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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]太赫兹反射速调管及微米太赫兹反射速调管阵列-CN201510525276.6有效
发明人：柳鹏;陈丕瑾;李宗谦;周段亮;张春海;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2015-08-25 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01J25/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种太赫兹反射速调管，包括一电子发射单元、一谐振单元、一输出单元，所述电子发射单元用于发射电子；所述谐振单元包括一谐振腔体，该谐振腔体与所述电子发射单元相通，该电子发射单元发射的电子进入所述谐振腔体，所述谐振腔体与所述电子发射单元相对的另一腔体壁具有一耦合输出孔，所述输出单元通过所述耦合输出孔与所述谐振单元相通，所述谐振单元中产生的太赫兹波通过所述耦合输出孔传输到所述输出单元。本发明进一步涉及一种微米太赫兹反射速调管阵列。
电子发射单元谐振单元谐振腔体输出单元耦合输出相通发射电子太赫兹波体壁传输发射

[发明专利]一种基于太赫兹波的检测系统-CN201610386012.1在审
发明人：柳鹏;陈丕瑾;李宗谦;雷有华;张春海;周段亮;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2016-06-03 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： G01N21/3586 文献下载
摘要：本发明涉及一种检测设备，其包括一太赫兹波发射源，一探测器，以及一分别与该太赫兹波发射源和探测器连接的控制电脑；所述太赫兹波发射源包括一太赫兹反射速调管，其中，所述太赫兹反射速调管包括一电子发射单元、一谐振单元、一输出单元，所述电子发射单元用于发射电子；所述谐振单元包括一谐振腔体，该谐振腔体与所述电子发射单元相通，该电子发射单元发射的电子进入所述谐振腔体，所述谐振腔体与所述电子发射单元相对的腔体壁具有一耦合输出孔，所述输出单元通过所述耦合输出孔与所述谐振单元相通，所述谐振单元中产生的太赫兹波通过所述耦合输出孔传输到所述输出单元。
一种基于赫兹检测系统

[发明专利]反射式速调管及电子发射装置-CN201410288346.6有效
发明人：柳鹏;陈丕瑾;周段亮;张春海;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2014-06-25 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：一种反射式速调管包括电子发射装置，电子发射装置包括一电子发射结构和一电子反射结构相对设置，其中，该电子反射结构包括反射极、第二栅网；该电子发射结构包括阴极、电子引出极、电子发射体、第一栅网，其中，该电子发射体与所述阴极电连接，该电子引出极具有一通孔对应所述电子发射体，所述电子发射体包括多个子电子发射体，每个子电子发射体具有一电子发射端，每一电子发射端至电子引出极的所述通孔的侧壁的最短距离基本一致，每一电子发射端与反射极之间的距离大于等于10微米小于等于200微米，所述反射式速调管内的压强小于等于100帕。本发明还提供一种电子发射装置。
反射速调管电子发射装置

[发明专利]场发射阴极装置及场发射器件-CN201210518136.2有效
发明人：柳鹏;张春海;周段亮;杜秉初;郭彩林;陈丕瑾;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2012-12-06 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：一种场发射阴极装置，包括：一阴极电极；一电子发射体，该电子发射体与所述阴极电极电连接；一电子引出极，该电子引出极通过一绝缘隔离层与所述阴极电极电绝缘且间隔设置，该电子引出极具有一通孔对应所述电子发射体；所述电子发射体包括多个子电子发射体，每个子电子发射体远离阴极电极的一端至电子引出极所述通孔的侧壁的最短距离基本一致。本发明还涉及利用所述场发射阴极装置的场发射器件。
发射阴极装置器件

[发明专利]场发射装置-CN201310031010.7有效
发明人：柳鹏;周段亮;陈丕瑾;胡昭复;郭彩林;杜秉初;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2010-05-20 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01J3/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种场发射装置，其包括：一绝缘基底；一电子引出电极，该电子引出电极设置于该绝缘基底的一表面；一二次电子发射层，该二次电子发射层设置于该电子引出电极的表面；一阴极电极，该阴极电极通过一第一绝缘隔离层与该电子引出电极间隔设置，所述电子引出电极设置在阴极电极与绝缘基底之间，该阴极电极具有一表面至少部分与该电子引出电极面对设置，该阴极电极具有一第一开口，该第一开口定义一电子出射部；一电子发射层，该电子发射层设置在阴极电极面对该电子引出电极设置的部分表面；一阳极电极，该阳极电极与阴极电极间隔设置，且所述阴极电极设置在电子引出电极与阳极电极之间。
发射装置

