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[发明专利](Sr,Ca)（Ti,Ga）O3-CN202210753357.1有效
发明人：唐斌;蒋英豪;代欣霖;袁颖;钟朝位;张树人 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C04B35/47 文献下载
摘要：本发明提供一种(Sr,Ca)(Ti,Ga)O3‑LaAlO3复合微波介质陶瓷及制备方法，其化学式为Sr(m‑y)CayTi1‑zGazO3‑xLaAlO3，其中0.98≤m≤1.01，1.0≤x≤1.50，0.01≤y≤0.02；0.001≤z≤0.01。该材料属于电子信息功能材料技术领域。空气中的烧结温度1500℃～1600℃，Q×f值50000～58000GHz，相对介电常数38～45，谐振频率温度系数0±5ppm/℃。本发明采用传统固相陶瓷合成工艺制备，具有原材料便宜、环保和成本低的优点，便于批量生产及应用推广。
sr ca ti ga base sub

[发明专利]一种低介电常数低损耗的聚四氟乙烯覆铜板的制备方法-CN202310228498.6在审
发明人：袁颖;李佳洁;唐斌;钟朝位;张树人 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C08L27/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种低介电常数低损耗的聚四氟乙烯覆铜板的制备方法，主要步骤包括：将一定量的偶联剂倒入酸性溶液中使其完全水解。再将称量好的一定量的球形二氧化硅陶瓷倒入其中，使陶瓷和偶联剂均匀并充分接触从而将偶联剂成功接枝到陶瓷表面。将表面改性后的二氧化硅粉料与助剂、破乳剂、絮凝剂以及聚四氟乙烯混合然后将混合后的悬浮液在高速分散机中混合。加热混合乳液直至乳液破乳，获得复合面团。将复合面团放置于辊压机上反复辊压使复合材料初步成型。随后放入烘箱烘干。将干燥后的复合基板置于真空烧结炉中，待烧结完成，自然冷却后，可获得PTFE/SiO2覆铜板。此制备方法解决了传统覆铜板介电损耗高的问题，具优异的介电性能。能够广泛应用于高频的现代电子通讯领域。
一种介电常数损耗聚四氟乙烯铜板制备方法

[发明专利]一种高介高正温度系数微波介质陶瓷材料及其制备方法-CN202310598918.X在审
发明人：李恩竹;唐柳;钟朝位;袁颖;张树人 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明属于电子陶瓷及其制造领域，具体涉及一种高介高正温度系数微波介质陶瓷材料及其制备方法。本发明高介高正温度系数微波介质陶瓷材料的原料组成为Na2CO3、K2CO3和Ta2O5，通过固相法制得，化学式为Na1‑xKxTaO3(x＝0.025‑0.15)；具有127‑176的高介电常数，损耗低至3.46×10‑4，730‑920ppm/℃的超高正向温度系数。本发明从原料引入K+离子，通过调节x的值来改变K+离子取代量，在保证低损耗的同时，得到了高介高正温度系数的微波介质陶瓷材料；尤其适用于频率温度系数补偿材料，与负频率温度系数材料复合以获得τf近零的材料，且制备方法简单，易于工业化生产。
一种高介高正温度系数微波介质陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]高抗弯强度玻璃陶瓷材料及其制备方法-CN202211048483.3有效
发明人： 钟朝位;秦天应;王明霞;张树人 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C03C14/00 文献下载
摘要：一种高抗弯强度玻璃陶瓷材料及其制备方法，属于低温共烧陶瓷材料技术领域。由玻璃粉末和Al2O3陶瓷粉末混合并烧结得到，Al2O3陶瓷粉末的含量为20～80wt％，玻璃粉末的含量为20～80wt％；玻璃粉末中各组分的质量百分比为：15～45％CaO，10～30％MgO，15～45％SiO2，5～25％Al2O3，1～15％ZrO2，1～5％SnO2，1～3％CuO，1～15％CaF2，1～15％TiO2。本发明玻璃陶瓷材料在微波频率下的性能为：εr＝7.5±0.3，介质损耗tanδ为(1.3～2.1)×10‑4，介电常数温度系数τε为‑30±5ppm/℃，抗弯强度不小于300MPa。
抗弯强度玻璃陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种高介低介电常数温度系数的复合基板及其制备方法-CN202310489733.5在审
发明人：袁颖;杨正祎;卿竹;唐斌;钟朝位;张树人 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C08L47/00 文献下载
摘要：一种高介低介电常数温度系数的复合基板及其制备方法，属于高频小型化复合材料基板技术领域。所述复合基板的组分及各组分在复合基板中所占重量份为：ZnO‑TiO2‑Nb2O5基瓷粉填料：70～85份；硅烷偶联剂：0.5～2份；固化剂：2～4份；聚烯烃树脂：5～20份；助交联剂：3～5份。本发明提出的ZnO‑TiO2‑Nb2O5基瓷粉具有可调的高介电常数、低介电损耗、可调的低谐振频率温度系数和低烧结温度的特点，作为填料制备的复合基板具有高介电常数、低介电损耗和低介电常数温度系数。
一种高介低介电常数温度系数复合及其制备方法

