底座底端的限位块以及安装在底座底端且伸入底座内腔的锁定件,底座用于安装其他组件,固定件用于将底座固定在车辆后座头枕的连接杆上,限位块用于在挂钩模块转动时,对挂钩模块进行限位,保持挂钩模块的垂直,锁定件用于锁定挂钩模块,保持挂钩模块的稳定,固定件包括固定在底座端部上的第一半环、端部铰接在第一半环端部上的第二半环以及分别固定在第一半环与第二半环端部上的固定板,第一半环与第二半环相互配合,套接在车辆后座头枕的连接杆上,该高稳定汽车挂钩,具有挂载稳定以及功能性强的优点。
  • 一种稳定汽车挂钩
  • [发明专利]一种SGT MOS工艺TVS器件及其制造方法-CN202310580600.9在审
  • 陈美林;张轩瑞 - 上海晶岳电子有限公司
  • 2023-05-22 - 2023-09-29 - H01L27/02
  • 本发明提供了一种SGT MOS工艺TVS器件及其制造方法,其中TVS器件包括:第一导电类型的衬底和形成在衬底上的同质外延层;元胞区中形成有MOS管,触发区中形成有TVS管,TVS管为多个串联的二极管,通过调节二极管的工作数量调节TVS管的触发电压;元胞区及元胞区至触发区包括:形成在外延层中的第二导电类型的基区,形成在基区的第一导电类型的源区、第二导电类型的体区,形成在外延层中的相互隔离的第一多晶硅和第二多晶硅;源区构成MOS管的源极,衬底作为MOS管的漏极,第二多晶硅构成MOS管的栅极和栅极结构,栅极结构与MOS管的栅极相连接;元胞区外的第一多晶硅构成栅极电阻,或者栅极电阻由基区构成。
  • 一种sgtmos工艺tvs器件及其制造方法
  • [实用新型]一种电机主轴-CN202321390545.9有效
  • 陈美林 - 温岭市百弘机械有限公司
  • 2023-06-02 - 2023-09-19 - F16C3/02
  • 本实用新型公开了一种电机主轴,包括输出模块,所述输出模块包括主轴主体、安装于所述主轴主体外侧的凸杆、活动套接于所述主轴主体外侧的两个外壳、与靠近所述主轴主体顶部的外壳连接的U形杆、与所述U形杆活动连接的滚筒、与靠近所述主轴主体顶部的外壳连接的油盒,两个外壳相互贴合,所述滚筒外壁与主轴主体外壁贴合。本实用新型中,主轴主体每转动一圈,其上的凸杆都会与滚筒碰撞一次,然后滚筒在主轴主体顶部左右摆动,摆动期间,滚筒将润滑油均匀的涂抹在主轴主体外侧,有效降低主轴主体的损伤概率。
  • 一种电机主轴
  • [实用新型]一种Trench MOS工艺半导体器件的版图结构-CN202321000359.X有效
  • 张轩瑞;陈美林 - 上海晶岳电子有限公司
  • 2023-04-27 - 2023-09-19 - H01L29/06
  • 本实用新型提供一种Trench MOS工艺半导体器件的版图结构,包括元胞区和终端区,所述终端区设置于所述元胞区的外围,所述元胞区延中心区域凹陷形成触发区,所述元胞区与所述终端区之间设有栅极通道,所述元胞区与所述触发区之间设有栅极电阻区域;所述触发区边缘形成有沟槽,所述沟槽填充有多晶硅,所述触发区内自下而上形成有重掺杂第一导电类型的第一掺杂区、第二导电类型的第二掺杂区;通过形成触发区,在出发区和元胞区的相互作用下,能够降低半导体器件的箝位系数,同时提高半导体器件的静电防护能力、电流泄放能力。
  • 一种trenchmos工艺半导体器件版图结构
  • [发明专利]一种SGT MOS工艺TVS器件及其制造方法-CN202310512024.4在审
  • 陈美林;张轩瑞 - 上海晶岳电子有限公司
  • 2023-05-08 - 2023-08-29 - H01L27/02
  • 本发明提供了一种SGT MOS工艺TVS器件及其制造方法,其中TVS器件包括:第一导电类型的衬底和形成在衬底上的同质外延层;元胞区中形成有MOS管,触发区中形成有TVS管,TVS管为二极管结构,二极管的P区和N区通过对硅进行掺杂形成,且P区和N区横向设置;元胞区及元胞区至触发区包括:形成在外延层中的第二导电类型的基区,形成在基区的第一导电类型的源区、第二导电类型的体区,形成在外延层中的相互隔离的第一多晶硅和第二多晶硅;源区构成MOS管的源极,衬底作为MOS管的漏极,第二多晶硅构成MOS管的栅极和栅极结构,栅极结构与MOS管的栅极相连接;元胞区外的第一多晶硅构成栅极电阻,或者栅极电阻由基区构成。
  • 一种sgtmos工艺tvs器件及其制造方法
  • [发明专利]一种LDMOS工艺TVS器件及其制造方法-CN202310671352.9在审
  • 陈美林;张轩瑞 - 上海晶岳电子有限公司
  • 2023-06-07 - 2023-08-25 - H01L27/02
  • 本发明提供了一种LDMOS工艺TVS器件及其制造方法,其中TVS器件的内圈区形成有元胞区、触发区和内圈终端区;元胞区中形成有第一MOS管,触发区中形成有TVS管;内圈区的基板主体上形成有第一栅极电阻、第一栅极结构;外圈区的基板主体上形成有第二MOS管、第二栅极电阻、第二栅极结构;互连金属,使TVS管的阳极通过第一栅极结构与第一MOS管的栅极相连接;使第一栅极电阻的一端连接于TVS管的阳极和栅极结构,另一端连接于第一MOS管的源极;使第一MOS的漏极连接于TVS管的阴极和第二MOS管的漏极;使第二栅极电阻的一端连接于第二栅极结构和第一MOS的源极,另一端连接于第二MOS管的源极。
