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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201810054537.4有效
发明人：金宰范;金岁玲;林俊亨;金兑相 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2018-01-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10K59/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括基底基板。第一薄膜晶体管被布置在基底基板上。第一薄膜晶体管包括第一输入电极、第一输出电极、布置在第一绝缘层下方的第一半导体图案和布置在第一绝缘层上且第二绝缘层下方的第一控制电极。第二薄膜晶体管包括第二输入电极、第二输出电极、布置在第二绝缘层上的第二半导体图案和布置在绝缘图案上的第二控制电极，绝缘图案被形成在第二半导体图案上并且暴露第二半导体图案的一部分。第一半导体图案包括晶体半导体。第二半导体图案包括氧化物半导体。第一半导体图案、第一控制电极、第二半导体图案和第二控制电极重叠。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]显示装置-CN202110894831.8在审
发明人：文然建;金兑相;朴晙晳;孙尚佑;具素英 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明的一实施例提供一种显示装置，包括：基板，包括显示区域以及所述显示区域外围的周边区域；像素电路，配置于所述显示区域，并包括驱动薄膜晶体管以及开关薄膜晶体管；以及显示要件，与所述像素电路连接，所述驱动薄膜晶体管包括以单层设置的驱动半导体层，所述开关薄膜晶体管包括以氧化物半导体设置的第一层、第二层、第三层依次叠层的开关半导体层，所述第二层的电导率高于所述第一层以及所述第三层的电导率。
显示装置

[发明专利]显示装置和制造显示装置的方法-CN202110589768.7在审
发明人：朴根彻;朴晙晳;金明花;金兑相;文然建;孙尙佑;林俊亨;崔惠临 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：提供了显示装置和制造显示装置的方法。显示装置包括衬底、第一像素、第二像素、第一电线组和第二电线组。第一像素和第二像素与衬底重叠并且在第一方向上彼此邻近。第一电线组在第二方向上延伸，包括第一导线和第一传输线，并且可传送第一数据信号。第一导线定位在衬底与第一传输线之间，并且通过第一传输线连接到第一像素。第二电线组在第二方向上延伸，包括第二导线和第二传输线，并且可传送第二数据信号。第二导线定位在衬底与第二传输线之间，并且将第二传输线电连接到第二像素。
显示装置制造方法

[发明专利]晶体管和包括该晶体管的显示装置-CN202110803587.X在审
发明人： 金兑相;金珉成;金显栽;林俊亨 -专利权人：三星显示有限公司;延世大学校产学协力团
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了一种晶体管和包括该晶体管的显示装置。该晶体管包括栅电极、面对栅电极的有源层以及连接到有源层的源电极和漏电极。有源层包括下有源层和上有源层，下有源层包括氧化物基半导体材料，上有源层包括氧化物基半导体材料和吸氧材料。
晶体管包括显示装置

[发明专利]薄膜晶体管基板及配备该薄膜晶体管基板的显示装置-CN202110346338.2在审
发明人：孙尙佑;文然建;金明花;金兑相;朴根徹;朴晙皙;林俊亨;崔惠临 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管基板及配备该薄膜晶体管基板的显示装置。为了实现薄膜晶体管基板内载流子迁移率增加的薄膜晶体管基板及配备该薄膜晶体管基板的显示装置，本发明的薄膜晶体管基板包括：有源层，布置于基板上，并且包括第一半导体物质层、布置于所述第一半导体物质层上并包括金属原子的导体层以及布置于所述导体层上的第二半导体物质层；栅极绝缘层，布置于所述有源层上；以及栅极电极，布置于所述栅极绝缘层上，并且至少一部分重叠于所述有源层。
薄膜晶体管配备显示装置

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN202110422889.2在审
发明人：崔惠临;朴晙晳;金明花;金兑相;文然建;朴根徹;孙尙佑;林俊亨 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明涉及显示装置及其制造方法。该显示装置包括：基板，包括第一区和第二区；第一有源层，位于第一区上，并且包括第一沟道区、在第一沟道区的一侧的第一源区、在第一沟道区的另一侧的第一漏区以及在从第一源区到第二区的方向上延伸的第一延伸区；第一栅电极，位于第一有源层上方，并且与第一沟道区重叠；驱动电压线，位于第一有源层上，与第一源区重叠，并且沿着第一延伸区延伸；第一连接电极，位于第一漏区上；以及像素电极，位于第一栅电极上方，并且连接到第一连接电极。
显示装置及其制造方法

[发明专利]显示装置及制造显示装置的方法-CN202110422391.6在审
发明人：朴晙晳;金明花;金兑相;文然建;朴根彻;林俊亨;崔惠临 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：提供了显示装置和制造显示装置的方法。显示装置可包括第一栅电极、缓冲层、第一有源图案、源图案和漏图案、绝缘层、氧供给图案、第二有源图案、绝缘图案和第二栅电极，第一栅电极位于衬底上，缓冲层位于第一栅电极上，第一有源图案位于缓冲层上，与第一栅电极重叠并且包括氧化物半导体，源图案和漏图案分别位于第一有源图案的端部上，绝缘层与缓冲层上的源图案和漏图案重叠，氧供给图案位于绝缘层上，与第一有源图案重叠并且将氧供给到第一有源图案，第二有源图案位于绝缘层上并且与氧供给图案间隔开，第二有源图案包括沟道区以及源区和漏区，绝缘图案位于第二有源图案的沟道区上，第二栅电极位于绝缘图案上。
显示装置制造方法

