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[发明专利]发光面板-CN201710679609.X有效
发明人： 钟之江有宣;森田清之 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2014-02-21 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及发光面板。一种薄膜半导体基板，具备顶栅型的第1TFT(10)及第2TFT(20)和数据线(源极布线(32))，第1TFT(10)包括第1半导体层(11)、第1栅极绝缘膜(12)、第1栅电极(10G)、第1源电极(10S)及第1漏电极(10D)、以及第1保护层(13)，第2TFT(20)包括第2半导体层(21)、第2栅极绝缘膜(22)、第2栅电极(20G)、第2源电极(20S)及第2漏电极(20D)、以及第2保护层(23)，数据线与第1源电极(10S)连接，第1漏电极(10D)是第2栅电极(20G)延伸而构成的，第2栅电极(20G)的厚度比数据线的厚度薄。
发光面板

[发明专利]薄膜晶体管元件基板及其制造方法、和有机EL显示装置-CN201911126328.7在审
发明人： 钟之江有宣 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2015-01-07 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：提供使用氧化物半导体的薄膜晶体管元件基板及其制造方法、和采用该薄膜晶体管元件基板的有机EL显示装置，该薄膜晶体管元件基板在实现接触区域的低电阻化的同时，进一步提高了对水分的阻隔性。薄膜晶体管元件基板(1)具备第1水分阻隔层(6)，所述第1水分阻隔层(6)被设置为覆盖栅极绝缘层(4)以及栅电极(5)，并且，被设置为覆盖氧化物半导体层(3)的接触区域(3a1、3a2)上的、除了接触区域(3a1)与源电极(8)的接合部分、以及接触区域(3a2)与漏电极(9)的接合部分之外的区域、和基板(2)上的不存在氧化物半导体层(3)的区域。第1水分阻隔层(6)包含金属氧化物，采用原子层沉积法形成。
薄膜晶体管元件及其制造方法有机 el 显示装置

[发明专利]有机EL显示装置-CN201911126678.3在审
发明人： 钟之江有宣 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2015-01-07 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：提供一种使用氧化物半导体的顶部栅极结构的有机EL显示装置，有机EL显示装置在实现接触区域的低电阻化的同时，进一步提高了对水分的阻隔性。有机EL显示装置的TFT基板(1)具备第1水分阻隔层(6)，所述第1水分阻隔层(6)被设置为覆盖栅极绝缘层(4)以及栅电极(5)，并且，被设置为覆盖氧化物半导体层(3)的接触区域(3a1、3a2)上的、除了接触区域(3a1)与源电极(8)的接合部分、以及接触区域(3a2)与漏电极(9)的接合部分之外的区域、和基板(2)上的不存在氧化物半导体层(3)的区域。第1水分阻隔层(6)包含金属氧化物，采用原子层沉积法形成。
有机 el 显示装置

[发明专利]薄膜晶体管元件基板及其制造方法、和有机EL显示装置-CN201510007493.6有效
发明人： 钟之江有宣 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2015-01-07 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：提供一种使用氧化物半导体的顶部栅极结构的TFT基板，该TFT基板在实现接触区域的低电阻化的同时，进一步提高了对水分的阻隔性。TFT基板(1)具备第1水分阻隔层(6)，所述第1水分阻隔层(6)被设置为覆盖栅极绝缘层(4)以及栅电极(5)，并且，被设置为覆盖氧化物半导体层(3)的接触区域(3
薄膜晶体管元件及其制造方法使用有机 el 显示装置

[发明专利]发光面板-CN201710679587.7有效
发明人： 钟之江有宣;森田清之 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2014-02-21 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：本发明涉及发光面板。一种薄膜半导体基板，具备顶栅型的第1TFT(10)及第2TFT(20)和数据线(源极布线(32))，第1TFT(10)包括第1半导体层(11)、第1栅极绝缘膜(12)、第1栅电极(10G)、第1源电极(10S)及第1漏电极(10D)、以及第1保护层(13)，第2TFT(20)包括第2半导体层(21)、第2栅极绝缘膜(22)、第2栅电极(20G)、第2源电极(20S)及第2漏电极(20D)、以及第2保护层(23)，数据线与第1源电极(10S)连接，第1漏电极(10D)是第2栅电极(20G)延伸而构成的，第2栅电极(20G)的厚度比数据线的厚度薄。
发光面板