[发明专利]电离规-CN201110333503.7有效
发明人：柳鹏;周段亮;张春海;齐京;陈丕瑾;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2011-10-28 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01J41/02 文献下载
摘要：本发明提供一种电离规，用于测量具有导体外壳的真空系统的真空度，该电离规包括阴极装置、阳极装置和离子收集装置，所述阴极装置与所述离子收集装置设置于所述阳极装置的两侧并与所述阳极装置间隔设置，所述阴极装置进一步包括电子发射体，所述电子发射体延伸向所述阳极装置并与所述阳极装置间隔设置，其特征在于，所述电子发射体包括至少一个碳纳米管线，所述电离规直接设置在待测真空系统的导体外壳中。
电离

[发明专利]场发射阴极装置及场发射显示器-CN201010618382.6有效
发明人：柳鹏;周段亮;陈丕瑾;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01J29/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种场发射阴极装置，所述场发射阴极装置包括：一绝缘基板，该绝缘基板具有一表面；一第一电极与一第二电极相互间隔地设置于所述绝缘基板的所述表面；一阴极发射体，该阴极发射体与所述第一电极电连接；所述场发射阴极装置进一步包括一次级电子发射材料，所述次级电子发射材料至少部分设置于所述第一电极和第二电极之间，且所述阴极发射体与所述次级电子发射材料相对且间隔设置。本发明还涉及采用上述场发射阴极装置的场发射显示器。
发射阴极装置显示器

[发明专利]场发射装置的制备方法-CN201010178171.5有效
发明人：柳鹏;周段亮;陈丕瑾;胡昭复;郭彩林;杜秉初;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2010-05-20 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种场发射装置的制备方法，其包括以下步骤：提供一绝缘基底；在绝缘基底的一表面形成一电子引出电极；在电子引出电极的表面形成一二次电子发射层；在绝缘基底表面形成一第一绝缘隔离层，该第一绝缘隔离层具有一第二开口以使得二次电子发射层的表面通过该第二开口暴露；提供一阴极电极板，该阴极电极板具有一第一开口，并在该阴极电极板的部分表面形成一电子发射层；以及将阴极电极板组装于第一绝缘隔离层相对于绝缘基底的另一表面，使第一开口与第二开口至少部分交叠设置以定义一电子出射部，并使得电子发射层至少部分设置在第一绝缘隔离层的第二开口处并面对电子引出电极设置。
发射装置制备方法

[发明专利]场发射装置-CN201010178218.8有效
发明人：柳鹏;周段亮;陈丕瑾;胡昭复;郭彩林;杜秉初;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2010-05-20 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01J3/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种场发射装置，其包括：一绝缘基底；一电子引出电极，该电子引出电极设置于该绝缘基底的一表面；一二次电子发射层，该二次电子发射层设置于该电子引出电极的表面；一阴极电极，该阴极电极通过一第一绝缘隔离层与该电子引出电极间隔设置，所述电子引出电极设置在阴极电极与绝缘基底之间，该阴极电极具有一表面至少部分与该电子引出电极面对设置，该阴极电极具有一第一开口，该第一开口定义一电子出射部；一电子发射层，该电子发射层设置在阴极电极面对该电子引出电极设置的部分表面；一栅极电极，该栅极电极与阴极电极绝缘设置，且所述阴极电极设置在电子引出极与栅极电极之间。
发射装置

[发明专利]热电发电装置-CN200910105490.0有效
发明人：柳鹏;赵文美;潜力;刘亮;陈丕瑾;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
申请日： 2009-02-20 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： H02N11/00 文献下载
摘要：一种热电发电装置，其包括：一集热器，该集热器包括至少一吸热结构；一热电转换装置，该热电转换装置与该集热器的吸热结构相对设置，该集热器的吸热结构吸收热量并将所吸收的热量传递给该热电转换装置，其中，所述吸热结构包括至少一碳纳米管结构。所述热电发电装置采用碳纳米管结构作吸热结构，利用碳纳米管结构良好的吸热特性，可提高集热器的能量吸收效率，从而使得该热电发电装置的热电转换效率相对于现有技术显著提高。
热电发电装置

