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[发明专利]一种快速自适应调整曝光方法、装置、设备及介质-CN202311040539.5在审
发明人：宋昊泽;刘洋;马成;乔羽 -专利权人： 长春长光辰芯微电子股份有限公司;大连长光辰芯微电子有限公司;杭州长光辰芯微电子有限公司
申请日： 2023-08-17 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H04N25/53 文献下载
摘要：本发明涉及图像处理技术领域，涉及一种快速自适应调整曝光方法、装置、设备及介质，包括：将待处理图像划分为N*M个子块，遍历每个子块中像素，得到待处理图像的像素均值P以及过曝像素点个数X，当确定过曝像素点个数X大于预设过曝像素点个数阈值时采用超大步长减小曝光，当确定过曝像素点个数X小于等于预设过曝像素点个数阈值时判断是否存在场景更换，当场景发生变化时进入惩罚系数计算环节，并利用历史图像帧均值变化方向确定惩罚系数，基于惩罚系数调整曝光时间或数字增益数值，直到像素均值P处于目标曝光区间为止，以上操作均在图像传感器上完成，通过精简逻辑和参数，内存占用小，同时在调节曝光上加上惩罚系数，帮助调控过程快速收敛。
一种快速自适应调整曝光方法装置设备介质

[发明专利]一种图像传感器的黑电平校正方法、装置、设备及介质-CN202310692753.2在审
发明人：宋昊泽;刘洋;马成;乔羽 -专利权人： 长春长光辰芯微电子股份有限公司;大连长光辰芯微电子有限公司;杭州长光辰芯微电子有限公司
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H04N25/76 文献下载
摘要：本发明涉及图像处理技术领域，具体涉及一种图像传感器的黑电平校正方法、装置、设备及介质，通过采用遮光像素与遮光像素的结构用来校正黑电平，这样可以有效消除温度变化和时间漂移造成的黑电平变化。通过迭代公式的算法，有效的保留线阵芯片历史帧的黑电平信息，对线阵芯片的黑电平计算数值进行实时更新。线阵每行减去更新的黑电平数值，同时为了减少噪声引入增加约束方案，减少黑电平的无效更新，只需要很少的内存，可以让校正方案有效的在图像传感器中实现，提升线阵芯片减黑电平的性能。所需要的计算操作很少，不影响帧频。通过整合遮光像素和非遮光像素的结构和迭代公式在线阵芯片上实现了高性能的暗电平校正。
一种图像传感器电平校正方法装置设备介质

[发明专利]可切换像素结构-CN202011616729.3有效
发明人：王欣洋;刘洋;郭杨钰 -专利权人： 长春长光辰芯微电子股份有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H04N25/60 文献下载
摘要：本发明提供一种可切换像素结构，包括：电容反馈运算放大器、两用电容和切换开关，通过开关将两用电容置于两种配置之一：(1)串联在电容反馈运算放大器的输出与反向输入之间，用于实现高增益模式和CDS功能；(2)与电容反馈运算放大器的反馈环路上的反馈电容器并联，以实现低增益、高容量模式。与传统的像素电路相比，本发明提供的像素结构可以在低噪音和高噪音之间进行切换，在切换过程中，可以切换满阱容量值，通过开关控制积分电容值，实现强弱光模式之间的切换。在弱光成像的情况下，使用高增益放大器，高信噪比确保低输入信号不会被噪声淹没，使用高增益放大器可获得较好的灵敏度，如果还使用CDS操作，将进一步提高效率。
切换像素结构

[发明专利]一种CMOS图像传感器的测试方法和系统-CN202011642675.8有效
发明人：刘洋;李扬;马成;戚忠雪 -专利权人： 长春长光辰芯微电子股份有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H04N17/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种CMOS图像传感器的测试方法和系统，所述测试系统包括总控制器和图像传感器安装设备；所述图像传感器安装设备用于安装所述CMOS图像传感器，所述图像传感器安装设备上还设置有引脚调试设备，所述引脚调试设备用于配置所述CMOS图像传感器上各个引脚的工作模式；所述总控制器与所述引脚调试设备电连接，用于控制所述引脚调试设备对所述CMOS图像传感器上各个引脚进行调试。上述方案通过构建一个通用的图像传感器测试平台来满足图像传感器的测试条件，从而减轻了重复性的测试工作量以及测试准备时间。
一种 cmos 图像传感器测试方法系统

[发明专利]图像传感器-CN202110501366.7有效
发明人：李扬;马成;刘洋;刘芳园 -专利权人： 长春长光辰芯微电子股份有限公司;杭州长光辰芯微电子有限公司
申请日： 2021-05-08 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H04N25/76 文献下载
摘要：本发明提供一种图像传感器，包括至少两个相同的子像素单元，子像素单元包括电荷曝光转移结构和电容反馈跨导放大器，电容反馈跨导放大器包括积分电容、初始化晶体管和源极跟随器，隔直电容的两端分别与电荷曝光转移结构、源极跟随器的栅极耦接，源极跟随器的源极接入基准电压；积分电容的两端分别与源极跟随器的栅极和漏级耦接，用于对源极跟随器将要输出的信号进行积分放大，初始化晶体管的源极和漏级分别与积分电容的两端耦接，用于对积分电容进行复位。本发明将像素分为多个子像素单元进行分段驱动，并在每个子像素单元中配置CTIA，以此来降低CTIA输入端的寄生电容，从而降低CTIA的噪声，提升图像传感器的信噪比，提高成像效果。
图像传感器

[发明专利]新型CMOS图像传感器像素结构-CN202011608526.X有效
发明人：王欣洋;李扬;马成;刘洋;辛国松 -专利权人： 长春长光辰芯微电子股份有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种新型CMOS图像传感器像素结构，包括：包括：光电二极管、浮置扩散节点、复位晶体管和转移晶体管；其中，光电二极管为中空的环形结构，浮置扩散节点设置在光电二极管的中空区域内，转移晶体管为环形结构，其内边缘与浮置扩散节点接触，其外边缘与光电二极管接触，复位晶体管设置在浮置扩散节点的正下方，通过转移晶体管将光电二极管累积的电荷从不同方向转移至浮置扩散节点，通过复位晶体管提供竖直方向电场，对浮置扩散节点进行复位。本发明能够在不影响转移晶体管电荷转移速度的情况下，增大光电二极管感光区域的面积。
新型 cmos 图像传感器像素结构

[发明专利]一种图像传感器-CN202011619567.9有效
发明人：王欣洋;李扬;马成;李靖;戚忠雪 -专利权人： 长春长光辰芯微电子股份有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种图像传感器，包括：自下而上依次设有冷却元件、连接层、带有若干个通孔的基板、第一绝缘层、抗反射层、第二绝缘层、会聚透镜和滤色器阵列。由于会聚透镜会聚光而产生的热量可以通过冷却元件及时消散，冷却元件将图像传感器保持在不超过图像传感器的额定工作温度的温度下工作，因此延长了图像传感器的寿命，并改善了图像传感器的图像质量。
一种图像传感器

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