[发明专利]一种高温度稳定性钛酸铋钠基介质储能陶瓷及其制备方法-CN202210171277.5有效
发明人：袁颖;蒋泽华;唐斌;钟朝位;张树人 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：一种高温度稳定性钛酸铋钠基介质储能陶瓷材料，属于电子信息功能材料与器件技术领域。陶瓷材料为Na0.5Bi0.5TiO3‑xBaTiO3‑ySrTiO3‑zZnTa2O6，其中0≤x≤0.1,0.2≤y≤0.5，0z≤0.2。本发明介质陶瓷材料不仅实现了高的储能密度、储能效率与功率密度，同时也实现了其他钛酸铋钠基储能陶瓷中没有的满足X7R标准的室温下的温度稳定性。
一种温度稳定性钛酸铋钠基介质陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种高储能密度聚酰亚胺基复合材料及其制备方法-CN202310277669.4在审
发明人：李恩竹;刘倩;王华;张庶;钟朝位;张树人 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C08L79/08 文献下载
摘要：本发明属于电子材料及其制造领域，具体为一种高储能密度聚酰亚胺基复合材料及其制备方法。本发明在合成磷酸钙化合物的过程中，在钙离子与磷酸根离子形成团簇并成核之前，加入了三乙胺，其作为封端分子与磷酸根形成了氢键，使整个反应处于稳定的状态。最终制备的磷酸钙纳米颗粒是通过聚合和交联的形式获得的，所以当其作为无机填料引入到有机材料中时，能制备出更加均匀、更高储能密度的复合材料，该聚酰亚胺基复合材料击穿电场196～392MV/m，储能密度1.16～6.16J/cm3，储能效率高达98.1％；且制备工艺简单，所制备的复合材料性能稳定，为电子行业用于制备电容器的材料提供了更好地选择。
一种高储能密度聚酰亚胺复合材料及其制备方法

[发明专利]无玻纤的陶瓷/碳氢树脂基微波介质基板及其制备方法-CN202210292711.5有效
发明人：袁颖;周梦婷;唐斌;钟朝位;张树人 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： B32B27/32 文献下载
摘要：本发明提供的无玻纤的陶瓷/碳氢树脂基微波介质基板及其制备方法，属于覆铜板技术领域，包括重量份数分别为5～15份的聚丁二烯、2～6份的苯乙烯‑丁二烯共聚物、3～9份的三元乙丙橡胶、0.2～1.5份的引发剂和70～90份的陶瓷粉体，将上述原料按顺序加入溶剂中得到胶液，刮涂于PTFE膜表面，经低温干燥后得到半固化片，进而制得微波介质基板。本发明无需玻璃布即可制得介电常数覆盖范围广的微波介质基板，并通过采用不同介电常数的陶瓷粉体配方，制备介电常数和复合基板温度系数可调的微波介质基板，应用广泛，制备工艺简单可控，成本低廉，适于工业化生产。
无玻纤陶瓷碳氢树脂微波介质及其制备方法

