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[发明专利]基于非共面弧形叉指电极的AlN深紫外光电探测器及其制备方法-CN202310761314.2在审
发明人：蔡青;朱金杰;游海帆;陈敦军;张荣 -专利权人：南京大学
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于非共面弧形叉指电极的AlN深紫外光电探测器，包括衬底层及衬底层上的AlN有源层，其特征在于：在AlN有源层表面通过刻蚀形成凹陷的弧形台面，还包括弧形叉指电极，其中一侧的叉指电极蒸镀于AlN有源层表面，另一侧的相邻电极蒸镀于凹陷的弧形台面内，且不与弧形台面刻蚀的侧壁接触。还公开了其制备方法。本发明的一种基于非共面弧形叉指电极的AlN深紫外光电探测器利用弧形叉指电极使得有源区暴露在深紫外光下，在可渗透深度内促进器件光吸收。同时，非共面电极使得台面边缘电场出现局域增强，延伸了近表面区域耗尽层宽度，可增大光响应度。
基于非共面弧形电极 aln 深紫光电探测器及其制备方法

[发明专利]高频大功率电源用SoC芯片-CN202310390021.8在审
发明人：雷建明;陈敦军;郭慧 -专利权人：苏州明源创半导体有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明属于半导体领域，涉及第三代宽禁带半导体器件及其隔离驱动、智能控制和高压低损耗辅助增压供电系统，并将其制作成为一个SoC芯片。采用多器件并联的桥式功率器件结构，多个器件单元之间采用3D层叠结构，In柱互联，层间镜像布局，磁场抵消，另通过隔离驱动芯片进行驱动，引入延时器和智慧控制器进行同步与时序控制，同时引入高压低功耗供电系统解决供电问题，无须第三方供电，可实现高度集成化。
高频大功率电源 soc 芯片

[实用新型]热源放置与移除的电控装置-CN202320928026.7有效
发明人：胡利群;龚国斌;高惠滨;万建国;陈敦军 -专利权人：南京大学
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： B66F7/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种热源放置与移除的电控装置，包括底板、升降轴套筒、升降轴、升降电机、水平移位电机、连杆、探测器、样品台；升降轴套筒固定于底板上，升降轴的底部位于升降轴套筒内，在升降电机的驱动下沿升降轴套筒纵向伸缩，样品台设置于底板上；水平移位电机与升降轴的头部连接，连杆一端连接水平移位电机的转动轴，另一端连接热源，探测器固定在升降轴的顶部，水平移位电机通过转动轴带动连杆和热源沿水平方向转动。本实用新型针对金属比热测量的实验系统，创新设计了一种电控三维移动装置，放置热源定位精确，撤离热源安全可靠，且为实现联动控制、自动测量提供了可能。
热源放置装置

[发明专利]降低衬底漏电流的GaN基JFET场效应晶体管及其制备方法-CN202310298051.6在审
发明人： 陈敦军;邵克戌;郭慧 -专利权人：南京大学
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L29/808 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低衬底漏电流的GaN基JFET场效应晶体管，其特征在于其结构依次包括：一衬底层；一p‑GaN缓冲层；一AlN层；一p‑GaN层；一n‑GaN沟道层；n‑GaN沟道层填充有两片p‑GaN，p‑GaN与两边的n‑GaN沟道层形成两个背靠背的p‑n结，控制沟道宽度，使沟道在零偏压下处于耗尽状态；源电极、漏电极，分别设置在n‑GaN沟道层n‑GaN顶表面的两端；叉指结构的栅电极，覆盖沟道内填充的p‑GaN的顶表面，并在一端联结。并公开了其制备方法。本发明实现了加入AlN层的增强型GaN基结型场效应晶体管。在运用适当掺杂浓度的p‑GaN作为缓冲层并加入AlN层后有效的降低了衬底漏电流，提高器件使用寿命。
降低衬底漏电 gan jfet 场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]SoC芯片的高压低损耗辅助供电系统及辅助供电方法-CN202310390026.0在审
发明人：雷建明;陈敦军;郭慧 -专利权人：苏州明源创半导体有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：本发明属于半导体和电力电子领域，涉及第三代宽禁带半导体SoC芯片的低损耗高压增压辅助供电系统，特别针对桥式结构SoC芯片。采用高压电流源电平转移与控制，先使高压变换成低压，同时采用低端电流检测法，使得运放和参考电平能够共用，电路更简单，成本低，然后采用迟滞控制法控制低压电平稳定在一个合适的范围内，还采用增压电路为SoC芯片提供模拟的辅助供电。
soc 芯片压低损耗辅助供电系统供电方法

