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[发明专利]基于Nano-LED应用的外延结构、芯片及制备方法-CN202111036291.6有效
发明人：林志伟;陈凯轩;蔡建九;曲晓东;赵斌 -专利权人：厦门乾照半导体科技有限公司
申请日： 2021-09-06 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于Nano‑LED应用的外延结构、芯片及制备方法，通过：所述图形化衬底包括通过隔离柱相互隔离且呈阵列分布的多个凸起，所述凸起与对应隔离柱之间形成凹槽；形成于所述凹槽内并覆盖各所述凸起表面且通过所述隔离柱相互隔离的若干个外延叠层。从而，基于由隔离柱相互隔离且呈阵列分布的多个凸起所构成的图形化衬底，可在各所述凸起表面形成相互隔离的若干个外延叠层，也即每个凸起形成一个独立的发光单元；进而可很好地实现发光单元的外延材料的应力释放，获得高质量的外延材料，使得小电流下的Nano‑LED芯片拥有高的发光效率。
基于 nano led 应用外延结构芯片制备方法

[实用新型]一种LED芯片-CN202320647681.5有效
发明人：林志伟;李敏华;何剑;陈凯轩;卓祥景;蔡建九 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种LED芯片，通过将衬底设置具有多个凸起，所述发光结构层叠于所述衬底具有凸起的一侧表面；其中，所述凸起沿第一方向的横截面积逐渐减小；沿第一方向上所述凸起的单位高度所对应的横截面积差值为变化速率，则变化速率和凸起高度的曲线呈“V”形；所述第一方向垂直于所述衬底，并由所述衬底指向所述发光结构。基于上述设置所获得的凸起形状，使得光在所述凸起形成更全面的反射方向，从而扩大了LED芯片的发光角度；如此，在后续显屏组装时可简化背光设计，尤其适用于微型LED芯片(如Mini‑LED或Micro‑LED等)。
一种 led 芯片

[实用新型]一种LED芯片-CN202320647683.4有效
发明人：赵斌;罗桂兰;曲晓东;杨克伟;林志伟;陈凯轩;李敏华 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/64 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种LED芯片，通过第一绝缘层、第一电极连通层、第二绝缘层的配合设计，使得所述导电基板与所述第二型半导体层(P型半导体层)直接电性连接，进一步地，所述导电基板可作为LED芯片与外部接触的第二电极，如此实现了LED芯片在发光台面所产生的热量在垂直方向上直接传输至所述导电基板，从而有利于热量的散出、降低了LED芯片的热阻。同时，通过通孔设计，形成了LED上、下表面相互结合(即第一电极连通层与第一电极层的相互配合)的复合型电极结构，使得电流注入更佳均匀，有效改善了大电流注入时所带来的俄歇复合问题。
一种 led 芯片

[实用新型]一种Mini-LED芯片-CN202321107219.2有效
发明人：林志伟;陈凯轩;何剑;蔡建九;尤翠萍 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本实用新型提供一种Mini‑LED芯片，该Mini‑LED芯片包括：透明衬底，透明衬底包括相对设置的第一表面和第二表面，第二表面为出光面；以及反射层，其设置于第二型半导体层背离有源区的一侧表面，并与外延结构的外围侧壁及凹槽的侧壁间隔设置；结合绝缘层，其覆盖外延结构、透明衬底及部分反射层的裸露面，绝缘层包括DBR反射结构层，既可保护芯片不被水汽侵入防止芯片短路，又有反射效果使芯片为单面出光，且只从第二表面出光，解决芯片侧壁漏光的问题，进而提高Mini‑LED芯片的出光效率，避免Mini‑LED芯片用在显示器背光源时出现漏光现象。
一种 mini led 芯片

[发明专利]一种LED芯片及其制作方法-CN202311016583.2在审
发明人：林志伟;李敏华;罗桂兰;曲晓东;杨克伟;陈凯轩;崔恒平 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2023-08-14 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，通过设置所述第一电极和/或第二电极包括Au、Al、Ag、Ni、Be、Cr、Ti、Zn、Pt、W、Ta中的至少两种的堆叠结构。进一步地，所述第一电极和/或第二电极包括含Au层和Al层的至少两种的堆叠结构，且所述第一电极和/或第二电极的表面为Au层，通过Al层中和Au层的价格，同时表面为化学性质稳定的Au层，进而节省成本的同时提高电极的稳定性。其次，所述堆叠结构内具有若干个通孔，且各所述Au层通过嵌入所述通孔的方式形成互连；基于此，在节省成本的同时，充分利用Au良好的导电性的特点，使电极保持低内阻，进而可很好地保证电极的电流传导性能。
一种 led 芯片及其制作方法