[发明专利]薄膜半导体基板、发光面板以及薄膜半导体基板的制造方法-CN201480001305.2有效
发明人： 钟之江有宣;森田清之 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2014-02-21 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：一种薄膜半导体基板，具备顶栅型的第1TFT(10)及第2TFT(20)和数据线(源极布线(32))，第1TFT(10)包括第1半导体层(11)、第1栅极绝缘膜(12)、第1栅电极(10G)、第1源电极(10S)及第1漏电极(10D)、以及第1保护层(13)，第2TFT(20)包括第2半导体层(21)、第2栅极绝缘膜(22)、第2栅电极(20G)、第2源电极(20S)及第2漏电极(20D)、以及第2保护层(23)，数据线与第1源电极(10S)连接，第1漏电极(10D)是第2栅电极(20G)延伸而构成的，第2栅电极(20G)的厚度比数据线的厚度薄。
薄膜半导体发光面板以及制造方法

[发明专利]显示装置及其控制方法-CN201180075029.0有效
发明人：小野晋也;钟之江有宣;柘植仁志;戎野浩平 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-11-24 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： G09G3/30 文献下载
摘要：显示装置具备的多个像素电路(10)各自具备：驱动晶体管(TD)，其源极端子和漏极端子的一方与电源线(VDD)连接；电容元件(Cs)，其第1端子与驱动晶体管(TD)的栅极端子连接；开关元件(T1)，其对电容元件(Cs)的第2端子与数据线(DATA)的导通和非导通进行切换；开关元件(T2)，其对电容元件(Cs)的第2端子与驱动晶体管(TD)的源极端子的导通和非导通进行切换；开关元件(T3)，其对电容元件(Cs)的第1端子与参考电压线(Vref)的导通和非导通进行切换；以及发光元件(EL)，其第1端子与驱动晶体管(TD)的源极端子和漏极端子的另一方连接，第2端子与电源线(VSS)连接，参考电压线(Vref)对驱动晶体管(TD)的栅极端子-源极端子间提供比阈值电压大的正向偏置电压。
显示装置及其控制方法

[发明专利]薄膜半导体器件以及薄膜半导体器件的制造方法-CN201280004416.X有效
发明人： 钟之江有宣;川岛孝启 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-10-23 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：薄膜半导体器件（100）具备：栅电极（120）、沟道层（140）、第1非晶半导体层（150）、沟道保护层（160）、在沟道层（140）的两侧面形成的一对第2非晶半导体层（171、172）、和经由第2非晶半导体层（171、172）与沟道层（140）的侧面接触的一对接触层（181、182），栅电极（120）、沟道层（140）、第1非晶半导体层（150）以及沟道保护层（160）层叠成俯视时外形轮廓线一致，第1非晶半导体层（150）的局部能级密度比第2非晶半导体层（171、172）的局部能级密度高，第2非晶半导体层（171、172）的带隙比第1非晶半导体层（150）的带隙大。
薄膜半导体器件以及制造方法

[发明专利]薄膜半导体装置以及薄膜半导体装置的制造方法-CN201180029746.X有效
发明人： 钟之江有宣;川岛孝启 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-10-28 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：薄膜半导体装置包括：具备遮光性的栅电极（51）、第1绝缘层（120）、沟道层（54）、第2绝缘层（131）、源电极（53）以及漏电极（52）的半导体元件部（50）；以及具备由透明导电性材料形成的第1电容电极（61）、电介质层（120）和第2电容电极（62）的电容部（60）；栅电极（51）、沟道层（54）以及第2绝缘层（131）层叠为俯视时外形轮廓线一致。
薄膜半导体装置以及制造方法

[发明专利]薄膜晶体管器件以及薄膜晶体管器件的制造方法-CN201280002085.6有效
发明人： 钟之江有宣;川岛孝启;林宏;河内玄士朗 -专利权人：松下电器产业株式会社;松下液晶显示器株式会社
申请日： 2012-02-06 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种能抑制突增现象、且具有优异的TFT特性的薄膜晶体管器件及其制造方法。薄膜晶体管器件具备：栅电极（2），其形成于基板（1）上；栅极绝缘膜（3），其形成于栅电极（2）上；结晶硅薄膜（4），其形成于栅极绝缘膜（3）上；第1半导体膜（5），其形成于结晶硅薄膜（4）上；一对第2半导体膜（6），其形成于第1半导体膜（5）上；源电极（8S），其形成于一对第2半导体膜（6）的一方的上方；以及漏电极（8D），其形成于一对第2半导体膜（6）的另一方的上方，将结晶硅薄膜（4）和第1半导体膜（5）的导带下端的能级分别设为ECP、EC1，则ECP
薄膜晶体管器件以及制造方法

