“金廷俊”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果10个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]薄膜晶体管基板以及包括薄膜晶体管基板的显示设备-CN202310363735.X在审
发明人：张允琼;柳元相;李永镇;李汉锡;申星修;梁祯烈;金廷俊;郑智焕;崔昭阳;林瑜彬 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10K59/121 文献下载
摘要：公开一种薄膜晶体管基板以及包括薄膜晶体管基板的显示设备。所述薄膜晶体管基板包括：基板；设置在所述基板上的第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一有源层和第一栅极；设置在所述基板上的第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括第二有源层和第二栅极，所述第二有源层和所述第二栅极的每一个设置在所述第一有源层和所述第一栅极的上方；设置在所述第一栅极和所述第二有源层之间的第一绝缘层；以及连接所述第一栅极和所述第二有源层的第一连接电极，其中所述第一连接电极穿过设置在所述第一绝缘层中的第一接触孔延伸，并且与所述第一栅极和所述第二有源层的每一个接触。
薄膜晶体管以及包括显示设备

[发明专利]发送装置及包括该发送装置的电子装置-CN202180072590.7在审
发明人： 金廷俊;安镕骏;罗孝锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H04B1/04 文献下载
摘要：本公开的各种实施例涉及一种用于在电子装置中通过异构网络发送无线信号的装置。为此，所述电子装置可包括：开关，用于通过使用从多个电源供应器输入的至少两个偏置电压作为其输入并且使用所述两个偏置电压中的一个作为其输出来执行切换；以及第一功率放大器，被包括在多个发送链中能够选择性地支持异构网络的至少一个第一发送链中，并且通过从所述开关提供的偏置电压放大用于发送的射频信号。另外，各种实施例可以是可能的。
发送装置包括电子

[发明专利]阵列基板、包括其的数字X射线检测器及其制造方法-CN201811444296.0有效
发明人：罗炯壹;金廷俊;李汉锡 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：公开了一种用于数字X射线检测器的阵列基板、包括该阵列基板的数字X射线检测器以及用于制造该阵列基板的方法。阵列基板减小PIN二极管的台阶差，从下部去除弯曲部分以减少PIN二极管的特性劣化，并增加PIN二极管的形成区域的尺寸以增加填充因子。为此，阵列基板使得包括在薄膜晶体管中的有源层的源极区与PIN二极管的下电极表面接触，并将下电极设置在平坦化的源极区或基底基板上方，使得可以减小PIN二极管的台阶差并且提高填充因子。
阵列包括数字射线检测器及其制造方法

[发明专利]阵列基板、X射线检测器、及用于制造该阵列基板的方法-CN201811030613.4有效
发明人：郑丞容;李汉锡;罗炯壹;金廷俊 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2018-09-05 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了一种用于数字X射线检测器的阵列基板、一种包括该阵列基板的数字X射线检测器、以及用于制造该阵列基板的方法。用于数字X射线检测器的薄膜晶体管(TFT)阵列基板包括：基础基板；所述基础基板之上的薄膜晶体管；连接至所述薄膜晶体管的下电极；所述下电极之上的正‑本征‑负(PIN)层，所述PIN层包含N型半导体层、本征半导体层、以及P型半导体层；所述PIN层之上的偏置电极；以及覆盖所述PIN层和所述偏置电极的上电极。
阵列射线检测器用于制造方法

[发明专利]用于数字X射线检测器的阵列基板及其制造方法-CN201811032908.5有效
发明人：罗炯壹;李汉锡;金廷俊;郑丞容 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2018-09-05 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种用于数字X射线检测器的阵列基板可以包括：基底基板；被设置在基底基板上方的薄膜晶体管；正‑本征‑负(positive‑intrinsic‑negative，PIN)二极管，其包括电连接至薄膜晶体管的下电极、被设置在下电极上方的第一PIN层和被设置在第一PIN层上方的上电极；与PIN二极管间隔开的第二PIN层，第二PIN层被设置在薄膜晶体管上方；以及电连接至上电极的偏置电极。
用于数字射线检测器阵列及其制造方法