[实用新型]一种Micro-LED显示装置-CN202320536800.X有效
发明人：林志伟;陈凯轩;尤翠萍;蔡建九;柯志杰 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本实用新型提供一种Micro‑LED显示装置，该Micro‑LED显示装置包括：驱动电路单元，设置在驱动电路单元上的若干像素单元，每个像素单元均包括：发光单元，发光单元通过分割道间隔设有三个发光结构，三个发光结构为紫外光发光结构或紫光发光结构，通过荧光粉激发获得白光，经过红、绿、蓝三基色滤光片后，结合控制第一电极、第二电极、第三电极和第四电极，可以实现红、绿、蓝三基色单色控制及其混色控制，第一电极、第二电极、第三电极和第四电极同时设置在背光面这一侧，可增加出光面的发光面积，且第四电极通过分割道与透明导电层连接，可明显增大电流扩展和增强电导热能力，进而提高Micro‑LED显示装置的发光效率和可靠性。
一种 micro led 显示装置

[发明专利]一种Mini-LED芯片及其制作方法-CN202310520108.2在审
发明人：林志伟;陈凯轩;何剑;蔡建九;尤翠萍 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种Mini‑LED芯片及其制作方法，其中Mini‑LED芯片包括：透明衬底，透明衬底包括相对设置的第一表面和第二表面，第二表面为出光面；以及反射层，其设置于第二型半导体层背离有源区的一侧表面，并与外延结构的外围侧壁及凹槽的侧壁间隔设置；结合绝缘层，其覆盖外延结构、透明衬底及部分反射层的裸露面，绝缘层包括DBR反射结构层，既可保护芯片不被水汽侵入防止芯片短路，又有反射效果使芯片为单面出光，且只从第二表面出光，解决芯片侧壁漏光的问题，进而提高Mini‑LED芯片的出光效率，避免Mini‑LED芯片用在显示器背光源时出现漏光现象。
一种 mini led 芯片及其制作方法

[发明专利]一种集成式LED芯片模组及其制作、测试、切割方法-CN202010771244.5有效
发明人：曲晓东;陈凯轩;林志伟;赵斌;杨克伟 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2020-08-04 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明提供了一种集成式LED芯片模组及其制作、测试、切割方法，其LED阵列单元通过交叉沟槽隔离形成于所述基板表面；所述绝缘层覆盖所有所述LED阵列单元及沟槽，且所述绝缘层具有裸露各所述LED阵列单元表面的缺口；所述电极引线平铺于所述沟槽上方且相互间隔设置，并通过所述绝缘层与所述LED阵列单元和/或基板隔离设置；所述子电极沉积于所述缺口并延伸至所述绝缘层的表面与所述电极引线形成电连接；基于本发明所提供的技术方案，可利用测试电极做打线金球，从而避免在LED阵列单元表面打线引起的遮光问题；同时，可通过将测试电极与外部控制电路连接，实现LED阵列单元的独立控制，并降低控制电路与各LED阵列单元的连接难度。
一种集成 led 芯片模组及其制作测试切割方法

[发明专利]一种LED外延结构-CN202310538780.4在审
发明人：林志伟;陈凯轩;蔡建九;何剑;李敏华 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED外延结构，所述N型半导体层至少包括三个N型半导体子层，且至少两个所述N型半导体子层的N型N型掺杂浓度不一致。进一步地，在所述N型半导体层中，靠近所述衬底一侧的N型半导体子层为N型半导体底层，靠近所述有源层一侧的N型半导体子层为N型半导体顶层，其余的N型半导体子层为N型半导体中间层；则，至少一N型半导体中间层的N型掺杂浓度低于所述N型半导体底层和/或N型半导体顶层的N型掺杂浓度。使得所述N型半导体层的N型N型掺杂浓度呈高低高的阶梯式分布结构，该结构能够对高压静电起到缓冲的作用，降低了高压静电的破坏力，提升ESD性能，同时避免因有源层的N型掺杂降低而影响ESD性能。
一种 led 外延结构

[发明专利]一种Micro-LED芯片、显示设备及Micro-LED芯片的制作方法-CN201910683108.8有效
发明人：林志伟;陈凯轩;曲晓东;蔡建九;柯志杰 -专利权人：厦门乾照半导体科技有限公司
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明提供了一种Micro‑LED芯片、显示设备及Micro‑LED芯片的制作方法，包括载板，与载板连接的若干发光单元，各发光单元包括在载板表面依次设置的电极组、隔离层、第三LED堆叠、第二LED堆叠、第一LED堆叠；第二LED堆叠通过导电通道与第三LED堆叠形成电连接，第一LED堆叠通过导电通道与第二LED堆叠形成电连接，通过配置第三LED堆叠、第二LED堆叠、第一LED堆叠不同的材料体系，并结合驱动电路控制第一电极焊盘、第二电极焊盘、第三电极焊盘和第四电极焊盘的开/断及输入电流的大小，实现多种原色单独控制及混色控制的多种发光模式，一颗Micro‑LED芯片即可实现全色系的出光。
一种 micro led 芯片显示设备制作方法

