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[发明专利]存储装置-CN201880074987.8在审
发明人：大贯达也;冈本佑树;池田寿雄;长冢修平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： G11C11/4097 文献下载
摘要：提供一种新颖的存储装置。包括多个存储单元的第一单元阵列与包括多个存储单元的第二单元阵列重叠地设置。第一位线对的两个位线中的一个位线与第一单元阵列中的A个存储单元电连接，第一位线对的两个位线中的另一个位线与第二单元阵列中的D个存储单元电连接。第二位线对的两个位线中的一个位线与第一单元阵列中的B个存储单元及第二单元阵列中的F个存储单元电连接，第二位线对的两个位线中的另一个位线与第一单元阵列中的C个存储单元及第二单元阵列中的E个存储单元电连接。第一位线对与第二位线对交替地设置。
存储装置

[发明专利]半导体装置以及其制造方法-CN201880012279.1在审
发明人：山崎舜平;远藤佑太;长冢修平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2018-02-06 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括：包括彼此相邻的第一区域和第二区域以及它们之间夹有第一区域及第二区域的第三区域和第四区域的第一氧化物；第一区域上的第二氧化物；第二氧化物上的第一绝缘体；第一绝缘体上的第一导电体；在第二氧化物上并在第一绝缘体及第一导电体的侧面的第二绝缘体；在第二区域上并在第二绝缘体的侧面的第三绝缘体；以其与第二区域之间夹有第三绝缘体的方式在第二区域上且以其与第二绝缘体之间夹有第三绝缘体的方式在第二绝缘体的侧面的第二导电体；覆盖第一氧化物、第二氧化物、第一绝缘体、第一导电体、第二绝缘体、第三绝缘体及第二导电体并与第三区域及第四区域接触的第四绝缘体。
绝缘体氧化物第二区域导电体第一区域半导体装置侧面区域接触覆盖制造