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- [发明专利]供功率转换应用的高速电平转换器-CN202280005210.2在审
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陈捷生;钱为;高子阳
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香港应用科技研究院有限公司
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2022-12-22
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2023-07-07
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H03K19/017
- 电平转换电路使用标准的n沟道和p沟道晶体管，除了一对横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管(40,42)外，其在源极和传导沟道之间的栅极之下具有增加的横向扩散，从而增加了击穿电压。每个LDMOS晶体管(40,42)的源极连接到一个瞬态差分晶体管(70,72)的漏极，此晶体管的栅极由一个在输入转换后产生脉冲的单稳态电路(62,64)驱动。脉冲结束后，保持差分晶体管(50,52)从LDMOS晶体管(40,42)汲取较小的偏置电流。每个LDMOS晶体管(40,42)的源极连接到p沟道感测晶体管(20,30)的漏极和栅极，p沟道感测晶体管(20,30)驱动镜像晶体管(22,24,32,34)的栅极，以产生镜像电流到交叉耦合n沟道镜像晶体管(28,36)，n沟道镜像晶体管(28,36)驱动双稳态锁存器(60)的两个终端，且双稳态锁存器(60)使用由双稳态锁存器(60)切换的降压转换器的驱动器晶体管之间的浮置接地来保持输出。
- 功率转换应用高速电平转换器
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