[实用新型]一种微型发光元件-CN202320374150.3有效
发明人：曲晓东;陈凯轩;崔恒平;李敏华;林志伟;罗桂兰;江土堆;赵斌;杨克伟 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种微型发光元件，本实用新型提供的微型发光元件，包括基板及位于所述基板表面的若干个LED芯片；其中，所述基板具有若干个间隔分布的电极连接部件；所述LED芯片包括垂直结构LED芯片；所述垂直结构LED芯片横卧于所述基板表面，且所述垂直结构LED芯片的两极性电极分别与所述电极连接部件连接。同时，通过遮挡其余出光面，使光只通过一个面出射，实现了良好的发光形貌，呈朗伯分布。另外，基板表面的若干个LED芯片可以在芯片制作过程中通过晶圆级键合，实现若干个LED芯片的集成，避免了传统混光过程中的多次巨量转移，实现全彩化，并且可以突破现有芯片技术的尺寸限制，使得发光单元做得更小。
一种微型发光元件

[发明专利]一种抗静电的垂直结构LED芯片及其制作方法-CN202310700041.0在审
发明人：杨克伟;曲晓东;尤翠萍;江土堆;赵斌;林志伟;陈凯轩 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供一种抗静电的垂直结构LED芯片及其制作方法，通过设置非故意掺杂层，减少垂直结构LED芯片的晶格失配，并利用其具有高电阻及背景载流子的特性，由导电基板、金属键合层、第一型半导体层、非故意掺杂层以及第一电极构成静电释放通道，用于垂直结构LED芯片反向电压保护，来提高垂直结构LED芯片的抗静电能力，其工艺制作简单、便捷，便于生产化。
一种抗静电垂直结构 led 芯片及其制作方法

[发明专利]一种LED芯片及其制作方法-CN202310317682.8在审
发明人：赵斌;罗桂兰;曲晓东;杨克伟;林志伟;陈凯轩;李敏华 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，通过第一绝缘层、第一电极连通层、第二绝缘层的配合设计，使得所述导电基板与所述第二型半导体层(P型半导体层)直接电性连接，进一步地，所述导电基板可作为LED芯片与外部接触的第二电极，如此实现了LED芯片在发光台面所产生的热量在垂直方向上直接传输至所述导电基板，从而有利于热量的散出、降低了LED芯片的热阻。同时，通过通孔设计，形成了LED上、下表面相互结合(即第一电极连通层与第一电极层的相互配合)的复合型电极结构，使得电流注入更佳均匀，有效改善了大电流注入时所带来的俄歇复合问题。
一种 led 芯片及其制作方法

[发明专利]一种微型发光元件及其制备方法-CN202310195073.X在审
发明人：曲晓东;陈凯轩;崔恒平;李敏华;林志伟;罗桂兰;江土堆;赵斌;杨克伟 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明提供了一种微型发光元件及其制备方法，本发明提供的微型发光元件，包括基板及位于所述基板表面的若干个LED芯片；其中，所述基板具有若干个间隔分布的电极连接部件；所述LED芯片包括垂直结构LED芯片；所述垂直结构LED芯片横卧于所述基板表面，且所述垂直结构LED芯片的两极性电极分别与所述电极连接部件连接。同时，通过遮挡其余出光面，使光只通过一个面出射，实现了良好的发光形貌，呈朗伯分布。另外，基板表面的若干个LED芯片可以在芯片制作过程中通过晶圆级键合，实现若干个LED芯片的集成，避免了传统混光过程中的多次巨量转移，实现全彩化，并且可以突破现有芯片技术的尺寸限制，使得发光单元做得更小。
一种微型发光元件及其制备方法

[发明专利]一种LED芯片及其制备方法-CN202310214159.2在审
发明人：杨克伟;曲晓东;赵斌;尤翠萍;陈凯轩;李敏华 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：本发明提供一种LED芯片及其制备方法，通过提供一外延片，在外延片的表面沉积形成电荷平衡CB层，并得到图形化的CB图案和裸露的部分P‑GaN层；在裸露的部分P‑GaN层上制备反射镜；形成阻挡层；在阻挡层和提供的键合衬底上制备键合层；将完成制备键合层的外延片与键合衬底进行键合，并去除蓝宝石衬底；刻蚀去除蓝宝石衬底的外延片，形成满足配光需求的外延层结构，外延层结构的边缘为具有预设倾斜角度的侧壁；沉积绝缘PV层，并对PV层进行图形化使部分N‑GaN层裸露；在PV层和裸露的部分N‑GaN层上制备N电极。以此实现在制备过程中对LED芯片发光角度的调节的目的。
一种 led 芯片及其制备方法

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