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[发明专利]钙钛矿闪烁体材料及其间接型X射线探测器的制备方法-CN202310854906.9在审
发明人：程传同;关硕;黄丽婷;黄北举;陈弘达 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本公开提供了一种钙钛矿闪烁体材料制备方法，该方法包括：S11，旋涂底层钙钛矿纳米晶层，沉积底层聚合物薄膜层；S12，在底层聚合物薄膜层上表面依次旋涂钙钛矿纳米晶层和聚合物薄膜层，钙钛矿纳米晶层和聚合物薄膜层组成复合结构层；其中，复合结构层至少为两层；复合结构层的最上层包括顶层钙钛矿纳米晶层；其中，自下而上从底层钙钛矿纳米晶层至顶层钙钛矿纳米晶层，钙钛矿纳米晶层的带隙逐层降低。本公开另一方面提供了一种利用钙钛矿闪烁体材料制备间接型X射线探测器的方法。本公开通过引入钙钛矿纳米晶带隙梯度变化的多层薄膜解决自吸收问题，采用聚合物薄膜增加钙钛矿闪烁体材料稳定性，并采用高响应度光探测器配合钙钛矿闪烁体部分。
钙钛矿闪烁材料及其间接射线探测器制备方法

[发明专利]能抑制光噪声的微电极、采用其的电路及其制备方法-CN201711325611.3有效
发明人：裴为华;王飞;刘智多;邢潇;陈弘达 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：一种能抑制光噪声的微电极、采用其的电路及其制备方法。在以硅为支撑材料的微电极结构中，作为衬底的硅会因光照产生非平衡载流子，继而对其上层的电极信号造成扰动。将作为电极支撑的硅衬底通过掺杂、生长金属层并在其上的绝缘层上刻出通孔接地，可以大幅降低或消除硅衬底中光生载流子对上层神经电极的信号干扰，有效地解决了光对硅基微电极、特别是轻掺杂的硅衬底造成的噪声干扰。
抑制噪声微电极采用电路及其制备方法

[发明专利]适用于光通信发光器件的在线综合测试系统及方法-CN201910456159.7有效
发明人：赵丽霞;马占红;林杉;陈弘达 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于光通信发光器件的在线综合测试系统和方法，其系统包括：LED/LD负载电路板、电参数发生及测试装置、交流小信号发生装置、温度控制及探测装置、光信号探测装置、LED/LD调制特性测试系统中央监控及处理计算机。本发明不仅仅可测试其光学特性，而且可以原位进行器件的电学特性、热学特性和交流小信号下器件的频率响应特性随器件结温的变化进行监控。
适用于光通信发光器件在线综合测试系统方法

[发明专利]确定二维材料生长合金催化剂中金属原子最佳配比的方法-CN202110282908.6有效
发明人：程传同;李刘杰;陈弘达;黄北举 -专利权人：江苏集萃脑机融合智能技术研究所有限公司
申请日： 2021-03-16 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本发明揭示了一种确定二维材料生长合金催化剂中金属原子最佳配比的方法。本发明提供的方法能够在绝缘衬底上形成一层金属原子配比渐变的合金催化剂层，并以该合金催化剂层作为二维材料的生长基底，然后根据该合金催化剂层上二维材料生长质量最佳的位置处的金属原子配比，来快速确定二维材料生长合金催化剂中金属原子的最佳配比，该方法相较于现有技术能够显著的提高效率，减少实验次数。
确定二维材料生长合金催化剂金属原子最佳配比方法

[发明专利]可穿戴脑电疲劳监测系统-CN201910890605.5有效
发明人：王毅军;田森;裴为华;张熙;陈弘达 -专利权人：中国科学院半导体研究所;中国人民解放军总医院
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： A61B5/256 文献下载
摘要：一种可穿戴脑电疲劳监测系统，包括采集单元、同步单元和预警单元三部分。采集单元用于采集脑电数据，并将脑电数据进行滤波、放大、模数转换操作后通过无线网络发送至预警单元；同步单元用于采集刺激设备产生的事件标志位并通过无线网络同步发送到预警单元中；预警单元通过WIFI接收模块接受采集单元传送来的数字信号、同步单元传输来的事件标志位，将接收到的数字信号、事件标志位进行预处理，提取出数据特征，之后基于数据特征计算出用户的认知状态，当用户的认知状态较低时进行预警。本发明提出的可穿戴脑电疲劳监测系统便于携带，使用前准备时间短，基于本发明提出的电极分布模式可实现脑电和眼电信号的采集。
穿戴疲劳监测系统

