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[发明专利]一种薄膜处理装置及其方法-CN202111653272.8在审
发明人：姜勇;庞云玲;闫韬;陈恩毅 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜处理装置及其方法，该装置包含：反应腔室、进气隔板和排气隔板；进气法兰组件，其包含多个与反应空间对应的主反应气体喷口和与净化空间对应的辅助气体喷口；气体导流组件，其包含多个与进气隔板的辅助气体进气通道连通的辅助气体导流管道，各辅助气体导流管道中的气流独立可调；主反应气体经主反应气体喷口输送到反应空间，辅助气体经辅助气体喷口、辅助气体导流管道、辅助气体进气通道导入进气隔板上方。其优点是：该装置中主反应气体和辅助气体在进入晶圆处理区域之前已开始了混合过程，结合对各辅助气体导流管道内的辅助气体的独立调控，以实现对混合气体组分均匀性的精确调控，有利于获得更好的成膜均匀度和薄膜质量。
一种薄膜处理装置及其方法

[发明专利]腔室测温装置及化学气相沉积设备-CN202111589387.5在审
发明人：张海龙;姜勇;闫韬;陈恩毅 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明提供一种腔室测温装置及化学气相沉积设备，所述化学气相沉积设备的腔壁可以透过红外辐射，所述腔室测温装置安装在所述腔壁的外侧，包括：光学测温计，其通过所述红外辐射测量所述化学气相沉积设备内待测物体的温度；连接件，其具有相对的第一端和第二端，所述光学测温计安装在所述第一端，所述第二端连接所述腔壁，所述连接件内部设有贯穿所述第一端和所述第二端的光路通道，通过在所述光路通道中通入吹扫气体冷却与所述第二端连接处的腔壁。本发明可以在不影响腔壁的机械强度的前提下，提高测温的准确性。
测温装置化学沉积设备

[发明专利]一种化学气相沉积装置的温度校准和控制方法-CN202111262182.6在审
发明人：闫韬;陈恩毅;丛海 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G01K15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学气相沉积装置的温度校准和控制方法，该装置包括：晶圆承载台，测量晶圆承载台温度的第一温度传感器，用于加热该装置的加热器；校准方法包含：将一设置有标准接触式温度传感器的仿晶圆放在晶圆承载台上；启动加热器使该装置温度升高；将标准接触式温度传感器读数随时间的变化记录为标准温度变化值；将第一温度传感器读数随时间的变化记录为晶圆承载台温度变化值；将晶圆承载台温度变化值按时间对应校正为标准温度变化值。其优点是：通过标准接触式温度传感器、仿晶圆和第一温度传感器，获取晶圆在工艺过程中的温度变化数据，并对第一温度传感器进行校准，提高了第一温度传感器温度测量的准确度，保证了晶圆生产的良品率。
一种化学沉积装置温度校准控制方法

[发明专利]一种晶圆清洗装置及使用方法-CN202111141067.3在审
发明人：丛海;尹志尧;闫韬;陈恩毅 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： B08B5/02 文献下载
摘要：本发明公开一种晶圆清洗装置及使用方法，所述晶圆清洗装置，包括：处理腔、位于处理腔外的第一气体源、第二气体源、输气管、远程等离子体源和激发电源；处理腔包括喷淋头和基座，喷淋头设置于处理腔内部上方；基座设置于处理腔内部下方，与喷淋头相对设置；激发电源与喷淋头或与基座连接；第一气体源通过远程等离子体源、输气管与处理腔内的喷淋头连接；第一气体源用于向远程等离子体源或处理腔供应第一气体；第二气体源直接通过输气管与处理腔内的喷淋头连接，第二气体源用于向处理腔供应第二气体。本发明集成了远程等离子体源和激发电源，通过选择远程等离子体源和激发电源的打开或关闭可以去除晶圆上的污染物，从而满足晶圆的不同清洗需求。
一种清洗装置使用方法

[外观设计]基座-CN202230467145.8有效
发明人：傅时梁;姜勇;闫韬;陈恩毅;丛海 -专利权人：中微半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： 08-08 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：基座。2.本外观设计产品的用途：薄膜生长装置中用于放置晶圆的元件。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。5.无设计要点，省略左视图、右视图、俯视图、仰视图。
基座

[实用新型]一种基座及化学气相沉积设备-CN202222364888.X有效
发明人：傅时梁;姜勇;闫韬;陈恩毅;丛海 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本实用新型提供一种基座，用于化学气相沉积设备，包含：基座底面，所述基座底面为一平面或向下凹的弧面；自所述基座底面的外边缘向上向外延伸的基片承载面，所述基片承载面为一个由外至内向下倾斜的斜面，通过所述基片承载面与基片外边缘接触以承载基片；多个导流槽，设置在所述基片承载面上，用于排出基片背面与基座之间的工艺气体和/或净化气体。本实用新型还提供一种化学气相沉积设备。通过本实用新型，能够快速导走升降销孔周围的热量，使基片表面温度均匀；同时本实用新型还能够减少基片背面的沉积物，大大减少反应室内的颗粒污染。
一种基座化学沉积设备

[外观设计]基座-CN202230467144.3有效
发明人：傅时梁;姜勇;闫韬;陈恩毅;丛海 -专利权人：中微半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： 08-08 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：基座。2.本外观设计产品的用途：薄膜生长装置中用于放置晶圆的元件。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图。5.本外观设计产品为薄型产品及无设计要点，省略设计1左视图、设计1右视图、设计1俯视图、设计1仰视图、设计2左视图、设计2右视图、设计2俯视图、设计2仰视图、设计3左视图、设计3右视图、设计3俯视图、设计3仰视图。6.指定设计1为基本设计。
基座

[发明专利]一种高温核磁共振探头及系统-CN201910416849.X在审
发明人： 陈恩毅;彭亮;于尧;柳林 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-05-20 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： G01R33/34 文献下载
摘要：本发明属于核磁共振领域，并公开了一种高温核磁共振探头及系统，该探头包括金属屏蔽层、隔热层、冷却层、共振线圈、加热单元和保护单元，金属屏蔽层为上端封闭下端开口的腔体结构，隔热层包裹在金属屏蔽层外部，且其底部与金属屏蔽层内部形成加热腔室；冷却层包裹在隔热层外部，共振线圈上端置于加热腔室内，下端穿过隔热层和冷却层后与共振电路相连；加热单元的加热件围绕金属屏蔽层外部设置，测温件由外部插入隔热层中；保护单元为加热腔室提供保护气。该系统包括探头及温控、冷却和保护气子系统，探头设于磁体中，温控、冷却和保护气子系统分别与加热单元、冷却层和保护单元相连。本发明具有结构简单、检测准确、换样方便等优点。
金属屏蔽层探头隔热层冷却层保护单元加热单元核磁共振保护气共振线圈加热腔室温控外部冷却隔热层包裹共振电路腔体结构上端封闭外部设置下端开口测温件加热件加热腔上端下端穿过室内检测

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