专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]光半导体装置及其制造方法-CN202080106480.3在审
  • 铃木凉子;松本启资;中村直干;宫越亮辅 - 三菱电机株式会社
  • 2020-11-06 - 2023-07-25 - H01S5/024
  • 本公开的光半导体装置具备:脊构造(5),形成于第一导电型半导体基板(1);埋入层(6),埋入于脊构造(5)的两侧面;第二导电型第二包层(7)以及第二导电型接触层(8),依次层叠于脊构造(5)的顶部和埋入层(6)的表面;台面构造(13),由从第二导电型接触层(8)到达第一导电型半导体基板(1)的台面来形成两侧面;散热层(9),设置于第二导电型接触层(8)的表面;台面保护膜(10),覆盖台面构造(13)的两侧面以及第二导电型接触层(8)的表面的两端部;以及第二导电型侧电极(11),与第二导电型接触层(8)电连接。
  • 半导体装置及其制造方法
  • [发明专利]光半导体装置及其制造方法-CN202080094364.4在审
  • 松本启资;铃木凉子 - 三菱电机株式会社
  • 2020-01-28 - 2022-09-06 - H01S5/227
  • 本发明的光半导体装置具备:台面条带(8),在n型InP基板(1)的表面依次层叠n型InP包覆层(2)、活性层(3)以及p型InP包覆层(4)而成;Fe掺杂半绝缘性InP层(9),以比台面条带的高度高的方式埋入到台面条带的两侧;n型InP阻挡层(10),在与活性层(3)的中央部分对应的区域隔开比活性层窄的间隔而层叠于台面条带的两侧的Fe掺杂半绝缘性InP层的表面;p型InP包覆层(6),形成于n型InP阻挡层的台面条带侧的两端部的背面;以及p型InP包覆层(12),埋入台面条带的顶部、p型InP包覆层以及n型InP阻挡层,p型InP包覆层设为载流子浓度比p型InP包覆层以及p型InP包覆层高,而降低漏电流。
  • 半导体装置及其制造方法
  • [发明专利]光半导体装置-CN201710056430.9有效
  • 铃木洋介;奥贯雄一郎;境野刚;中村直干;铃木凉子 - 三菱电机株式会社
  • 2017-01-25 - 2019-11-05 - H01S5/022
  • 本发明涉及一种光半导体装置,涉及搭载半导体激光器、适于在高频下使用的光半导体装置,本发明的目的在于得到一种光半导体装置,其具有半导体激光器的后端面侧出射光难以触碰安装基板的构造。具有:半导体激光器,其在前端面侧将前端面侧出射光射出,在后端面侧将后端面侧出射光射出;以及安装基板,其在表面具有所述半导体激光器,所述后端面侧出射光是以与所述后端面相距越远则越远离所述安装基板的出射光轴而射出的。
  • 半导体装置

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