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[发明专利]一种蓝宝石坩埚和制备铊系高温超导薄膜的方法-CN201910439057.4有效
发明人：季鲁;梁雪连;邢建;阎少林 -专利权人：南开大学
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明涉及超导材料技术领域，具体涉及一种蓝宝石坩埚和制备铊系高温超导薄膜的方法。本发明提供的蓝宝石坩埚包括蓝宝石上盖和蓝宝石底座；所述蓝宝石上盖的中间区域设置有圆形凹槽，所述圆形凹槽的顶面为弧面；所述蓝宝石底座的中间区域设置有圆柱形凹槽，所述圆柱形凹槽的底面为弧面；其中，所述圆形凹槽和圆柱形凹槽同轴心。本发明提供的蓝宝石坩埚的蓝宝石上盖中圆形凹槽的顶面为弧面，且蓝宝石底座中圆柱形凹槽的底面为弧面，保证含铊先驱膜样品中间部分的空间相对于边缘部分更大，这样可以使含铊先驱膜样品处于均匀的Tl2O蒸气氛围中，保证所得铊系高温超导薄膜具有均一的结晶和超导特性，尤其适合大尺寸铊系高温超导薄膜的制备。
一种蓝宝石坩埚制备高温超导薄膜方法

[实用新型]一种蓝宝石坩埚-CN201920758826.2有效
发明人：季鲁;梁雪连;邢建;阎少林 -专利权人：南开大学
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及超导材料技术领域，具体涉及一种蓝宝石坩埚。本实用新型提供的蓝宝石坩埚包括蓝宝石上盖和蓝宝石底座；所述蓝宝石上盖的中间区域设置有圆形凹槽，所述圆形凹槽的顶面为弧面；所述蓝宝石底座的中间区域设置有圆柱形凹槽，所述圆柱形凹槽的底面为弧面；其中，所述圆形凹槽和圆柱形凹槽同轴心。本实用新型提供的蓝宝石坩埚的蓝宝石上盖中圆形凹槽的顶面为弧面，且蓝宝石底座中圆柱形凹槽的底面为弧面，保证含铊先驱膜样品中间部分的空间相对于边缘部分更大，这样可以使含铊先驱膜样品处于均匀的Tl
蓝宝石圆形凹槽弧面本实用新型圆柱形凹槽底座上盖坩埚高温超导薄膜中间区域先驱膜底面顶面铊系超导材料超导特性蒸气氛围同轴心形凹槽中圆柱均一制备保证

[发明专利]一种具有多传输零点的小型化超导滤波器-CN201110443910.3无效
发明人：何明;乔忍;夏侯海;阎少林;方兰;赵新杰;季鲁;张旭 -专利权人：南开大学
申请日： 2011-12-27 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01P1/203 文献下载
摘要：一种具有多传输零点的小型化超导滤波器，保证滤波器通带内线性相位特性、通带外高陡峭度的同时，实现滤波器尺寸的小型化。本发明由3组，各组内数目为4的微带谐振器级联组成，单个谐振器由交叉指慢波结构和回形针谐振结构构成，每组内的两个谐振器间有非接触耦合微带线，第四个和第七个谐振器实现共用节点交叉耦合结构。构成滤波器的每个谐振器的有效长度为1/2波长，滤波器的衬底材料为MgO。本发明采用的共用节点交叉耦合结构可以将现有的实现六个传输零点需要的谐振器个数由12减少为10，实现整体尺寸的进一步小型化，解决具有多传输零点的滤波器尺寸过大问题。因此此种滤波器结构更适用于制作高性能指标具有多传输零点的超导滤波器。
一种具有传输零点小型化超导滤波器

[发明专利]基于星型耦合结构的高温超导三工器-CN201110443692.3无效
发明人：何明;夏侯海;乔忍;阎少林;方兰;赵新杰;季鲁;张旭 -专利权人：南开大学
申请日： 2011-12-27 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： H01P5/12 文献下载
摘要：针对超导多工器小型化要求，采用一种星型耦合结构将各信道滤波器合并起来，消除各信道滤波器合并带来的冗余电纳的影响，解决多工器与前级器件阻抗难以匹配的问题。本发明三工器由三个信道的滤波器并联组成，在输入端采用方形开路环型微带线谐振器实现星型结；三个滤波器集成在同一片高温超导薄膜上，并呈‘⊥’形分布；单个滤波器由‘L’形谐振器组成。超导三工器的衬底材料为LaAlO3、MgO或者Al2O3。本发明三工器的各信道输入端采用星型结耦合起来，实现三工器与前级器件阻抗完全匹配；此外单个滤波器结构简单，兼有易于仿真的优点。因此这种多工器结构非常适合制作通带内隔离度高、通带外陡峭度高的线性相位超导三工器。
基于耦合结构高温超导三工器

