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[发明专利]一种闪蒸加热煤粉制备烯烃的装置及方法-CN202310948168.4在审
发明人： 陈仙辉;李亚慧;夏维东 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B01J19/08 文献下载
摘要：本发明提供一种闪蒸加热煤粉制备烯烃的装置，包括脉冲电源以及反应室，还包括分别与脉冲电源正负极相连且其远离脉冲电源一端延伸至反应室内部并形成电场的电极件，所述反应室设有能够沿其内外侧形成气流通道的输送机构，所述脉冲式电源的电脉冲特征具体为：脉冲电流从0A上升至设定值所需要的时间小于10ms，脉冲宽度为20～500ms，脉冲电流设定值大小为0～500A。本发明中，利用闪光焦耳加热技术，高压电击技术实现低碳烯烃的制备，可使混合粉末在不到100ms的时间内达到3000K以上的温度，有效地将煤粉中的挥发分转化为低碳烯烃，实现煤的清洁高效转化与利用，制备简单可控，成本较低，同时本发明可搭载在其他结构上，转移性较好。
一种闪蒸加热制备烯烃装置方法

[发明专利]一种基于电弧等离子体炬产生高温煤气的方法-CN202310522434.7在审
发明人：夏维东;陈仙辉;王城;刘明侯;夏维珞 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C10J3/72 文献下载
摘要：本发明提供一种基于电弧等离子体炬产生高温煤气的方法，其包括以下步骤：从电弧等离子体炬的不同入口分别送入含碳粉末和至少一种载能工质；由载气携带含碳粉末周向均匀地进入电弧等离子体炬中的电弧通道；至少一种载能工质进入电弧等离子体炬后，穿过电弧通道壁上的流体通路而进入电弧通道中；在电弧通道中引发电弧而产生等离子体；载能工质和含碳粉末一起被等离子体加热，然后一起从电弧等离子体炬的喷嘴喷出。本发明采用载能工质对电弧通道壁进行发散冷却、蒸发冷却或管道壁附近吸热化学反应，直接吸收了等离子体的辐射和对流对管道壁的传热，大大提高了等离子体炬的热效率，且抑制含碳粉末气化物质在等离子体炬电弧通道管壁结焦。
一种基于电弧等离子体产生高温煤气方法

[发明专利]一种焦耳热耦合催化天然气和CO2-CN202310449003.2在审
发明人：包信和;郭晓光;潘秀莲;于洪飞;由灏盛;夏维东;陈仙辉 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C01B3/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种焦耳热耦合催化天然气和CO2干气重整制合成气的方法。该过程耦合焦耳热供热实现甲烷和二氧化碳高效共转化生成CO和H2的混合气，即合成气。本发明实现甲烷转化率为90‑98％；二氧化碳转化率为90‑98％；一氧化碳选择性99％；H2/CO＝0.5‑2可调；积碳低。本发明具有电热转化效率90％、用电功率低、催化剂寿命长、甲烷转化率和产物选择性高、积碳低、工业化难度小、过程重复性好、操作安全可靠等特点，具有广阔的工业应用前景。
一种焦耳耦合催化天然气 co base sub

[发明专利]一种基于天然气的多联产系统-CN202211624908.0在审
发明人： 陈仙辉;胡浩鑫;夏维东 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C07C2/76 文献下载
摘要：本发明涉及天然气技术领域，具体公开了一种基于天然气的多联产系统，包括依次连接的等离子体裂解反应器、急冷装置、换热器、袋滤器、吸收塔、第一水洗塔、解吸塔、第二水洗塔、膜分离器。本发明通过等离子体裂解反应器、膜分离器等多种设备的联用，将天然气经等离子体裂解、固气分离、膜分离等步骤获得高纯度的乙炔、氢气及石墨烯，能够实现天然气的高质量利用，同时简化了现有工艺流程、降低了生产过程安全隐患、减少了三废对环境的污染，解决了现有技术存在无法实现全流程工业化利用天然气生产乙炔和氢气并联产石墨烯的问题，具有显著的经济效益和推广应用价值。
一种基于天然气联产系统

