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[发明专利]半导体工艺用组合物和基板的抛光方法-CN202310384135.1在审
发明人：韩德洙;洪承哲;朴韩址;金桓铁;李亨株 -专利权人： SK恩普士有限公司
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体工艺用组合物和基板的抛光方法。所述半导体工艺用组合物包括：抛光颗粒，用氨基硅烷类化合物进行表面改性；铜腐蚀抑制剂，包含唑类化合物；铜表面保护剂，包含具有甜菜碱基和水杨基的化合物或其衍生物；及表面活性剂，在分子中含有氟；经过表面改性的所述抛光颗粒的表面具有氨基硅烷基团。根据本实施方式，可以更有效地进行抛光工艺，尤其，在适用于具有穿通电极的基板的抛光工艺时，可以使凹陷、腐蚀及突起等缺陷最小化。并且，在抛光在外部暴露有多个不同膜质的表面时，可以实现平坦抛光结果而没有各个膜质之间的厚度偏差。
半导体工艺组合抛光方法

[发明专利]半导体工艺用组合物、其制造方法和半导体器件制造方法-CN202310072545.2在审
发明人：洪承哲;韩德洙;朴韩址;金桓铁;金圭勋;郑恩先 -专利权人： SK恩普士有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体工艺用组合物、其制造方法和半导体器件制造方法。本发明涉及一种半导体工艺用组合物，其适用于半导体晶片的抛光工艺，更具体而言，适用于涉及半导体晶片的抛光工艺的半导体工艺，所述半导体工艺用组合物包含抛光颗粒，在pH 6的条件下，所述抛光颗粒的ZETA电位为‑50mV至‑10mV，并且由以下第1式表示的ZETA电位变化率为6mV/pH至30mV/pH，第1式：ZETA电位变化率(mV/pH)＝|(Z6‑Z5)/(p6‑p5)|，在所述第1式中，所述p6为pH 6，所述p5为pH 5，所述Z6为在所述pH 6条件下的ZETA电位，所述Z5为在所述pH 5条件下的ZETA电位。
半导体工艺组合制造方法半导体器件

[发明专利]半导体工艺用抛光组合物、基板和半导体器件的制造方法-CN202111612498.3在审
发明人：洪承哲;韩德洙;金桓铁;朴韩址;李亨株 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本实施方式提供一种半导体工艺用抛光组合物、基板和半导体器件的制造方法等。本实施方式可以提供半导体工艺用抛光组合物，其抛光率、选择比等提高，且分散性得到改善，还可提供适用该半导体工艺用抛光组合物来抛光的基板的制造方法。
半导体工艺抛光组合半导体器件制造方法

[发明专利]化学机械抛光浆料组合物及使用其制造半导体器件的方法-CN201110433308.1有效
发明人：韩德洙;金桓铁;金錫主;朴烋范 -专利权人：韩国首尔步瑞株式会社
申请日： 2011-12-16 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种用于化学机械抛光的浆料组合物，其包含0.1wt％至20wt％的表面经氨基硅烷处理的抛光剂；0.001wt％至5wt％的添加剂，其选自氨基酸、氨基酸衍生物、其盐，和它们的组合；0.0001wt％至0.5wt％的缓蚀剂；和0.01wt％至5wt％的氧化剂，其余的为溶剂。所述用于化学机械抛光的浆料组合物对于氧化硅膜具有显著高的抛光速率，能够选择性地防止去除氮化硅膜，不导致不均衡的抛光，提供优异的平坦化度，具有优异的随时间的稳定性和分散稳定性，产生较少的颗粒和划痕，且产生令人非常满意的阻挡金属膜和氧化物膜的抛光表面。
化学机械抛光浆料组合使用制造半导体器件方法