[发明专利]一种提高阈值电压的增强型p沟道场效应晶体管-CN202310033025.0在审
发明人：王科;周辉;邵鹏飞;陈敦军;张荣;郑有炓 -专利权人：南京大学
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高阈值电压的增强型p沟道场效应晶体管，该结构包括位于最底部的衬底，外延生长的GaN层、AlGaN层、GaN层、p‑GaN层、p++GaN层、经过刻蚀后选区外延生长的AlN或者AlGaN极化栅(AlxGa1‑xN层)，或在GaN沟道层与p‑GaN之间直接外延生长的AlN或AlGaN层(AlxGa1‑xN层)，栅区Al2O3介质层，源漏栅电极等主要部分。经过模拟分析，相比于传统的凹栅增强型p‑FET，引入的栅区AlN极化栅，可以显著提高增强型p‑FET的阈值电压。
一种提高阈值电压增强沟道场效应晶体管

[发明专利]极化调控的超低亚阈值斜率增强型铁电栅GaN基HEMT器件及其制备方法-CN202310312054.0在审
发明人： 陈敦军;朱子孟;潘丹峰;郭慧 -专利权人：南京大学
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种极化调控的超低亚阈值斜率增强型铁电栅GaN基HEMT器件及其制备方法。该器件利用刻槽+沉积铁电薄膜的方法获得多片鳍形铁电栅。利用铁电极化耗尽沟道二维电子气，实现增强型器件。此外，由于铁电薄膜的负电容效应，器件有超低的亚阈值斜率。鳍形铁电栅可以增大阈值电压的调控范围、减小栅极漏电流、降低亚阈值斜率，最终实现高阈值电压、高开关速度和低功耗的器件。最后，多沟道可以保证大的输出电流。
极化调控超低亚阈值斜率增强型铁电栅 gan hemt 器件及其制备方法

[发明专利]抑制雪崩光电二极管边缘提前击穿的两层绝缘介质钝化法-CN202310376064.0在审
发明人： 陈敦军;游海帆;王海萍;张荣 -专利权人：南京大学
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种可抑制雪崩光电二极管边缘提前击穿的两层绝缘介质钝化方法，其步骤包括：(1)先采用低RF功率条件在雪崩光电二极管表面淀积缓冲绝缘介质层；(2)再采用高RF功率条件进行高质量绝缘介质层的淀积。本发明通过先后采用在两种不同的RF功率条件下进行双层绝缘介质的钝化，其机理主要是先在低RF功率下淀积一层薄的缓冲绝缘介质，从而将样品表面受到的等离子损伤控制在最小范围；随后使用常规的高RF功率淀积一层厚的高质量绝缘介质，以保证绝缘介质的整体质量以及耐击穿电压特性。既可避免雪崩器件容易在表面处因局部电场聚集而导致的提前击穿，又保证了绝缘钝化介质的耐压作用，提升器件性能。
抑制雪崩光电二极管边缘提前击穿绝缘介质钝化

[发明专利]高频大功率电源用多器件并联桥式功率器件及其同步、时序控制系统-CN202310390019.0在审
发明人：雷建明;陈敦军;郭慧 -专利权人：苏州明源创半导体有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明属于半导体和电力电子领域，涉及第三代宽禁带半导体器件及其隔离驱动、智能控制和高压低损耗辅助增压供电系统。采用多器件并联的桥式功率器件结构，通过隔离驱动芯片进行驱动，引入延时器和智慧控制器进行同步与时序控制，解决多器件、多驱动器同步工作的难题，同时采用辅助增压技术引入高压低功耗供电系统解决供电问题，无须第三方供电。
高频大功率电源器件并联功率及其同步时序控制系统

[发明专利]新型薄膜太阳电池-CN201710482861.1有效
发明人：谢自力;陈敦军;张开骁 -专利权人：南京南大光电工程研究院有限公司
申请日： 2017-06-22 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型薄膜太阳电池，包括表面防反层、表面反射层、PN结结构层、第一电极、第二电极、底面选择反射层，其中，PN结结构层形成周期性的金字塔结构，表面防反层为表面涂层，均匀覆盖在PN结结构层的上表面，表面反射层设置于表面防反层的凹陷处，第一电极、第二电极交替竖直植入到PN结结构层的内部，第一电极与第二电极的下端从底面选择反射层7底面突出。本发明装置中，表面入射的太阳光大部分被直接吸收，另一部分经表面反射层反射后被金字塔顶部吸收，底面选择反射层可以反射材料层能够吸收的短波长太阳光，既可以降低整个电池结构的温度，还可以作为汽车房屋等户外物体窗户或外墙上的贴膜使用,具有广泛的应用前景。
新型薄膜太阳电池