[发明专利]用于铸造单晶硅的籽晶铺设方法、单晶硅锭及其铸造方法-CN202010354039.9有效
发明人：雷琦;何亮;李建敏;程小娟;邹贵付;甘胜泉;陈仙辉 -专利权人：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司;赛维LDK太阳能高科技（新余）有限公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种铸造单晶硅的籽晶铺设方法，包括：提供坩埚，在所述坩埚底部间隔铺设上下表面平整的垫片，形成垫片层；在所述垫片层上铺设至少一个支撑片，以形成覆盖所述垫片及其之间空隙的支撑片层；依次交替设置所述垫片层和支撑片层，以形成(AB)n排布形式的架空结构，其中，A为垫片层，B为支撑片层，n为大于或等于1的整数；在所述架空结构上铺设单晶硅籽晶，形成籽晶层。通过在籽晶层上设置价格便宜的架空结构，可以减少所用籽晶的数量、降低单晶硅的铸造成本，并降低所得单晶硅锭的尾部红区。本发明还提供了一种单晶硅锭及其铸造方法。
用于铸造单晶硅籽晶铺设方法及其

[发明专利]一种高熵金属纳米颗粒闪蒸制备装置、制备方法及应用-CN202211637699.3在审
发明人： 陈仙辉;李亚慧;夏维东 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： B22F1/054 文献下载
摘要：本发明实施例涉及纳米材料制备技术领域，具体公开了一种高熵金属纳米颗粒闪蒸制备装置、制备方法及应用，所述高熵金属纳米颗粒闪蒸制备装置包括脉冲式电源箱、绝缘高温反应管、第一高压电极以及第二高压电极，脉冲式电源箱分别通过第一高压电极与第二高压电极连接至绝缘高温反应管两端。本发明通过利用该电极对放置在绝缘高温反应管中的原料进行高压放电，有效地将非晶金属转化为高熵金属纳米颗粒，生产成本低，生产速度快，适用于工业化大规模生产，解决了现有高熵金属纳米颗粒传统制备技术存在无法高效地规模化生产高熵金属纳米颗粒的问题，而且本发明实施例提供的高熵金属纳米颗粒制备方法步骤简单，费用较低，具有广阔的市场前景。
一种金属纳米颗粒闪蒸制备装置方法应用

[发明专利]一种微通道气液两相放电固氮装置-CN202211482380.8在审
发明人： 陈仙辉;朱敏琛;夏维东;施丽蓉 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： B01J19/08 文献下载
摘要：本发明提供一种微通道气液两相放电固氮装置，包括供气系统以及供液系统，还包括微流体芯片以及介质阻挡放电系统，所述微流体芯片包括平面基底以及沿平面基底连通设置且分别与供气系统和供液系统相连的横向通道和纵向通道，其中，气液两相在纵向通道形成两相区域，所述介质阻挡放电系统包括沿两相区域微流体芯片叠加以形成电场的正极和负极。本发明的微通道放电大幅提高DBD放电能量密度，促进氮气离解；微通道产生稳定的气液两相流型，强化等离子体气泡团与液相的界面反应和物质传递，促进反应平衡向固氮方向移动，从而实现等离子体固氮能效的提升。
一种通道两相放电固氮装置

