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[发明专利]LDMOS器件及其形成方法-CN202311010208.7在审
发明人：金锋;张晗;何兴月 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-08-10 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种LDMOS器件及其形成方法，其中结构包括：衬底，衬底为第一导电类型；位于衬底内漂移区和第一体区，第一体区为第一导电类型，漂移区为第二导电类型，第一导电类型与第二导电类型不同；位于部分漂移区上的第一场氧层，第一场氧层在远离第一体区的一侧具有第一侧壁，第一侧壁与衬底表面之间的夹角范围为80度至90度；位于部分第一场氧层上的第一栅极层，第一栅极层还延伸至部分第一体区表面；位于第一场氧层的第一侧壁一侧的漂移区内的漏区，漏区为第二导电类型；位于第一场氧层另一侧的第一体区内的第一源区，第一源区为第二导电类型，利于形成较短漂移区的低压LDMOS器件，提高工艺窗口。
ldmos 器件及其形成方法

[发明专利]在DRI预热过程中直接净化、还原焦炉煤气的方法及装置-CN202210891839.3有效
发明人：刘西琨;化光林;金锋;付艳鹏;程立 -专利权人：中钢设备有限公司
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C01B3/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种在DRI预热过程中直接净化、还原焦炉煤气的方法及装置，属于直接还原铁冶金还原技术领域。该方法主要流程为降温分液→脱硫脱萘→脱油脱硫→换热裂解→加氢精整→加热重整。该方法及装置能够直接在DRI竖炉直接应用，深度净化后的焦炉煤气无需存储、运输，即产即用，安全高效；本发明采用DRI竖炉炉顶换热器进行换热，无需对焦炉煤气额外供热，即可达到裂解温度，节约能耗、降低成本。
dri 预热过程直接净化还原焦炉煤气方法装置

[实用新型]一种结构强度高的钢包渣线-CN202321037561.X有效
发明人：金锋;杨大军;杨大林;王进 -专利权人：江苏鑫耐新材料有限公司
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B22D41/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种结构强度高的钢包渣线，包括钢包桶体、渣线层、包壁层和包底层，所述渣线层、包壁层和包底层均设置于钢包桶体内部，所述渣线层和包壁层均贴合于钢包桶体内壁，所述渣线层设置于包壁层顶部，所述包底层贴合于钢包桶体底壁，所述渣线层由渣线砖砌成，所述包壁层由包壁砖砌成，所述包底层由包底砖砌成，所述钢包桶体内壁固定连接有安装挂钩。本实用新型通过在钢包桶体内壁设置安装挂钩，并在渣线砖和包壁砖表面开设安装槽，通过安装槽将渣线砖和包壁砖挂接于安装挂钩上，即便钢水冲刷导致渣线砖和包壁砖发生松动，也不容易从钢包桶体内壁上掉落，有利于提高渣线层和包壁层的结构强度，能够延长钢包渣线的使用寿命。
一种结构强度钢包

[发明专利]钣金件自动化对焦焊接设备及其应用方法-CN202311061890.2在审
发明人：金锋 -专利权人：昆山恒盛金属科技有限公司
申请日： 2023-08-22 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B23K26/21 文献下载
摘要：本发明涉及钣金件焊接的技术领域，公开了一种钣金件自动化对焦焊接设备及其应用方法，包括自动焊接机和设于自动焊接机的加工平台顶面的折角架，折角架是由直角架和直角板组合而成，自动焊接机内设有用于直角架和直角板位置校准的校准部件，校准部件包括设于自动焊接机的焊接头周侧的校准光线仪和若干个设于自动焊接机内的CCD检测仪，若干个CCD检测仪分别对应着直角架的两个条板，自动焊接机的加工平台是透明的钢化玻璃材质。本申请具有改善不易检测多种钣金件相结合的部位的缝隙是否符合误差范围的效果。
钣金件自动化对焦焊接设备及其应用方法

[发明专利]一种基于遗传算法的单煤配煤优化方法-CN202310720365.0在审
发明人：金锋;李子琪;赵珺;王伟 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G06Q10/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于遗传算法的单煤配煤优化方法，包括如下步骤：由现场煤场库存管理采集各单种煤的质量指标及对应价格；建立以配煤成本最低为目标函数，焦炭质量指标和单种煤配比范围为约束条件的配煤优化模型；采用遗传算法求解所述配煤优化模型，获得经济性最优的配煤方案。本发明结合炼焦配煤要求，根据配合煤和焦炭之间的关系，以配合煤成本最低作为配煤比的优化目标，将焦炭的各项质量指标、配比范围等作为约束条件，建立配煤优化模型，并采用改进的遗传算法对其进行求解，从而给出经济性最佳的配煤方案。
一种基于遗传算法单煤配煤优化方法