  • 一种ldmos工艺tvs器件及其制造方法
  • [发明专利]一种单向平面二极管的TVS器件及其制造方法-CN202310512771.8在审
  • 陈美林;张轩瑞 - 上海晶岳电子有限公司
  • 2023-05-08 - 2023-08-22 - H01L29/861
  • 本发明提供一种单向平面二极管的TVS器件,包括基板,所述基板被划分为元胞区和终端区,所述元胞区和所述终端区之间设有过渡区,所述基板自下而上包括重掺杂第一导电类型的衬底、轻掺杂第一导电类型的外延,所述外延上设置开口向上的沟槽,所述衬底下形成有背面导电层;位于所述终端区中,在两个所述沟槽之间的所述外延上部形成重掺杂的第一导电类型的第一掺杂区和第二导电类型的第二掺杂区,所述第一掺杂区与所述第二掺杂区相邻设置,相互接触形成PN结,降低了调整触发电压的工艺难度,在相同单位面积内具有更小的动态电阻,极大地降低了器件的箝位系数,提高了器件的静电防护、电流泄放能力及单位面积利用率。
  • 一种单向平面二极管tvs器件及其制造方法
  • [实用新型]一种安全汽车挂钩-CN202320687256.9有效
  • 陈美林 - 温岭市百弘机械有限公司
  • 2023-03-31 - 2023-08-22 - B60R7/08
  • 本实用新型公开了一种安全汽车挂钩,包括挂放模块,所述挂放模块包括靠放杆、与所述靠放杆连接的两个承重杆、活动套接于所述靠放杆外侧的两个杆套、设于所述杆套一侧的弧形板、连接于所述杆套和弧形板之间的两个塑料软板、与所述杆套和弧形板插接的两个空心管、活动连接于两个空心管之间的两个U形插杆。本实用新型中,将魔术贴勾面贴在座椅后背,然后拔出多个U形插杆,控制魔术贴毛面与魔术贴勾面粘紧后,杆套、塑料软板、弧形板均与座位后背贴合,然后重新插入多个U形插杆,U形插杆竖直,避免汽车急刹时,前冲的后座人员被本产品戳伤。
  • 一种安全汽车挂钩
  • [发明专利]一种TVS器件及其制造方法-CN202310627447.0在审
  • 张轩瑞;陈美林 - 上海晶岳电子有限公司
  • 2023-05-30 - 2023-08-15 - H01L27/02
  • 本发明提供了一种TVS器件及其制造方法,其中TVS器件包括:基板主体,所述基板主体包括元胞区、触发区和终端区;所述元胞区中形成有MOS管,所述触发区中形成有TVS管;所述基板主体包括第一导电类型的衬底和形成在所述衬底上的异质外延层,所述衬底的掺杂浓度大于所述外延层的掺杂浓度;所述基板主体上形成有栅极电阻、栅极结构和互连金属;所述栅极结构与所述MOS管的栅极相连接;所述互连金属使所述TVS管的阳极通过所述栅极结构与所述MOS管的栅极相连接;使所述栅极电阻并联于所述TVS管的阳极与所述MOS管的源极之间;使所述MOS的漏极与所述TVS的阴极相连。
  • 一种tvs器件及其制造方法
  • [发明专利]一种SGT MOS工艺TVS器件及其制造方法-CN202310627439.6在审
  • 陈美林;张轩瑞 - 上海晶岳电子有限公司
  • 2023-05-30 - 2023-08-08 - H01L27/02
  • 本发明提供了一种TVS器件及其制造方法,其中TVS器件包括:基板主体,基板主体包括第一导电类型的衬底和形成在衬底上的异质外延层,基板主体包括元胞区、触发区和终端区;元胞区中形成有MOS管,触发区中形成有TVS管;元胞区及元胞区至触发区包括:形成在外延层中的第一导电类型的源区,形成在外延层中的相互隔离的第一多晶硅和第二多晶硅;其中第二多晶硅位于第一多晶硅的上方;形成在第一多晶硅、第二多晶硅、外延层中的与互连金属相接的第二导电类型的体区;源区构成MOS管的源极,衬底作为MOS管的漏极,第二多晶硅构成MOS管的栅极和栅极结构,栅极结构与MOS管的栅极相连接;元胞区外的第一多晶硅构成栅极电阻。
  • 一种sgtmos工艺tvs器件及其制造方法
  • [发明专利]一种TVS器件及其制造方法-CN202310546860.4在审
  • 张轩瑞;陈美林 - 上海晶岳电子有限公司
  • 2023-05-15 - 2023-08-01 - H01L27/02
  • 本发明提供了一种TVS器件及其制造方法,其中TVS器件包括:基板主体,所述基板主体包括元胞区、触发区和终端区;所述元胞区中形成有MOS管,所述触发区中形成有TVS管,所述TVS管为N型半导体和P半导体相互间隔的结构;所述基板主体上形成有栅极电阻、栅极结构、互连金属;构成所述TVS管、所述栅极电阻和所述栅极结构的材料在同一工艺步骤中形成;所述栅极结构与所述MOS管的栅极相连接;所述互连金属使所述TVS管的阳极通过所述栅极结构与所述MOS管的栅极相连接;使所述栅极电阻并联于所述TVS管的阳极与所述MOS管的源极之间;使所述MOS的漏极与所述TVS管的阴极相连。
  • 一种tvs器件及其制造方法

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