[发明专利]一种GaN功率器件的有源栅极驱动电路-CN202211722412.7在审
发明人： 陈敦军;曹翔;雷建明;彭扬虎;韩畅;王蕊;郭慧 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明公开了一种新一代GaN功率器件的有源栅极驱动电路，该电路在栅极驱动回路中引入一个悬浮式脉冲电路，将传统的电压式驱动转变成电流式驱动，从而消除栅极路径中寄生电感的影响。同时，采用两段式栅极驱动电压，在提高栅压的同时保证器件的工作可靠性。另外，提升器件在关断时的电压，降低器件反向导通压降。最终，这种新型栅极驱动方案能够将GaN功率器件的工作频率提升至1MHz以上，并提高器件的高频工作效率超10％。
一种 gan 功率器件有源栅极驱动电路

[发明专利]一种水质光谱测量装置-CN202010893012.7有效
发明人： 陈敦军;张廷志;张开骁;胡利群 -专利权人：济南冠鼎信息科技有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： G01J3/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种水质光谱测量装置，由平行光源、分光装置、光电传感器组成，分光装置包含组件外壳、入射腔、三棱镜、出射腔。平行光源为紫外平行光源，平行光出光方向沿圆柱的轴线方向；组件外壳为带折角的不透光黑色圆筒外壳，两个圆筒口分别带有水平狭缝、竖直展宽狭缝；入射腔、三棱镜、出射腔为熔铸一体JGS1型石英装置，入射腔、出射腔外壁均为圆筒结构，圆筒内部真空，平行光源由电流源、LED芯片组、封装透镜组成，LED芯片组由基板、漩涡式共阳极电源线、LED发光芯片、阴极电源飞线组成。本发明采用基于UV‑LED连续光谱的微型紫外光源，整个组件结构固定，通过波长率定后不用再对波长进行校准，具有简单、易用、适用性广等特点。
一种水质光谱测量装置

[发明专利]一种光谱测量光电传感器-CN202010892962.8有效
发明人： 陈敦军;张廷志;张开骁;胡利群 -专利权人：济南冠鼎信息科技有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G01J3/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种光谱测量光电传感器，由平行光源、分光装置、光电传感器组成，分光装置包含组件外壳、入射腔、三棱镜、出射腔。平行光源为紫外平行光源，外形为圆柱型，平行光出光方向沿圆柱的轴线方向；组件外壳为带折角的不透光黑色圆筒外壳，两个圆筒口分别带有水平狭缝、竖直展宽狭缝；入射腔、三棱镜、出射腔为熔铸一体JGS1型石英装置，入射腔、出射腔外壁均为圆筒结构，圆筒内部真空；光电传感器为紫外线性阵列探测器，由1、2、…、N个AlGaN探测器沿一维方向排列而成。本发明整个组件结构固定，通过波长率定后不用再对波长进行校准，具有简单、易用、适用性广等特点。
一种光谱测量光电传感器

[发明专利]带有参考器件的GaN基pH传感器-CN202010472252.X有效
发明人： 陈敦军;董燕 -专利权人：济南冠鼎信息科技有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G01N27/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种带有参考器件的GaN基pH传感器，其结构自下而上依次包括：衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层或者AlInN势垒层、GaN盖帽层；所述传感器设有感测区域和参考区域，在感测区域和参考区域设有独立的漏电极和栅电极，感测区域和参考区域之间设有共用源电极，所有的电极均蒸镀在AlGaN势垒层或者AlInN势垒层上，所述感测区域设有感测区。本发明在同一器件上同时包括感测区域和参考区域，新结构的器件具有较大的输出电流，同时具有很好的感测灵敏度和稳定性。由于输出电流的提高，可以在后续的商业应用中省掉电流放大的设计，起到简化电路设计和降低成本的作用。
带有参考器件 gan ph 传感器

[发明专利]胆固醇生物传感器及其制备方法-CN202210559846.3在审
发明人：丰建波;陈鹏;潘传真;安慧敏;谢自力;修向前;陈敦军;刘斌;赵红;张荣;郑有炓 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种胆固醇生物传感器，其特征在于：以HEMT为换能器，在换能器的栅极上固定胆固醇氧化酶，所述栅极表面材料为金。还公开了其制备方法。本发明运用GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)结构作为换能器，将胆固醇氧化酶固定到器件的金栅上，实现对胆固醇的探测。这样不仅具备了电化学的性能，如测试简单，结构简化，实时反应，成本低等优点，同时由于HEMT结构的本征信号低，受外界其他环境影响小，灵敏度有一个很大的提高。促使胆固醇生物传感器提高了对胆固醇的准确性、专一性、稳定性。
胆固醇生物传感器及其制备方法

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