[发明专利]JFET器件的制备方法、JFET器件及其版图结构-CN202010146282.1有效
发明人：蔡莹;金锋 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：本申请公开了一种JFET器件的制备方法、JFET器件及其版图结构，该方法包括：提供一衬底，衬底中形成有深N型阱，衬底上形成有场氧层；在衬底中形成P型阱，P型阱与场氧层的底部相交叠；在场氧层上形成第一栅场板、第二栅场板和第三栅场板；在衬底中形成第一P型重掺杂区和第二P型重掺杂区；在衬底中形成第一N型重掺杂区、第二N型重掺杂区和第三N型重掺杂区。本申请通过在制备JFET器件的过程中，使P型阱向漏极扩张，包覆场氧层底部的部分区域，从而降低了靠近第一栅极的场氧层的电场强度，在一定程度上降低了在对场氧层进行减薄后的击穿风险，提高了JFET器件的可靠性。
jfet 器件制备方法及其版图结构

[发明专利]开关LDMOS器件的制造方法-CN202010817030.7有效
发明人：张晗;杨新杰;金锋;乐薇 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本申请公开了一种开关LDMOS器件的制造方法，涉及半导体制造领域。该方法包括在衬底上形成有源区；在CMOS区域形成CMOS器件的第一阱区；在衬底表面形成栅氧化层；形成CMOS器件的栅极和开关LDMOS器件的栅极；在开关LDMOS区域形成开关LDMOS器件的第二阱区，第一阱区与第二阱区不相同；形成开关LDMOS器件的高压掺杂区；形成器件的栅极侧墙；形成CMOS器件和开关LDMOS器件的源区、漏区；解决了目前集成制作CMOS器件和开关LDMOS器件，开关LDMOS器件的性能受到CMOS器件限制的问题；达到了提升开关LDMOS器件的性能，满足新的应用场景的效果。
开关 ldmos 器件制造方法

[实用新型]一种坚硬岩石的快速破碎装置-CN202320690410.8有效
发明人：李建峰;金锋 -专利权人：中交二公局第七工程有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： E21B1/02 文献下载
摘要：本实用新型属于桥梁施工技术领域，尤其是一种坚硬岩石的快速破碎装置，包括通过连接座与冲孔桩机吊绳连接的锤体，所述锤体的上表面开设有安装孔，所述安装孔的内壁固定连接有配合套，所述锤体的内壁开设有缓冲腔，所述缓冲腔的内壁套接有对岩石进行首冲的冲击锤头，所述缓冲腔的内壁设置有用于对所述冲击锤头进行缓冲的缓冲部件。该坚硬岩石的快速破碎装置，通过设置冲击锤头和缓冲部件，使得冲击锤头率先与桩孔的底部接触，进行冲击破碎，冲击力集中，进而提高对坚硬岩石的破碎效率，且通过缓冲部件对冲击锤头进行缓冲，并将缓冲腔内的热量及时排出，避免冲击锤头与锤体之间的相对作用力造成桩锤的损坏。
一种坚硬岩石快速破碎装置

[实用新型]摄像头安装总成和车辆-CN202321218412.3有效
发明人：王丹;金锋 -专利权人：长城汽车股份有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B60R11/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种摄像头安装总成和车辆，摄像头安装总成包括：备胎支架、摄像头支架和紧固件，摄像头支架用于固定摄像头，摄像头支架设置于备胎支架，紧固件穿设备胎支架和摄像头支架，以将两者固定连接。通过紧固件将摄像头支架和备胎支架直接固定连接起来，从而可以使安装结构更加稳固，以及可以减小摄像头支架和备胎支架之间的装配公差，进而可以优化摄像头的偏心问题。
摄像头安装总成车辆

[发明专利]采用高温蒸汽和电复合加热的保护渣喷雾干燥方法及系统-CN202310673349.0在审
发明人：程立;金锋;刘西琨 -专利权人：中钢设备有限公司
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： B01D1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用高温蒸汽和电复合加热的保护渣喷雾干燥方法及系统，方法包括以下步骤：空气过滤步骤：将外界待加热的空气经过空气过滤器进行过滤；一级加热步骤：将过滤后的空气通过引风机引入到热交换器中，所述热交换器中注入有电厂高温水蒸气，所述过滤后的空气与所述电厂高温水蒸气进行蒸汽交换，实现一级加热；二级加热步骤：将经过一级加热后的空气引入到电阻加热器中，进行二级加热，并加热至目标温度；喷雾干燥步骤：将经过二级加热的空气引入到喷雾造粒干燥塔中，在所述喷雾造粒干燥塔中进行热交换。本发明能够充分利用热能，实现两次复合加热，比传统燃气的热风炉吨加工成本降低，可实现零碳排放。
采用高温蒸汽复合加热保护喷雾干燥方法系统

