专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种单双排PAD和ESD搭配使用的版图布局结构及方法-CN202210655374.1在审
  • 茹金泉;陈明瑜;陈永烈;陈明娇 - 珠海鸿芯科技有限公司
  • 2022-06-10 - 2023-02-03 - H01L27/02
  • 本发明提供一种单双排PAD和ESD搭配使用的版图布局结构及方法,该布局结构包括电路版图、PAD、ESD保护器件,单个PAD的面积为第一预设值,PAD的数量为第二预设值,PAD沿电路版图的四周单排排列形成的第一面积大于电路版图的第二面积;PAD沿电路版图的四周方向双排或多排排列的形成的第三面积小于电路版图的第二面积;PAD包括第一PAD与第二PAD,ESD保护器件包括单排ESD保护器件与双排ESD保护器件;PAD沿电路版图的四周方向单双排排列,其中,第一PAD沿模拟电路版图的四周方向单排排列形成单排PAD,单排PAD连接单排ESD保护器件;第二PAD沿数字电路版图的四周方向双排排列形成双排PAD,双排PAD连接双排ESD保护器件,本发明有助于从芯片内部提高芯片面积的利用率。
  • 一种单双排padesd搭配使用版图布局结构方法
  • [发明专利]一种CMOS敏感信号PAD的屏蔽结构-CN202210542409.0在审
  • 茹金泉;陈明瑜;陈永烈;陈明娇 - 珠海鸿芯科技有限公司
  • 2022-05-17 - 2022-09-06 - H01L23/498
  • 本发明提供一种CMOS敏感信号PAD的屏蔽结构,该结构包括敏感信号PAD、第一屏蔽结构、第二屏蔽结构,敏感信号PAD包括第一钝化层与第一金属层,第一屏蔽结构包括第二钝化层以及第二金属层,第二屏蔽结构包括第三钝化层以及第三金属层,第一金属层、第二金属层、第三金属层两两相互平行且处于第一预设高度,第一金属层与第二金属层相距预设距离,第一金属层与第三金属层相距预设距离。本发明通过第一屏蔽结构与第二屏蔽结构取代左右屏蔽PAD以及通过增加敏感信号PAD左右两边的PAD之间的距离的方式,实现保证敏感信号PAD的信号完整性的同时减少芯片的面积。
  • 一种cmos敏感信号pad屏蔽结构
  • [发明专利]一种CMOS双排DUP与内部ESD器件的连接结构-CN202210642404.5在审
  • 茹金泉;陈明瑜;陈永烈;陈明娇 - 珠海鸿芯科技有限公司
  • 2022-06-08 - 2022-08-02 - H01L27/02
  • 本发明提供一种CMOS双排DUP与内部ESD器件的连接结构,包括双PAD与多个GPIO,双排PAD中的每个PAD的最低层金属连接GPIO,GPIO包括I/O口与ESD器件,ESD器件与I/O口沿电路版图从里向外依次设置,I/O口连接ESD器件;ESD器件包括上下并排设置的二个ESD PMOS管以及上下并排设置的二个ESD NMOS管,上下并排设置的二个ESD PMOS管设置在上下并排设置的二个ESDNMOS管的上方;上下并排设置的二个ESD NMOS管的下方设置有第一金属接口,上下并排设置的二个ESD PMOS管之间设置有第二金属接口;PAD的最底层金属连接所述第一金属接口或所述第二金属接口,本发明能够解决PAD的面积超出GPIO面积一部分,造成这部分面积对应的芯片的高度上的空间浪费的问题,提高芯片面积的利用率。
  • 一种cmosdup内部esd器件连接结构

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