[发明专利]钨青铜结构高储能密度及功率密度无铅储能介质陶瓷材料-CN202210015010.7有效
发明人：袁颖;曹磊;唐斌;钟朝位;张树人 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：一种钨青铜结构高储能密度及功率密度无铅储能介质陶瓷材料，属于电子信息功能材料与器件技术领域。该陶瓷材料为A2‑3xR2xBNb5‑yTayO15，A为Sr、Ba中的一种，R为La、Nd、Sm、Gd、Dy、Ho、Er、Y中的一种或几种，B为K、Na中的一种，0.02≤x≤0.2，0≤y≤5。本发明介质陶瓷材料具有优异的性能：相对介电常数εr900～2000之间，介电损耗5×10‑4～6×10‑3之间，直流抗电强度28～60kV/mm之间，储能密度最高达2.8J/cm3，储能效率最高达95.6％，功率密度在60MW/cm3以上；性能稳定，制备工艺简单，能够满足现代储能元器件的应用需求。
青铜结构高储能密度功率密度无铅储能介质陶瓷材料

[发明专利]钇过量的掺稀土元素YAG微波介质陶瓷材料及制备方法-CN202211116296.4在审
发明人：唐斌;周沫轲;司峰;李恩竹;钟朝位;张树人 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C04B35/505 文献下载
摘要：本发明提供钇过量的掺稀土元素的YAG微波介质陶瓷材料及其制备方法，材料化学通式为Y3.03‑xRexAl5O12，Re为La3+，Ce3+，Nd3+，Sm3+，Gd3+，Er3+，Yb3+，Lu3+多种稀土离子中的一种或多种；0.03≤x≤0.1；本发明的制备方法包括步骤：配料、球磨、烘干过筛、预烧、干压、冷等静压成型、真空烧结、气氛控制退火。本发明材料为典型YAG微波介电陶瓷，所得材料在晶界处捕获刃型位错结构，实现低损耗特征，Q×f在160000GHz～200000GHz之间，相对介电常数εr在10～16之间，频率温度系数τf在‑36ppm/℃～‑25ppm/℃之间。配方中不含Pb，Cd等挥发性有毒金属，性能稳定，能够满足现代微波器件的应用需求，原材料在国内供应充足，价格低廉，使高性能微波陶瓷的低成本化成为可能。
过量稀土元素 yag 微波介质陶瓷材料制备方法

[发明专利]一种低介低损钙铝硼硅基微晶玻璃材料及制备方法-CN202210391924.3有效
发明人：李恩竹;王宇晨;杨鸿程;钟朝位;张树人;孙成礼 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： C03C10/02 文献下载
摘要：本发明属于电子陶瓷及其制造领域，涉及一种低介低损钙铝硼硅基微晶玻璃材料及其制备方法。本发明通过对钙硼硅基微晶玻璃材料的原料组分以及比例的重大幅度调整，最终以钙、铝、硼和硅为基料，辅以BaCO3、P2O5，并微量添加CeO2、La2O3和Na2CO3作为微量元素，通过将原料熔融、水淬、造粒等工艺，即可在850～950℃的低温下烧结获得低介(εr＝4～5)、低损(Tanδ0.0006)的微晶玻璃陶瓷材料。其具有高信号传输速度，大大降低了功耗；烧结温度低(850℃～950℃)，能很好的和低电阻率的银电极共烧，适用于制造低温共烧多层陶瓷基板，满足LTCC的工艺条件要求，且性能更佳，为高速电路的需求提供了更好的选择。
一种低介低损钙铝硼硅基微晶玻璃材料制备方法

