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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]P族多元化合物双温区合成容器及装置-CN201120095554.6无效
发明人：陶绪堂;张国栋;王善朋;施琼;阮华棚;蒋民华 -专利权人：山东大学
申请日： 2011-04-02 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： B01J19/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种P族多元化合物的双温区合成容器及装置，合成容器由可真空密封的石英管和料舟组成。石英管为一端封口的厚壁石英管，距封口端依次设有石英挡板a和石英挡板b。石英管的开口端有便于真空封结的石英销。合成装置包括合成容器、炉体和温度控制单元。炉体的加热元件为两组上下两层并排的硅碳棒。本实用新型装置具有合成容器便于真空封结，炉体升温温度高，控温精确且稳定的优点，解决了高熔点高分解压P族多元化合物合成过程中坩埚易爆，多晶料易与石英容器壁粘连或反应的问题。
多元化合物双温区合成容器装置

[发明专利]磷硅镉多晶料的双温区合成方法及装置-CN201110083468.8无效
发明人：陶绪堂;张国栋;王善朋;施琼;阮华棚;蒋民华 -专利权人：山东大学
申请日： 2011-04-02 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： C30B28/02 文献下载
摘要：本发明涉及磷硅镉多晶料的双温区合成方法及装置，将单质原料按硅∶镉∶磷＝1∶1∶2～2.05配料，将磷放入双温区石英管的一端，将硅和镉放入合成料舟中后装入双温区石英管的另一端，将双温区石英管抽真空后封结；分别使双温区炉的两个温区升温、保温、降温，可制备出高纯度的磷硅镉多晶料，用作高质量磷硅镉单晶生长料。
磷硅镉多晶双温区合成方法装置

[发明专利]磷硅镉多晶料的合成方法-CN201110083363.2无效
发明人：陶绪堂;张国栋;王善朋;施琼;阮华棚;蒋民华 -专利权人：山东大学
申请日： 2011-04-02 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： C30B28/02 文献下载
摘要：本发明涉及磷硅镉多晶料的合成方法，按硅∶镉∶磷＝1∶1∶2～2.05摩尔比，将纯度为99.999％的磷、硅、镉三种单质原料装入合成坩埚中，将合成坩埚装入石英管中；抽真空后封结石英管；将石英管装入单温区合成炉中，使单温区炉升温、保温，合成完成后降至室温，打开合成坩埚即得到磷硅镉多晶料。本发明方法可以制备出高纯度的磷硅镉多晶料，用于高质量的磷硅镉单晶生长。
磷硅镉多晶合成方法

[发明专利]磷硅镉单晶的生长方法-CN201110083331.2无效
发明人：陶绪堂;张国栋;王善朋;施琼;阮华棚;蒋民华 -专利权人：山东大学
申请日： 2011-04-02 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及磷硅镉的单晶生长方法。按硅∶镉∶磷＝1∶1∶2～2.05配料合成磷硅镉多晶料，采用坩埚下降炉，通过自发形核生长法或定向籽晶生长法进行生长。步骤包括：将磷硅镉多晶料直接装入坩埚中，或者加入籽晶后再装入坩埚中；将坩埚置入石英管中，抽真空后封结石英管；将石英管装入坩埚下降炉中；升温、坩埚下降、最后降温。本发明方法可制备出高纯度、高质量的磷硅镉单晶。
磷硅镉单晶生长方法

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