[发明专利]薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法-CN201180015805.8无效
发明人：岸田悠治;川岛孝启;钟之江有宣;河内玄士朗 -专利权人：松下电器产业株式会社;松下液晶显示器株式会社
申请日： 2011-06-17 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的薄膜晶体管（10）具备：基板（1）；栅电极（2），其形成于基板上；栅极绝缘膜（3），其形成于栅电极上；结晶硅半导体层（4），其形成于栅极绝缘膜上；非晶硅半导体层（5），其形成于结晶硅半导体层上；有机保护膜（6），其形成于非晶硅半导体层上，由有机材料形成；源电极（8S）及漏电极（8D），其夹着有机保护膜而形成于非晶硅半导体层上，包含于非晶硅半导体层（5）的负载流子的电荷密度为3×1011cm-2以上。
薄膜晶体管以及制造方法

[发明专利]显示装置用薄膜半导体装置、显示装置用薄膜半导体装置的制造方法、EL显示面板及EL显示装置-CN201080067213.6有效
发明人： 钟之江有宣 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2010-09-29 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：本发明的显示装置用薄膜半导体装置（2）包括：形成于基板上的第1栅电极（310G）、形成于第1栅电极上的栅极绝缘膜（330）、形成于第1栅电极的上方的第1半导体层（311）、形成于第1半导体层的上方的第1源电极（310S）、形成在与第1源电极同层的第2漏电极（320D）、形成为覆盖第1源电极及第2漏电极的第1层间绝缘膜（340）、配置在第1层间绝缘膜上的栅极布线（21）、与第2漏电极同层且与第2漏电极电连接的第1电源布线（23A）、和形成在与栅极布线同层的第2电源布线（23B）。而且，第1栅电极和栅极布线经由第1接触部（111）而电连接区）第1电源布线和第2电源布线经由第2接触部（112）而电连接。
显示装置薄膜半导体装置制造方法 el 显示面板

[发明专利]EL显示面板、EL显示装置及EL显示面板的制造方法-CN201080003324.0有效
发明人： 钟之江有宣 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2010-09-29 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：本发明的EL显示面板(1)具备有机EL元件(10)和对有机EL元件(10)的发光进行控制的薄膜半导体部。有机EL元件包括下部电极(12)、有机发光层(13)及上部电极(14)。薄膜半导体部包括基板(300)、第1栅电极(310G)、栅极绝缘膜(330)、第1半导体层(311)、第1源电极(310S)、与第1源电极(310S)形成于相同的层的第2漏电极(320D)、与第2漏电极同层且电连接的第1电源布线(23A)及形成为覆盖第1源电极和第2漏电极的第1层间绝缘膜(340)。进而，具备：配置于第1层间绝缘膜上且与第1栅电极连接的栅极布线(21)、与栅极布线同层且与第1电源布线连接的第2电源布线(23B)及与第2电源布线同层且与上部电极连接的辅助布线(25)。
el 显示面板显示装置制造方法

[发明专利]EL显示面板、EL显示装置以及EL显示面板的制造方法-CN201080003406.5有效
发明人： 钟之江有宣 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2010-09-29 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：EL显示面板具有EL部和薄膜半导体部，EL部包括阳极电极、阴极电极和发光层，薄膜半导体部具有基板、栅电极、栅极绝缘膜、半导体层、第1电极、第2电极、层间绝缘膜、在层间绝缘膜上配置的栅极布线(21)、在层间绝缘膜上与栅极布线(21)同层且与栅极布线(21)并行地配置的电源布线(23)、在层间绝缘膜上与栅极布线(21)和电源布线(23)同层且与栅极布线(21)和电源布线(23)并行地配置的辅助布线(25)。
el 显示面板显示装置以及制造方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列装置、薄膜晶体管阵列装置的制造方法-CN201080002870.2有效
发明人： 钟之江有宣;河内玄士朗 -专利权人：松下电器产业株式会社;松下液晶显示器株式会社
申请日： 2010-09-21 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：薄膜晶体管阵列装置，具备底栅型的第1以及第2晶体管，栅极配线(21)，配置在与第1晶体管所包含的第1栅极电极(41)不同层的钝化膜上，经由设置在钝化膜上的第2孔部与第1栅极电极(41)电连接，层叠在钝化膜上的导电氧化物膜覆盖从开口部露出的源极配线的端部，导电氧化物膜，介于钝化膜与栅极配线(21)以及中继电极(55)之间，在栅极配线(21)与中继电极(55)之间为非电连接，导电氧化物膜，介于中继电极(55)与源极电极(53)之间，使中继电极(55)与源极电极(53)电连接，中继电极(55)与钝化膜上的栅极配线(21)形成在同一层，由与栅极配线(21)相同的材料构成。
薄膜晶体管阵列装置制造方法

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