[发明专利]在单晶衬底上制备CeO₂隔离层薄膜的方法-CN200810052101.8无效
发明人： 阎少林;谢清连;赵新杰;方兰 -专利权人：南开大学
申请日： 2008-01-18 - 公布日： 2008-11-05 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：本发明涉及在单晶衬底上制备CeO₂隔离层薄膜的方法。本发明是采用两步方法制备CeO₂隔离层薄膜：先在单晶衬底上低温淀积一层CeO₂薄膜，然后在高温下再淀积一层CeO₂薄膜，两次淀积的薄膜结合在一起构成CeO₂隔离层薄膜。在制作高温超导薄膜过程中，采用本发明制作的CeO₂隔离层薄膜能有效地隔离单晶衬底材料与高温超导薄膜之间的互扩散，并调整与高温超导薄膜之间的晶格匹配，以获得外延生长和平整表面形貌，以及高性能的高温超导薄膜。
衬底制备 ceo sub 隔离薄膜方法

[发明专利]适用于制作线性相位超导滤波器的谐振器组-CN200710150114.4无效
发明人：方兰;左涛;阎少林;赵新杰;冯鸿辉 -专利权人：南开大学
申请日： 2007-11-09 - 公布日： 2008-04-09 - 主分类号： H01P7/08 文献下载
摘要：一种适用于制作高指标线性相位超导滤波器的谐振器组，解决寄生耦合影响较大且不易消除，以及仿真设计较为困难的问题。本发明由四个谐振器级联组成，单个谐振器是整体呈“”形状的微带谐振器，四个微带谐振器于上下左右四角处缺口向内呈口字形布置。构成谐振器组的每个微带谐振器的有效长度为1/2波长，两臂等长或不等长。谐振器组的衬底材料为LaAlO₃、MgO或者蓝宝石。本发明谐振器组的结构使得非相邻谐振器的间距增大，从而很好消除它们之间寄生耦合的影响；此外其结构内不需附加跨线，兼有易于仿真设计的特点。因此此种谐振器组更适用于制作高性能指标的线性相位超导滤波器。
适用于制作线性相位超导滤波器谐振器

[发明专利]电调谐高温超导滤波器-CN200710150117.8无效
发明人：方兰;左涛;阎少林;冯鸿辉;赵新杰 -专利权人：南开大学
申请日： 2007-11-09 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：一种电调谐高温超导滤波器。包括屏蔽盒，衬底及其上由超导薄膜制成的谐振器、由屏蔽盒上盖插入并且固定在屏蔽盒上盖上的螺杆及其下端安装的电调变容二极管，电调变容二极管位于各个谐振器的上方并贴近于谐振器，变容二极管的引线由螺杆引出，用于外接控制电压。电调变容二极管的电容值可以在较宽的范围里变化，因而本发明具有较宽的调谐范围，且是电压调谐，其调谐速度快。螺杆固定在上盖上，结构稳定，避免了机械调谐高温超导滤波器中调谐螺杆不易固定、容易松动的问题。此类电调滤波器便于调节、重复性好、状态稳定、克服了机械调谐超导滤波器的技术缺陷。此外，此类电调谐滤波器还具有加工简单的特点。
调谐高温超导滤波器

[发明专利]高温超导微波滤波群时延均衡器-CN200510013239.3无效
发明人：贾颖新;王建伟;阎少林;冯洪辉 -专利权人：南开大学
申请日： 2005-03-24 - 公布日： 2005-09-21 - 主分类号： H04B7/005 文献下载
摘要：本发明涉及模拟信号处理和通信技术，特别是涉及高温超导滤波器的群时延均衡技术，应用于高温超导薄膜的微波技术领域。它是由高温超导微带滤波器，3dB混合耦合器与两个单端口反射滤波器构成，为平面微带结构，它适用于对卫星接收系统射频前端或者移动通信系统中基站接收前端的高温超导滤波器进行相位均衡，减小相位失真。本发明的有益效果：能够最大程度的实现滤波器的群时延均衡，设计和调整独立于所要均衡的滤波器。只需要根据所要均衡的滤波器的群时延特性对单端口反射滤波器进行调整，最终实现滤波器的均衡。进一步的小型化，集成在同一介质基片上，这样比利用两个器件(滤波器与均衡器)进行级联具有更小的插入损耗，并且性能更加稳定。
高温超导微波滤波群时延均衡器