[发明专利]一种低介低损Ba-Si-B-M基LTCC材料及其制备方法-CN202210026261.5有效
发明人：李恩竹;吴裴;杨鸿程;钟朝位;张树人;孙成礼 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： C04B35/16 文献下载
摘要：本发明属于电子信息陶瓷及其制造领域，具体涉及一种低介低损Ba‑Si‑B‑M基LTCC材料及其制备方法。本发明充分利用了复杂化学键理论由于Si4+离子极化率低和Si‑O键的共价键性高，所以Si‑O键的晶格能高这一特性，通过调整Ba‑Si基陶瓷原料配方，采用固相法，在850℃～950℃的低温下烧结成型致密的Ba‑Si‑B‑M基微波陶瓷材料。在烧结过程中形成低共熔化合物，从而推动晶粒重排，并且随着烧结的进行析出BaSi2O5相的陶瓷；并且没有二次相，确保了陶瓷材料的介电性能和机械性能优异，具有高Q×f值，6～7.5的低介电常数，介电损耗低至6.13×10‑4，可在LTCC中推广应用。
一种低介低损 ba si ltcc 材料及其制备方法

[发明专利]一种BaTiO3-CN202210898147.1在审
发明人：唐斌;代欣霖;司峰;孙成礼;钟朝位;张树人 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明提供一种BaTiO3基X8R陶瓷基板材料及制备方法，属于电子材料技术领域。以BaTiO3为主料；二次添加剂包括ZnNb2O6、Nb2O5、NiO、Al2O3、SiO2、MnCO3以及稀土元素Nd、Ce、Sm、La中一种或一种以上的氧化物，制备方法包括配料、球磨、造粒、成型、烧结过程，BaTiO3基X8R陶瓷基板材料具有较低的介电损耗：tgδ≤0.8％，较高的绝缘电阻率：ρ≥1.0*1012Ω·cm，介电常数为900～3000，符合X8R标准的电容温度系数，能够满足陶瓷电容器尤其是单层陶瓷电容器制作要求，制备方法简单、易控、环保、成本低廉。
一种 batio base sub

[发明专利]脉冲储能陶瓷材料及其制备方法-CN202110033110.8有效
发明人：唐斌;陈菁菁;赵鹏;杨成韬;钟朝位;张树人 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明提供一种脉冲储能介质陶瓷材料及制备方法，属于电子元器件材料领域。本发明由K0.5+xLayBi0.5(Mg0.5Zr0.5)yTiO3(0≤x≤0.05，0.05≤y≤0.15)主晶相和改性添加剂组成。所述改性添加剂为：CeO2、Nb2O5、Nd2O3、ZnO、MnCO3、SiO2中的一种或几种。其制备方法包括配料、球磨、造粒、成型、烧结。所述脉冲储能介质陶瓷材料有较高的储能密度，在200kV/cm(交流)下为2.0J/cm3，抗电强度为130～200kV/cm(交流)，储能效率为73％～75％，性能稳定，适于制作脉冲电容器介质材料。制备方法具有简单、易控、环保和成本低廉的特点。
脉冲陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种高导热高膨胀低温共烧陶瓷材料及其制备方法-CN202210705991.8在审
发明人： 钟朝位;王明霞;秦天应;张树人 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C04B35/16 文献下载
摘要：一种高导热高膨胀低温共烧陶瓷材料，属于电子信息功能材料技术领域。所述陶瓷材料包括主基料和添加剂，主基料中各成分占陶瓷材料的质量百分比：MgO:5～10wt％，Li2CO3：25～60wt％，SiO2：35～50wt％，Al2O3:1～10wt％，添加剂中各成分占陶瓷材料的质量百分比：H3BO3:0～5wt％，LiF:1～10wt％，CaO:0～5wt％，ZrO2:0～5wt％。本发明提供的陶瓷材料，烧结温度≤940℃，热导率8.535～11.362W/mK，热膨胀系数～12×10‑6/K，兼具低烧结温度、高导热、高膨胀系数性能。
一种导热膨胀低温陶瓷材料及其制备方法

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