[发明专利]电加热还原性气体的方法、装置及应用-CN202210657285.0有效
发明人：付艳鹏;化光林;裘喆;金锋;程立 -专利权人：中钢设备有限公司
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C21B5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电加热还原性气体的方法、装置及应用，该方法包括：将还原性气体进行三段电加热，其中，第一阶段加热是将还原性气体从初始温度T0加热至T1，第二阶段加热是将经过第一阶段加热的还原性气体从T1加热至T2，第三阶段加热是将经过第二阶段加热的还原性气体从T2加热至T3；T1为300℃‑550℃，T2为680℃‑900℃，T3为900℃以上。该方法和装置能够使用电能进行加热，能够解决现有技术还原性气体加热产生CO2排放以及析碳积累引起管道堵塞的问题，减少CO2排放，避免加热装置内积碳。
加热原性气体方法装置应用

[实用新型]一种镁碳耐火砖生产用开槽装置-CN202321156560.7有效
发明人：金锋;杨大军;杨大林;王进 -专利权人：江苏鑫耐新材料有限公司
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： B28D1/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种镁碳耐火砖生产用开槽装置，包括工作台、油缸座、固定夹板、镁碳砖本体、开槽结构、电机和限位板，所述工作台的外壁两侧均设置有油缸座，所述油缸座的输出端一侧安装有固定夹板，两个所述固定夹板均位于工作台的内侧两端，两个所述固定夹板之间夹持设置有镁钙砖本体，所述镁钙砖本体为横向放置，所述工作台的内壁贯穿设置有开槽结构，所述开槽结构为纵向设置，且开槽结构的输出端位于镁钙砖本体的外侧，所述开槽结构的末端连接有电机，且电机位于工作台的外壁一侧，所述开槽结构的上方设置有限位板。该镁碳耐火砖生产用开槽装置，通过工作台的两侧安装油缸主要是能够使装置从两侧来实行对镁碳砖本体夹固的需求。
一种耐火砖生产开槽装置

[发明专利]高压隔离环结构-CN202310679861.6在审
发明人：潘山山;蔡莹;金锋 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压隔离环结构，所述高压隔离环将所述LDMOS器件与高压区之间进行隔离；所述的高压隔离环包含有P阱、P型注入层以及P型埋层；所述的P阱、P型注入层以及P型埋层是与LDMOS器件的P阱、P型注入层以及P型埋层同步形成。通过夹断所述的高压隔离环，切断或者降低LDMOS的P阱对高压隔离环的P阱的空穴补偿能力，使高压隔离环的P阱更容易耗尽，从而提高所述高压隔离环的击穿电压。
高压隔离结构

[发明专利]基于SOI衬底的DTI隔离形成工艺-CN202310721133.7在审
发明人：王俊杰;蔡莹;朱兆强;金锋 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于SOI衬底的DTI隔离形成工艺，在SOI衬底上进行刻蚀形成DTI沟槽；所述DTI沟槽的刻蚀，其底部仍保留一定厚度的外延硅层；进行热氧化工艺，充分氧化使所述DTI沟槽底部剩余的外延硅层全部转化为氧化层；对所述DTI沟槽进行多晶硅膜层淀积，将所述DTI沟槽的剩余空间填充满多晶硅。本发明工艺为了防止DTI沟槽底部产生空洞而降低隔离环耐压，采用在DTI沟槽刻蚀完成后，DTI沟槽底部保留一定厚度的外延硅层，然后通过热氧化工艺将DTI沟槽底部的残余外延硅层氧化成氧化膜，该氧化膜与SOI衬底自带的氧化层形成为一体完全包围隔离环，不会形成空洞或者空隙，从而形成良好的隔离介质。
基于 soi 衬底 dti 隔离形成工艺

[发明专利]无接触管幕法模型试验装置-CN202210379447.9有效
发明人：洪冲;庄欠伟;周东荣;袁玮皓;张弛;陈世海;翟一欣;谢友勇;李炎龙;朱海荣;黄志红;金锋;杨正;朱小东;袁一翔;胡建;金强强;魏良孟;陆伦捷;赵九龙 -专利权人：交通运输部上海打捞局;上海隧道工程有限公司;上海城建隧道装备有限公司;上海盾构设计试验研究中心有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： E02B1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种无接触管幕法模型试验装置，包括:试验箱体，内部形成有试验空间；填设于试验空间内的模拟土；埋设在模拟土内的模拟埋物；埋设于模拟土内的多个孔隙水压力计；设于模拟埋物上的多个土压力计；打设于模拟土内并设于模拟埋物外周的打捞框架，顶部形成有发射平台；可与打捞框架的发射平台连接并可向模拟土中以弧线型路径顶进的模拟管节，模拟管节呈弧形状，模拟管节可自模拟埋物底部的模拟土中穿过并包裹模拟埋物。本发明能够精确的获取模拟管节在顶进的过程中扰动情况，为无接触管幕法打捞装置的打捞效果提供有有效的验证，还能够为打捞装置及工法的设计提供精确的指导。
接触管幕法模型试验装置

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