[发明专利]数字X射线检测器用阵列基板及包括其的X射线检测器-CN201811549038.9有效
发明人：田惠知;郑丞容;李汉锡;罗炯壹;金廷俊 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本公开公开了一种数字X射线检测器用阵列基板及包括其的X射线检测器，该阵列基板使偏压电极与PIN二极管之间的接触电阻最小化，并且改善了PIN二极管的填充因子。在阵列基板中，其中附加地设置有连接至第一偏压电极的由透明导电材料形成的第二偏压电极的双偏压电极连接至PIN二极管的上电极，使得偏压电极的总电阻减小且由不透明材料形成的第一偏压电极的线宽减少，从而使得PIN二极管的填充因子增加。
数字射线检测器用阵列包括检测器

[发明专利]数字X射线检测器的阵列基板和数字X射线检测器-CN201811434008.3有效
发明人：李汉锡;罗炯壹;金廷俊;郑丞容 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L31/115 文献下载
摘要：公开了一种用于数字X射线检测器的阵列基板和包括该阵列基板的数字X射线检测器。阵列基板有效地保护PIN二极管免受外部湿气或水的影响，使PIN二极管的光透射区域最大化，并且通过使偏置布线的区域最大化来减小电阻。为此，使用被形成为覆盖PIN二极管的外周表面的闭环偏置电极。具体地，偏置电极包括闭环部分和接触延伸部分。该接触延伸部分从闭环部分的一端延伸以直接接触上电极，并且闭环偏置电极包括中空部。
数字射线检测器阵列

[发明专利]包含多种类型薄膜晶体管的有机发光显示装置及其制造方法-CN201710756243.1有效
发明人：罗炯壹;金廷俊 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2017-08-29 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：公开了包含多种类型薄膜晶体管的有机发光显示(OLED)装置及其制造方法。OLED装置包括：具有第一沟道层、第一栅电极、第一源电极和第一漏电极的低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管；具有第二沟道层、第二栅电极、第二源电极和第二漏电极的氧化物半导体薄膜晶体管；以及在第一沟道层和第一栅电极之间的功能层。第二沟道层与功能层的上表面相接触。
包含多种类型薄膜晶体管有机发光显示装置及其制造方法

[发明专利]数字X射线检测器和用于其的薄膜晶体管阵列衬底-CN201910899159.4在审
发明人： 金廷俊;李永镇;韩永勋;张允琼 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2019-09-23 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及数字X射线检测器和用于其的薄膜晶体管阵列衬底。公开了用于数字X射线检测器的薄膜晶体管阵列衬底，其中，可以使由氧化物半导体制成的薄膜晶体管的电特性的劣化最小化并且可以使由外部湿气引起的PIN二极管的老化最小化。此外，公开了包括阵列衬底的数字X射线检测器。为此，阵列衬底包括具有各种图案的第二保护层，以覆盖PIN二极管的至少一部分但不覆盖薄膜晶体管。第二保护层包括SiNx。由此，可以确保从薄膜晶体管的脱氢路径并且可以实现PIN二极管的外部湿气阻挡效果。
数字射线检测器用于薄膜晶体管阵列衬底

[发明专利]齐留通乳膏剂型的局部用抗炎症药学组合物-CN201480057004.1有效
发明人：南基然;金廷俊;吴秀贤;李世渊;安知艺 -专利权人：科瑞特有限公司
申请日： 2014-08-13 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： A61K9/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种齐留通乳膏剂型的局部用抗炎症药学组合物，更为具体地，所述齐留通乳膏剂型在常温下保持稳定性，并且可局部适用，从而将药理效果最大化的同时将全身吸收最小化，进而将化合物引起的毒性最小化，因此适合在因白细胞三烯组合物引发的皮肤病的局部治疗。
齐留通乳膏剂局部炎症药学组合

1
共 10 条