[发明专利]光电突触器件阵列及其制备方法、图像处理设备-CN202111089808.8有效
发明人：程传同;张恒杰;黄北举;张欢;陈润;黄宇龙;陈弘达 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：本公开提供了一种光电突触器件阵列及其制备方法、图像处理设备，该光电突触器件阵列包括：底电极；依次叠设于底电极上的P型半导体层、N型半导体层、光吸收层以及透明的顶电极；其中，顶电极与底电极保持垂直交叉结构，每个交叉点形成一个单独的光电突触器件单元。
光电突触器件阵列及其制备方法图像处理设备

[发明专利]基于石墨烯-CMOS单片集成的探测器芯片的制备方法及系统-CN202111065535.3有效
发明人：黄北举;陈润;程传同;张恒杰;张欢;黄宇龙;陈弘达 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-09-10 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本公开提供了一种基于石墨烯‑CMOS单片集成的探测器芯片的制备方法，包括：S1，在CMOS集成电路表面沉积隔离层；S2，在隔离层中刻蚀通孔，填充金属；S3，在隔离层表面溅射金属镍层；S4，在金属镍层的表面等离子增强化学气相淀积石墨烯；S5，腐蚀去除金属镍层；S6，制备电极，得到基于石墨烯‑CMOS单片集成的探测器芯片。本公开还提供了一种基于石墨烯‑CMOS单片集成的探测器芯片的红外成像系统。本公开通过引入石墨烯‑CMOS单片集成探测器芯片可以实现多光谱的红外成像，有效地解决了现有红外成像领域低成本、多光谱红外成像的技术难点。
基于石墨 cmos 单片集成探测器芯片制备方法系统

[发明专利]基于谐波小波分解的非侵入负荷检测方法及装置-CN202211161635.0在审
发明人：刘昆;陈弘达;唐君;鲁琳 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H02J13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于谐波小波分解的非侵入负荷检测方法及装置，涉及非侵入电力负荷检测技术领域。该方法包括：采集用户端电源入口处的电力数据，对所述电力数据进行预处理；在负荷事件发生前后的预设时间段内，从预处理后的电力数据中提取时序特征数据和频域特征数据，对所述时序特征数据和频域特征数据进行负荷事件检测，得到多个负荷设备的状态变化量；根据所述状态变化量，提取负荷事件特征信号；采用谐波小波变换算法对所述负荷事件特征信号进行分解，得到每个所述负荷设备的负荷运行数据。本发明可以收集和分析用户电力负荷的负荷运行数据，以确定更详细、更准确的负荷运行状态。
基于谐波分解侵入负荷检测方法装置

[发明专利]基于无监督深度学习的配电台区设备识别方法及装置-CN202211177803.5在审
发明人：刘昆;陈弘达;唐君;鲁琳 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G06K9/62 文献下载
摘要：本发明提供一种基于无监督深度学习的配电台区设备识别方法及装置，涉及配电检测技术领域。该方法包括：在配电台区的主变压器二次侧，采集预设时间段内的用电时序数据；基于预设规则提取所述用电时序数据中的变化特征数据；将所述变化特征数据输入预设的卷积神经网络中，提取不同尺度的特征图；将所述特征图传递至预设的检测模块与所述配电台区内的各个用电设备进行匹配，识别与所述用电时序数据相关联的目标用电设备。本发明在不增加额外的设备识别硬件的条件下，尽量利用现有的电压、电流传感器，实现配电台区的设备识别。
基于监督深度学习配电设备识别方法装置

[发明专利]基于静电传感器的烟气流型识别方法及装置-CN202211140504.4在审
发明人：刘昆;陈弘达;唐君;鲁琳 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G01N27/60 文献下载
摘要：本发明提供一种基于静电传感器的烟气流型识别方法及装置，涉及烟气排放测量技术领域。该方法包括：在烟气排放管道中采集静电传感器的输出信号；基于互相关运算，计算所述输出信号的渡越时间以及颗粒物的速度估计值；计算单带电颗粒经过所述静电传感器敏感场时引起的信号时域模型；使用所述信号时域模型对所述输出信号进行数据处理，还原出静电信号；根据所述渡越时间和所述速度估计值，确定所述颗粒物的速度波动特征并选取计算区间，计算所述静电信号的标准差；利用所述静电信号的标准差，对烟气排放流型进行表征。本发明可以对静电信号进行数据挖掘，得到烟气流型的信息。与采用差压原理的皮托管传感器相比，对流型变化的反映更加迅速。
基于静电传感器烟气识别方法装置