[发明专利]真空器件的封接方法-CN200810067909.3有效
发明人：郭彩林;柳鹏;陈丕瑾;杜秉初;刘亮;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
申请日： 2008-06-18 - 公布日： 2009-12-23 - 主分类号： H01J9/26 文献下载
摘要：一种真空器件的封接方法，其包括以下步骤：提供一预封接器件，所述预封接器件包括一壳体以及一排气孔设置于该壳体上；制备一密封件，并对该密封件进行真空熔炼处理；将所述密封件设置于预封接器件的排气孔上，并对预封接器件进行抽真空处理；通过密封件对预封接器件的排气孔进行封接，形成一封接好的真空器件。
真空器件方法

[发明专利]真空器件的封接装置以及封接方法-CN200810067428.2有效
发明人：柳鹏;陈丕瑾;杜秉初;郭彩林;刘亮;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
申请日： 2008-05-23 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： H01J9/26 文献下载
摘要：一种真空器件的封接装置，其包括：一真空室；一前容置室与一后容置室分别通过第一闸门与第二闸门与该真空室两端相连通；一抽真空系统分别与该前容置室、后容置室以及真空室相连通；至少一运输装置，可于前容置室、真空室以及后容置室之间运动；其中，该真空器件的封接装置进一步包括：一装有多个密封件的外置容器设置于所述真空室上方，该外置容器通过一输入管道与真空室相连通，所述输入管道上设有控制部件；一第一加热装置设置于输入管道与第二闸门之间的真空室内壁上。
真空器件装置以及方法

[发明专利]真空器件的封接装置以及封接方法-CN200810067427.8有效
发明人：柳鹏;陈丕瑾;杜秉初;郭彩林;刘亮;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
申请日： 2008-05-23 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： H01J9/26 文献下载
摘要：一种真空器件的封接装置，其包括：一真空室；一前容置室与一后容置室，且该前容置室与后容置室分别通过一第一闸门与一第二闸门与该真空室两端相连通；一抽真空系统分别与该前容置室、后容置室以及真空室相连通；至少一运输装置，可于前容置室、真空室以及后容置室之间运动；其中，该真空器件的封接装置进一步包括：一低熔点玻璃粉熔炉设置于所述真空室上方，该低熔点玻璃粉熔炉通过一输入管道与真空室相连通，所述低熔点玻璃粉熔炉上设有一控制部件；一第一加热装置设置于输入管道与第二闸门之间的真空室内壁上。
真空器件装置以及方法

[发明专利]真空器件的封接方法-CN200810067170.6无效
发明人：柳鹏;陈丕瑾;郭彩林;杜秉初;刘亮;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
申请日： 2008-05-14 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： H01J9/26 文献下载
摘要：一种真空器件的封接方法，其包括以下步骤：提供一预封接器件，所述预封接器件包括一壳体以及一设置于该壳体上的排气孔；提供一封接盖，并在该封接盖的一表面形成一低熔点玻璃粉层；将所述封接盖形成有低熔点玻璃粉层的一面对应于排气孔，且与排气孔间隔一定距离设置；对上述预封接器件进行抽真空；加热软化该低熔点玻璃粉层，使封接盖封住排气孔；以及降温凝固，使上述封接盖与预封接器件结合。
真空器件方法

[发明专利]太阳能集热器-CN200810066751.8有效
发明人：柳鹏;陈丕瑾;刘亮;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
申请日： 2008-04-18 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： F24J2/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能集热器，该太阳能集热器包括一上基板、一下基板、一吸热层、一边框支架和多个支撑物。所述上基板和所述下基板相对设置。所述边框支架设置于所述上基板和下基板之间。所述上基板、下基板及边框支架共同构成一空腔。所述吸热层设置于所述下基板位于所述空腔内的上表面。所述多个支撑物间隔地设置于所述空腔内，并分别与所述上基板和吸热层相接触。所述吸热层为一碳纳米管复合材料层。
太阳能集热器

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