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[发明专利]锂二次电池正极活性材料及其制备方法、锂二次电池-CN201880090247.3有效
发明人：闵盛焕;金祯汉;宋定勋 -专利权人：浦项控股股份有限公司;浦项产业科学研究院;浦项化学株式会社
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01M4/525 文献下载
摘要：本发明公开一种锂二次电池正极活性材料，其包含由下述化学式1表示的化合物。[化学式1]Li1+mNi1‑w‑x‑y‑zCowMnxM1yM2z02‑pXp在所述化学式1中，M1和M2互不相同，分别为选自Al、Mg、Zr、Sn、Ca、Ge、Ti、Cr、Fe、Zn、Y、Ba、La、Ce、Sm、Gd、Yb、Sr、Cu和Ga中的任何一种元素，X为选自F、N、S和P中的任何一种元素，w、x、y、z、p和m分别为0.125＜w＜0.202、0.153＜x＜0.225、0≤y≤0.1、0≤z≤0.1、0.34≤w+x≤0.36、0≤p≤0.1、‑0.1≤m≤0.2。
二次电池正极活性材料及其制备方法

[发明专利]锂二次电池正极活性材料、其制备方法和包含它的锂二次电池-CN201880090298.6有效
发明人：闵盛焕;金祯汉;宋定勋 -专利权人：浦项控股股份有限公司;浦项产业科学研究院;浦项化学株式会社
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种锂二次电池正极活性材料、其制备方法和包含它的锂二次电池。所述锂二次电池正极活性材料，其由内核和涂层组成，所述内核是锂金属氧化物，所述涂层包含硼，所述涂层中硼化合物包含锂硼氧化物和硼氧化物，所述锂硼氧化物在整个涂层中占至少70重量％且不大于99重量％，所述锂硼氧化物包含Li2B4O7，相对于所述锂硼氧化物100重量％，Li2B4O7的含量为55重量％至99重量％。
二次电池正极活性材料制备方法包含

[发明专利]锂二次电池用正极活性物质及包含其的锂二次电池-CN201880100011.3在审
发明人：南相哲;金宰韩;金祯汉;宋定勋 -专利权人：株式会社POSCO;浦项产业科学研究院;浦项化学株式会社
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本公开涉及一种锂二次电池用正极活性物质及包含其的锂二次电池，所述锂二次电池用正极活性物质包含以化学式1表示的第一化合物及以化学式2表示的第二化合物，其中所述第一化合物的含量以正极活性物质100重量％为基准，为65重量％以上。[化学式1]Lia1Nib1Coc1Mnd1M1e1M2f1O2‑f1，[化学式2]Lia2Nib2Coc2Mnd2M3e2M4f2O2‑f2，化学式1及2的各组成及摩尔比与说明书中所定义的相同。
二次电池正极活性物质包含

[发明专利]集成气囊传感器模块的车体-CN201380049185.9有效
发明人：金准基;李昌祐;俞世勋;方政丸;高溶浩;金祯汉;徐宗德;金大根;元矿祐 -专利权人：韩国生产技术研究院;株式会社新永
申请日： 2013-09-23 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： B60R21/01 文献下载
摘要：本发明涉及一种集成气囊传感器模块的车体，其中该气囊传感器以粘合方式附着于车体，为了感测车辆撞击时的撞击而感测车体的变形量。根据本发明的一实施例公开了一种气囊传感器模块，其以粘合方式安装，并且该气囊传感器模块包括主基板，其以粘合方式附着于车体；以及撞击感测传感器部，其形成于上述主基板上，且包括根据由车体的撞击产生的车体的变形而变形，从而测定其变形量的应变式传感器，从而感测车体是否发生撞击。
集成气囊传感器模块车体

[发明专利]具有用于形成密闭空间的混合接合结构的铜部件及其接合方法-CN201180002707.0有效
发明人：金準基;金锺勋;金祯汉;李昌祐;俞世勋;金哲熙;方政丸;高溶浩 -专利权人：韩国生产技术研究院
申请日： 2011-04-22 - 公布日： 2013-02-20 - 主分类号： F16B11/00 文献下载
摘要：本发明提供了具有密闭空间的铜部件。该铜部件包括主体部和紧固装置。主体部包括由铜制造的上联接板，以及与上联接板联接的下联接板，下联接板由铜制造。在上联接板和下联接板之间形成有密闭空间，密闭空间填充有功能材料。在上联接板和下联接板上围绕密闭空间分别形成第一粘合面和第二粘合面。粘合剂涂布至第一粘合面和第二粘合面。紧固装置设置在上联接板的第一粘合面和下联接板的第二粘合面之间，从而将上联接板与下联接板紧固。
具有用于形成密闭空间混合接合结构部件及其方法

[发明专利]半导体晶片全通导孔内的金属填充装置和利用该装置的填充方法-CN200980159589.7有效
发明人：俞世勋;李昌祐;金准基;金祯汉;金哲熙;高永基;辛义善 -专利权人：韩国生产技术研究院
申请日： 2009-12-30 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明旨在提供一种半导体晶片全通导孔内的金属填充装置和利用该装置的填充方法，其目的在于提供一种相对于现有电镀法工序更加简单、方便，可降低工序费用的半导体晶片全通导孔内的金属填充装置和利用该装置的填充方法。为此，本发明的金属填充装置包括：夹具底座，具备对形成有全通导孔的晶片进行固定的夹具；上部气室，设置在所述夹具底座的上部；下部气室，设置在所述夹具底座的下部；加热器，设置在所述上部气室的内部，对放置于晶片上的填充金属进行加热使其熔融；真空泵，向外排出所述下部气室的空气以降低下部气室的压力，导致上部气室和下部气室之间产生压差，从而将熔融的填充金属填充至全通导孔。
半导体晶片全通导孔内金属填充装置利用方法

[发明专利]Sn-Ag-Cu-In四元无铅焊剂组合物-CN200810093839.9无效
发明人：李宗炫;李昌祐;金祯汉 -专利权人：韩国生产技术研究院
申请日： 2008-04-30 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： B23K35/26 文献下载
摘要：本发明提供一种Sn-Ag-Cu-In四元无铅焊剂组合物，该焊剂组合物可以防止成本的增加，并可以充分确保其作为焊料时的加工性和机械性能。为了达到这个目的，向无铅焊剂组合物中添加合适量的铟(In)，并对Ag的添加量进行优化，因此可抑制由于Ag的量降低而引起的润湿性降低，并可提高耐热循环性和耐机械冲击性。所述四元无铅焊剂组合物包含大于等于约0.3重量％并且小于约2.5重量％的银(Ag)、大于等于约0.2重量％并且小于约2.0重量％的铜(Cu)、大于等于约0.2重量％并且小于约1.0重量％的铟(In)以及余量的锡(Sn)。
sn ag cu in 四元无铅焊剂组合