[发明专利]测量超导薄膜表面电阻的方法及其装置-CN200410019248.9无效
发明人： 阎少林;张旭;冯洪辉 -专利权人：南开大学
申请日： 2004-05-19 - 公布日： 2005-02-16 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种测量表面电阻的方法及其装置，用于检测金属材料、超导薄膜材料、尤其是用于检测高温超导薄膜材料的表面电阻的方法及测量装置，属于电子技术领域。它采用了一端短路而另一端处于开放状态的介质加载谐振器。通过分别对两个材料相同、长度一样、直径不等的介质圆柱组成的微波介质加载谐振腔的测量，可以确定除测试样品以外其它损耗所对应的系统品质因数值Q_r，进而对被测样品进行测量，可得到被测样品的表面电阻R_s。测量过程简单、快捷、测试结果精度高，解决了以往测量表面电阻的局限性，如测量样品被破坏，或测量中需要多片样品，或测量中需要依赖校准件。实现了非损伤性单片超导薄膜表面电阻的绝对测量。
测量超导薄膜表面电阻方法及其装置

[发明专利]铊系高温超导薄膜材料及其制备方法-CN03144207.2无效
发明人： 阎少林;方兰;何明;路荣涛 -专利权人：南开大学
申请日： 2003-08-29 - 公布日： 2004-07-28 - 主分类号： H01L39/12 文献下载
摘要：本发明涉及Tl₂Ba₂CaCu₂O₈ (Tl－2212)超导材料薄膜及其制备方法。Tl－2212超导薄膜超导转变温度高于100K；77K温度下临界电流密度大于10⁶A/cm²；77K温度下、10GHz频率时的表面电阻小于1mΩ。Tl－2212超导材料薄膜的厚度在10nm－1000nm之间。本发明主要是采用两步方法制作Tl－2212外延超导薄膜：第一步，在衬底基片上淀积Tl－Ba－Ca－Cu－O非晶先驱薄膜；第二步，高温热处理，使Tl－Ba－Ca－Cu－O非晶先驱薄膜转变为超导薄膜。本发明解决了大面积双面Tl－2212外延超导薄膜的制备方法。本发明制作的Tl－2212外延超导薄膜可用来制作微波无源器件或其他超导电子器件。
高温超导薄膜材料及其制备方法

[发明专利]高温超导薄膜衬底台阶本征约瑟夫森结阵及其制备方法-CN96113183.7无效
发明人： 阎少林 -专利权人：南开大学
申请日： 1996-10-31 - 公布日： 2003-06-11 - 主分类号： H01L39/22 文献下载
摘要：高温超导薄膜衬底台阶本征约瑟夫森结阵及其制备方法。涉及高温超导材料中的约瑟夫森结器件领域。解决了制备高温超导薄膜本征约瑟夫森结的技术问题。在小角度台阶衬底上外延生长高温超导薄膜，将超导薄膜在跨越台阶处刻蚀成微桥。本发明是利用高温超导材料本身固有的层间约瑟夫森效应提出了约瑟夫森结的一种新结构及制备方法。该结构可单独作为超导器件使用，也可组合成SQUID器件以及其它超导集成电路。
高温超导薄膜衬底台阶约瑟夫森结阵及其制备方法

[发明专利]高温超导平面薄膜本征约瑟夫森结阵及其制备方法-CN96122103.8无效
发明人： 阎少林 -专利权人：南开大学
申请日： 1996-10-31 - 公布日： 1999-10-27 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：高温超导平面薄膜本征约瑟夫森结阵及其制备方法。涉及高温超导材料中的约瑟夫森结器件技术领域。解决了在单晶衬底上制备高温超导平面薄膜本征约瑟夫森结阵的技术问题。制作的单晶衬底平面应与晶体００１面呈一夹角，沿着晶体００１面倾斜的方向刻蚀成超导薄膜微桥。本发明利用高温超导材料本征的物理结构提出了一种工艺简单、重复性好的制备方法并制出了本征约瑟夫森结阵。该结阵可直接作为单独器件使用，或制作超导量子干涉器件以及其它集成电路。
高温超导平面薄膜约瑟夫森结阵及其制备方法

[实用新型]对靶式直流磁控离子溅射台-CN94213595.4无效
发明人： 阎少林 -专利权人：南开大学
申请日： 1994-06-01 - 公布日： 1995-03-22 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本实用新型是对靶式直流磁控离子溅射台，属于电子镀膜技术领域。现有的磁控溅射台均采用双层环形磁体结构，靶材利用率低，耗电量大，成膜速率低。本实用新型的目的在于解决靶材利用率，成膜质量等问题。采用U形磁体结构，在两极之间形成均匀的辉光放电区，磁极间距可以调节，靶可得到充分利用，成膜速率高、均匀，质量好，结构紧凑，便于放入真空系统，利于推广使用，制作超导薄膜、金属薄膜、合金薄膜及其它导电薄膜。
直流离子溅射

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