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[发明专利]磁介质中的软磁衬层和基于软磁合金的溅射靶-CN200610115011.X无效
发明人：迈克尔·吉恩·拉辛;阿尼尔班·达斯;史蒂文·罗杰·肯尼迪 -专利权人：黑罗伊斯公司
申请日： 2006-08-18 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁记录介质，其包括基片、沉积在基片上的衬层和沉积在衬层上的磁数据记录层，该衬层由包含至少一种软铁磁元素和至少一种阻蚀剂元素的软磁合金组成，该阻蚀剂元素选自由铬(Cr)、钨(W)、钼(Mo)、碳(C)、铜(Cu)、镍(Ni)、锰(Mn)、氮(N)、钛(Ti)、铌(Nb)、硅(Si)、钽(Ta)和铝(Al)组成的组。还提供了一种由软磁合金组成的溅射靶，并且该软磁合金也用于磁记录头上的软磁层。
介质中的软磁衬层基于合金溅射

[发明专利]钌合金磁介质和溅射靶-CN200610101579.6无效
发明人： 阿尼尔班·达斯;迈克尔·吉恩·尔西纳 -专利权人：黑罗伊斯公司
申请日： 2006-07-12 - 公布日： 2007-08-22 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：本发明提供一种具有包括钌(Ru)和成合金元素的底层的磁性记录介质。当成合金元素在HCP Ru相中具有很小的固溶度或没有固溶度并且以超过该溶解度的量存在时，成合金元素可用于晶粒细化。当成合金元素在HCP Ru相中具有一定的固溶度并且以不超过该溶解度的量存在时，成合金元素可用于减少晶格错配。当成合金元素在HCP Ru相中具有一定的固溶度并且以超过该溶解度的量存在时，成合金元素可以同时用于晶粒细化和减少晶格错配。或者底层可以包括钌和两种成合金元素，一种用于晶粒细化，另一种用于减少晶格错配。本发明还提供了一种包括钌和成合金元素的溅射靶。
合金介质溅射

[发明专利]用于薄膜的增强型氧非理想配比补偿-CN200510120336.2有效
发明人：迈克尔·吉恩·拉辛;阿尼尔班·达斯;史蒂文·罗格·肯尼迪;程远达 -专利权人：黑罗伊斯有限公司
申请日： 2005-11-08 - 公布日： 2006-12-27 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种制造磁记录介质的方法，包括步骤：由溅射靶在衬底上反应性或非反应性地溅射至少第一数据存储薄膜层。溅射靶包括：钴(Co)、铂(Pt)、包括第一金属和氧(O)的第一金属氧化物以及非反应性溅射时的第二金属氧化物。第一数据存储薄膜层包括钴(Co)、铂(Pt)、包括第一金属和氧(O)的理想化学配比的第三金属氧化物。在溅射过程中，第一数据存储薄膜层中第三金属氧化物的任何非理想化学配比通过使用溅射靶中第二金属氧化物的氧(O)或者使用富氧气氛中的氧(O)来补偿。第一金属从硼(B)、硅(Si)、铝(Al)、钽(Ta)、钕(Nb)、铪(Hf)、锆(Zr)、钛(Ti)、锡(Sn)、镧(La)、钨(W)、钴(Co)、钇(Y)、铬(Cr)、铈(Ce)、铕(Eu)、钆(Gd)、钒(V)、钐(Sm)、镨(Pr)、锰(Mn)、铱(Ir)、铼(Re)、镍(Ni)和锌(Zn)中选取。溅射靶还包括铬(Cr)和/或硼(B)。
用于薄膜增强型氧非理想配比补偿