[发明专利]一种探究等离子体合成纳米材料生长演化的实验装置-CN202210958935.5有效
发明人： 陈仙辉;夏维东;夏维珞;施丽蓉 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G01N1/10 文献下载
摘要：本发明提供一种探究等离子体合成纳米材料生长演化的实验装置，包括等离子体发生器、反应器，取样机构用于采集不同生长演化阶段的纳米材料，取样机构包括若干个沿远离等离子体发生器方向依次连通设置在反应器法向的取样通道以及能够经取样通道伸入反应器内部以采集不同生长演化阶段纳米材料的收集组件。本发明利用收集组件依次经取样通道进入反应器内部对不同生长阶段的纳米材料进行采集，并放入透射电子显微镜观察，可直接的在线检测获得反应过程中不同生长阶段的产物，以直接获得纳米材料生长演化过程的证据，本发明利用等离子体发生器与取样机构联用，实现在线取样，可直接证明纳米材料的生长演化过程，而不是由结果推测纳米材料的形成过程。
一种探究等离子体合成纳米材料生长演化实验装置

[发明专利]一种求解器、放电及点火过程模拟方法和系统-CN202211270869.9在审
发明人： 陈仙辉 -专利权人：四川钧泰合众科技有限公司
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明涉及一种求解器、放电及点火过程模拟方法和系统，所述求解器由多物理场的方程基于Multi‑SPIS封装而成，求解器包括等离子体模块、传热模块和CFD流动模块。所述放电及点火过程模拟方法，其特征在于：包括以下步骤：S1，根据火花点火工况构建物理数学模型，确定计算域、定解条件和多物理场的方程及其输运系数；S2，对步骤S1所得的计算域、多物理场的方程进行离散，将步骤S1所得的定解条件输入上述的求解器进行迭代求解，迭代至收敛，得多物理场原始数据；S3，对步骤S2所得的多物理场原始数据进行数据处理和挖掘，得火花物理特性数据，并进行放电及点火过程的可视化展示。所述放电及点火过程模拟系统，包括前处理单元、数值计算单元和后处理单元。
一种求解放电点火过程模拟方法系统

[发明专利]一种六面砧压腔、其高压固态栅极调控方法和设备-CN202110438288.0在审
发明人：孙建平;雷彬;陈仙辉;程金光 -专利权人：中国科学院物理研究所;中国科学技术大学
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G01N27/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种六面砧压腔，所述六面砧压腔包括：空心圆柱体外壳、一对对称的具有45°斜面的导向块、沿三个坐标轴两两相对的一级压砧、置于所述一级压砧内的立方块，和固体电解质器件。还提供了其高压固态栅极调控方法和设备。本发明可以实现8GPa的静水压环境下器件的原位门电压调控，由于高压腔的体积较小，易于和低温以及强磁场环境相结合，可以实现原位实时多物理量在综合极端条件下的物性调控，对于进一步探索凝聚态物理中的本征奇异物理现象以及潜在的器件应用有很大的帮助。
一种六面砧压腔高压固态栅极调控方法设备

[发明专利]一种籽晶的铺设方法、单晶硅锭的铸造方法和单晶硅片-CN202010027396.4有效
发明人：雷琦;何亮;邹贵付;程小娟;陈仙辉;甘胜泉 -专利权人：新余赛维铸晶技术有限公司;江西新余新材料科技研究院
申请日： 2020-01-10 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：本申请提供了一种籽晶的铺设方法，包括：提供坩埚、多个第一籽晶和多个第二籽晶，所述第一籽晶和所述第二籽晶的生长面为同一晶向族，均为100；在所述坩埚底部交替拼接铺设所述第一籽晶和所述第二籽晶，形成籽晶层，其中，所述籽晶层包括至少一个2×2矩阵单元，在同一矩阵单元的对角线方向上的两个第一籽晶的生长面晶向相反，在同一矩阵单元的对角线方向上的两个第二籽晶的生长面的晶向相反，所述第一籽晶和所述第二籽晶的侧面晶向具有夹角。通过本申请提供的籽晶铺设方法，使得籽晶与其周围籽晶之间侧面晶向均存在夹角，在制备单晶硅过程中可以形成晶界，减少缺陷的发生和引晶时的位错源，降低位错密度，提高硅锭的质量。
一种籽晶铺设方法单晶硅铸造

