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[发明专利]制造半导体器件的方法-CN201711281149.1有效
发明人：裵起浩;金载皙;金镐永;尹普彦;李暻泰;金官性;朴恩智 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成沿第一方向延伸并沿第二方向彼此间隔开的栅电极；在所述栅电极上形成封盖图案；形成填充相邻栅电极之间的空间的层间电介质层；在所述层间电介质层上形成具有开口的硬掩模，所述开口选择性地暴露第二封盖图案至第四封盖图案；使用所述硬掩模作为蚀刻掩模在所述第二栅电极和第三栅电极之间以及所述第三栅电极和第四栅电极之间的所述层间电介质层中形成孔；在所述孔中形成阻挡层和导电层；执行第一平坦化以暴露所述硬掩模；执行第二平坦化以暴露所述阻挡层的覆盖第二封盖图案至第四封盖图案的部分；以及执行第三平坦化以完全暴露所述第一封盖图案至第四封顶图案。
制造半导体器件方法

[发明专利]抛光垫的基垫和包括该基垫的多层垫-CN200580001483.6有效
发明人：宋侑真;李宙悦;金成民;金载皙;李炫雨 -专利权人：株式会社SKC
申请日： 2005-02-16 - 公布日： 2007-01-31 - 主分类号： B24D11/00 文献下载
摘要：本发明揭示了一种在化学机械抛光即平面化处理过程中与抛光浆液结合使用的抛光垫的基垫，还揭示了使用该基垫的多层垫。由于根据本发明的基垫不含小孔，可以防止抛光浆液和水的渗透，以避免物理性质的不均匀，从而可以延长抛光垫的寿命。
抛光包括多层