[发明专利]一种采用二维材料异质结构检测压力大小及位置的电子皮肤设计-CN201910553537.3有效
发明人：毛旭瑞;张琪;胡海洋;张旭;陈弘达 -专利权人：海宁先进半导体与智能技术研究院
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G01L1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用二维材料异质结构检测压力大小及位置的电子皮肤设计，本发明利用压力或拉伸力改变介质层厚度进而影响到层间电容和量子电容的特性，利用电容的变化改变谐振频率，进而表征传感器收到的拉伸力和压力的大小。这种通过调整谐振频率的方法可以高灵敏度的检测压力，并避免传感器阵列之间的串扰。此外，因为传感器是垂直异质结构，所以便于传感器阵列采用交叉结构读出。
一种采用二维材料结构检测压力大小位置电子皮肤设计

[发明专利]一种智能光探测器及其使用方法和制备方法-CN202111680317.0有效
发明人：程传同;张恒杰;陈弘达 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本公开提供了一种智能光探测器及其使用方法和制备方法，智能光探测器包括：衬底；栅极，形成于衬底的上表面；接触电极，形成于栅极的上表面，且位于栅极的一侧；第一介质层，形成于栅极的上表面；悬浮栅层，形成于第一介质层的上表面；第二介质层，形成于悬浮栅层的上表面；有源导电层，形成于第二介质层的上表面；源极，形成于第二介质层的上表面，且位于有源导电层的一侧；漏极，形成于第二介质层的上表面，且位于有源导电层的另一侧；半导体光敏层，形成于有源导电层的上表面；第三介质层，形成于半导体光敏层的上表面。本公开通过调节施加在栅极上的电压来调整悬浮栅层中的电子或空穴的浓度，使光探测器的光响应度随之发生改变。
一种智能探测器及其使用方法制备方法

[发明专利]石墨烯器件及其制备方法、光电探测器-CN202210694742.3在审
发明人：程传同;刘玲玲;张恒杰;陈润;于璇;黄北举;陈弘达 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本公开提供一种石墨烯器件及其制备方法、光电探测器，制备方法包括：对衬底进行光刻，形成器件图案，其中，器件图案包括第一部分图案和第二部分图案，第一部分图案与第二部分图案之间的连接处为尖端形状；在器件图案上制备金属催化层，其中，金属催化层的形状与器件图案的形状相同；在预设温度条件下，在金属催化层表面生长石墨烯并使金属催化层的尖端处熔断，得到石墨烯器件。该制备方法通过一步法同时获得石墨烯和电极，进而得到光电性能优良的石墨烯器件，无需石墨烯的转移过程，解决了石墨烯转移过程损伤石墨烯，导致石墨烯光电探测器的性能差的技术问题。
石墨器件及其制备方法光电探测器

[发明专利]一种硅光电倍增管及其制备方法-CN202210717030.9在审
发明人：程传同;左金;张恒杰;黄北举;陈弘达 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本公开公开了一种硅光电倍增管及其制备方法，涉及光电传感器技术领域，尤其涉及单光子探测器技术领域。其中，该硅光电倍增管，包括。背电极、第一类型外延硅衬底、减反射层和电极，第一类型外延硅衬底包括第一类型硅衬底层、第一类型外延层和至少一个第二类型重掺杂区，其中，第一类型外延层和至少一个第二类型重掺杂区形成至少一个立体PN结；在第二类型重掺杂区的上表面设置倒金字塔结构；减反射层设置于第一类型外延硅衬底的上表面；电极设置于减反射层不覆盖第一类型外延硅衬底的上表面的区域；其中，第一类型和第二类型分别为电子型和空穴型中的一种。本公开可以在降低硅光电倍增管的工作电压的同时提高硅光电倍增管的光子探测效率。
一种光电倍增管及其制备方法

[发明专利]一种高灵敏红外光谱传感器及其制作方法-CN202210640679.5在审
发明人：程传同;张恒杰;陈润;黄北举;陈弘达 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G01N21/35 文献下载
摘要：本发明提供一种高灵敏红外光谱传感器及其制作方法，其中，所述高灵敏红外光谱传感器包括：集成的阵列排布的多个红外光传感器单元和阵列排布的多个红外滤光膜单片；其中，每个所述红外光传感器单元的表面覆盖有一个所述红外滤光膜单片，所述多个红外滤光膜单片的红外透射谱不同。本发明的高灵敏红外光谱传感器无分光系统，可以实现微型化、低成本、便携式的红外光谱仪。
一种灵敏红外光谱传感器及其制作方法

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