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[发明专利]一种高强度高导电性能铜合金及其制备方法-CN201410141496.4无效
发明人： 阙仲萍;郝小宁;钟锡才;陈津;郭丽娜;赵晶;李保明 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2014-04-02 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： C22C9/06 文献下载
摘要：本发明提供一种高强度高导电性能铜合金及其制备方法，属于铜合金材料技术领域，其特征在于含有1.5～5.0wt.％的Ni，0.5～3.0wt.％Ti，Ni和Ti的含量之比为0.5～5.0，剩余部分由Cu及不可避免杂质构成。该方法的具体步骤为：将纯铜、纯钛、纯镍、纯镁、纯锌、纯锡按照配比在感应炉中熔炼并在金属模具中浇铸获得坯料。对退火后的坯料进行热轧和冷轧变形处理，最后进行时效处理。Ti元素在该种铜合金中起到了明显的晶粒细化作用；同时Ti与Cu和Ni形成化合物，在短时间内时效获得高体积分数的弥散细小第二相，从而达到沉淀强化和净化基体强化的效果。
一种强度导电性能铜合金及其制备方法

[发明专利]一种高碳铬铁的快速冷却脱碳方法-CN201310149036.1无效
发明人：陈津;阙仲萍;赵晶;张猛;郝赳赳;林万明;郭丽娜 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2013-04-26 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： C22C35/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种高碳铬铁的快速冷却脱碳方法，是针对高碳铬铁含碳量高的弊端，采用在高碳铬铁熔炼浇铸过程中进行快速冷却析出石墨，制成铸锭，然后进行破碎、球磨、制粉，用微波加热法脱除析出的石墨颗粒，制得含碳量低的铬铁粉，此方法工艺先进，数据翔实精确，先用快速冷却法析出石墨，经粉碎、微波加热去除石墨颗粒，脱碳效果好，可使高碳铬铁的含碳量≤3%，是十分理想的高碳铬铁的脱碳方法。
一种高碳铬铁快速冷却脱碳方法

[发明专利]一种铝用低温软钎料及其制备方法-CN201210190296.9有效
发明人：丁敏;张培磊;胡连海;李黎忱;程伟丽;阙仲萍 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2012-06-11 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： B23K35/26 文献下载
摘要：一种铝用低温软钎料及其制备方法，属于焊接技术领域。其特征在于其组分及其质量百分比为：SnPb共晶合金90～92％、AgCu共晶合金1.5～2％、Zn元素6～10％和Bi元素0.5～1％。本发明采用钢模缓冷制备Sn～Pb～Zn钎料，并用于润湿或连接铝及铝合金，保证良好的钎焊工艺性和接头力学性能。最大接头强度可达20MPa，该强度比现有方法制备的铝合金接头强度要大，而且工艺更简单,无需中间层。本发明采用AgCu共晶、Zn和Bi元素，使得钎料的液相线基本不变，通过钢模快冷工艺制备的钎料其熔化区间很窄，钎料熔化均匀，合金元素的扩散能力强，所以采用钢模制备的钎料润湿性较好。
一种铝用低温软料及制备方法

[发明专利]一种高强度反向挤压Mg-Sn基合金及其制备方法-CN201210126803.2有效
发明人：程伟丽;阙仲萍;许春香;张金山;林飞;梁伟 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2012-04-27 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： C22C23/00 文献下载
摘要：一种高强度反向挤压Mg-Sn基合金及其制备方法，属于镁合金材料技术领域，其特征在于Mg-Sn基合金的组分及其重量百分比为：Mg83.4~88.8%,Sn8~10%,Al1~3%,Zn1~3%,Na0.2~0.6%，纯度大于99.9%，该方法的具体步骤为：在CO2+SF6保护气氛下，采用中频熔炼获得坯料，坯料经过不同预处理工艺后获得不同形貌和位向的初始第二相，随后对预处理后的坯料进行同步冷却反向挤压。该反向挤压镁合金具有弥散分布的亚微米级和纳米级增强相以及微米级细晶组织，成形温度低，强度高，成形温度降低约30%和45%，强度提高约110%和35%。
一种强度反向挤压 mg sn 合金及其制备方法

[发明专利]一种Cu-Ni-Si基合金及其制备方法-CN201210181988.7无效
发明人： 阙仲萍;程伟丽;陈津;张金山;林万明;梁伟;丁敏 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2012-06-05 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： C22C9/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高强度高导电性能Cu-Ni-Si基合金及其制备方法，属于铜合金材料技术领域，其特征在于Cu-Ni-Si-V合金的组分及其重量百分比为：Cu95.5~97.5%,Ni2.0~3.0%,Si0.5~1.2%,V0~0.3%，该方法的具体步骤为：将纯铜、纯硅、纯镍、纯钒按照配比在感应炉中熔炼并在金属模具中浇铸获得坯料。对热轧和冷轧变形处理后的坯料进行时效和固溶处理。实验结果表明：添加合金元素V对Cu-Ni-Si合金由明显的晶粒细化作用；且添加适量的V（0.086wt.%）可以大幅提高合金的导电性，同时只伴随硬度的微量下降，即将合金的综合性能从电导率41.4%IACS，硬度195.7Hv提高到电导率60%IACS，硬度值205Hv；且添加0.086wt.%V的合金析出的弥散细小的第二相体积分数是未添加V之前合金的两倍。
一种 cu ni si 合金及其制备方法