[发明专利]固态氧离子导体基场效应晶体管及其制备方法-CN202110051784.0在审
发明人： 陈仙辉;雷彬;马东晖;刘仕豪 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型固态氧离子导体基场效应晶体管及其制备方法，其中，该场效应晶体管包括：衬底；栅介质层，位于衬底上，其中，栅介质层为固态氧离子导体薄膜；沟道层，覆盖于部分栅介质层上；源极和漏极，分别位于未被沟道层覆盖的栅介质层上以及部分沟道层上。
固态离子导体场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种热等离子体耦合催化天然气和CO2-CN202210119703.0在审
发明人：包信和;夏维东;郭晓光;陈仙辉;潘秀莲;于洪飞 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2022-02-08 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： B01J19/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种热等离子体耦合催化天然气和CO2干气重整制合成气的方法。该过程耦合热等离子体供热实现甲烷和二氧化碳高效共转化生成CO和H2的混合气，即合成气。本发明实现甲烷转化率为80‑96％；二氧化碳转化率为80‑98％；一氧化碳选择性99％；CO/H2≈1；积碳低。本发明具有电热转化效率90％、电极寿命长、催化剂寿命长、甲烷转化率和产物选择性高、积碳低、工业化难度小、过程重复性好、操作安全可靠等特点，具有广阔的工业应用前景。
一种等离子体耦合催化天然气 co base sub

[发明专利]铸锭单晶炉和铸锭单晶硅的制备方法-CN202011253772.8在审
发明人：何亮;邹贵付;毛伟;雷琦;罗鸿志;何新根;李小平;李建敏;程小娟;陈仙辉;甘胜泉 -专利权人：赛维LDK太阳能高科技（新余）有限公司;江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请日： 2021-04-14 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铸锭单晶炉和铸锭单晶硅的制备方法。包括炉体，所述炉体顶部设置有第一开口，所述第一开口中设置有进气装置；所述炉体内设置有隔热笼，所述隔热笼内设有热交换台，所述热交换台上设置有底板，所述底板设置在所述石英坩埚底部，所述底板与围设在所述石英坩埚外侧的护板相连，所述隔热笼内还设有侧边加热器，所述侧边加热器设置在所述护板外侧，所述护板上设置有盖板；所述炉体底部设有第二开口，所述第二开口内设置有旋转轴，所述旋转轴与所述热交换台相固定，所述旋转轴与所述炉体外的旋转驱动装置连接，其中，所述护板包含四块首尾相连的护板，所述四块护板都存在一边边缘设置有矩形缺口。采用铸锭单晶炉和该铸锭单晶硅的制备方法制备的铸锭单晶硅的杂质含量少，品质高。
铸锭单晶炉单晶硅制备方法

[发明专利]一种铸造类单晶用籽晶的重复利用方法-CN202010357713.9在审
发明人：何亮;何新根;雷琦;毛伟;徐云飞;周成;罗鸿志;程小娟;邹贵付;甘胜泉;陈仙辉 -专利权人：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司;赛维LDK太阳能高科技（新余）有限公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种铸造类单晶用籽晶的重复利用方法，包括：(1)将类单晶硅锭的开方尺寸相同的单晶硅籽晶拼接铺设在坩埚底部，形成籽晶层；并利用该籽晶层制得类单晶硅锭；(2)将类单晶硅锭的底面朝上，将底面上的籽晶拼接缝用缝隙标记线标出，并使其延伸至类单晶硅锭的四个侧面；对类单晶硅锭开方得到多个第一硅块，且在开方前使开方钢线与籽晶拼接缝对齐，将第一硅块对应坩埚底部和开口的两个端面打磨平整后，再切割掉其上的籽晶区域，得到回收后的多块单晶硅籽晶，并标记每块的类型；(3)将步骤(2)得到的籽晶按步骤(1)的方法进行再利用。该方法可实现籽晶的多次高质量重复利用，降低了铸造类单晶的籽晶成本。
一种铸造类单晶用籽晶重复利用方法

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