[发明专利]显示装置和制造显示装置的方法-CN202110381318.9在审
发明人：金明花;朴晙晳;金兑相;文然建;朴根彻;孙尙佑;林俊亨;崔惠临 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：提供了一种显示装置和制造显示装置的方法。所述显示装置包括：基底；第一晶体管的第一有源层和第二晶体管的第二有源层，设置在基底上；第一栅极绝缘层，设置在第一有源层上；氧化物层，设置在第一栅极绝缘层上，并且包括氧化物半导体；第一栅电极，设置在氧化物层上；第二栅极绝缘层，设置在第一栅电极和第二有源层上；以及第二栅电极，在基底的厚度方向上与第二有源层叠置，并且设置在第二栅极绝缘层上，其中，在厚度方向上，氧化物层与第一有源层叠置，并且不与第二有源层叠置。
显示装置制造方法

[发明专利]光电晶体管以及包括其的显示装置-CN202011259707.6在审
发明人： 金兑相;金显栽;刘赫埈;林俊亨 -专利权人：三星显示有限公司;延世大学校产学协力团
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：提供一种光电晶体管以及包括其的显示装置。根据一实施例的光电晶体管，可以包括：栅电极，布置在基板上；栅极绝缘膜，使所述栅电极绝缘；第一活性层，相隔所述栅极绝缘膜而与所述栅电极重叠，并且包括金属氧化物；第二活性层，布置在所述第一活性层上，并且包括硒；以及源电极和漏电极，分别连接于所述第二活性层。
光电晶体管以及包括显示装置

[发明专利]晶体管基底和包括晶体管基底的显示装置-CN201980069816.0在审
发明人：文然建;朴晙皙;金光淑;金明花;金兑相;朴根彻;全景辰 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2019-02-20 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：一种晶体管基底可以包括：基底，包括第一区域和第二区域；第一缓冲层，设置在基底的第一区域上，并且包括氮化硅；第二缓冲层，设置在第二区域和第一缓冲层的第一区域上，并且包括氧化硅；第一晶体管，布置在第二缓冲层的第一区域上，并且包括第一氧化物半导体层和与第一氧化物半导体层叠置的第一栅电极；以及第二晶体管，布置在第二缓冲层的第二区域上，并且包括第二氧化物半导体层和与第二氧化物半导体层叠置的第二栅电极。
晶体管基底包括显示装置

[发明专利]显示装置-CN201980063011.5在审
发明人：全景辰;朴晙皙;金光淑;金兑相;文然建;朴根徹;林俊亨 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：显示装置包括：基体基底，包括第一子像素区域、第二子像素区域和第三子像素区域；第一薄膜晶体管至第三薄膜晶体管，布置在基体基底上并且分别包括第一有源图案至第三有源图案；第一像素电极至第三像素电极，分别电连接到第一薄膜晶体管至第三薄膜晶体管，并且分别设置在第一子像素区域至第三子像素区域中；蓝色发光层，设置在第一像素电极至第三像素电极上，并且发射蓝光；第一颜色转换图案，在发光层上设置在第一子像素区域中；第二颜色转换图案，在发光层上设置在第二子像素区域中；以及红色滤色器层，设置在发光层与第一有源图案至第三有源图案之间。
显示装置

[发明专利]显示设备和制造显示设备的方法-CN202011084620.X在审
发明人：文然建;金兑相;朴晙晳;金明花;金亨俊;孙尚佑;崔惠临 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2020-10-12 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及显示设备和制造显示设备的方法。显示设备包括：基板；在基板上的第一晶体管的第一有源层和第二晶体管的第二有源层；在第一有源层上的第一栅绝缘层；在第一栅绝缘层上的第一栅电极；在第二有源层上的第二栅绝缘层；以及在第二栅绝缘层上的第二栅电极，其中第一栅绝缘层的氢浓度低于第二栅绝缘层的氢浓度。
显示设备制造方法

[发明专利]显示设备-CN202010972042.7在审
发明人：朴晙晳;金明花;金兑相;金亨俊;文然建;朴根徹;孙尙佑;林俊亨;全景辰;崔惠临 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2020-09-16 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明公开了显示设备。显示设备包括第一像素、第二像素、连接到第一像素的第一数据线以及连接到第二像素的第二数据线。第一像素和第二像素中的每个包括：晶体管，包括导电层、在导电层上的半导体层、在半导体层上的栅电极以及连接到半导体层的源/漏电极；电容器，包括与栅电极在同一层中的第一电容器电极和在第一电容器电极上的第二电容器电极；以及在晶体管和电容器上的发光器件。第一数据线与源/漏电极在同一层中，并且第二数据线与导电层和第二电容器电极中的一个在同一层中。
显示设备

[发明专利]显示设备及其制造方法-CN202010742693.7在审
发明人：朴晙晳;金明花;金兑相;金亨俊;文然建;朴根徹;孙尚佑;林俊亨;全景辰;崔惠临 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明涉及显示设备及其制造方法。该显示设备包括：基板；被布置在基板上的缓冲层；被布置在缓冲层上并且包括氧化物半导体和第一有源层的第一半导体层；被布置在第一半导体层和缓冲层上的第一栅绝缘层；被布置在第一栅绝缘层上并且包括氧化物半导体、第二有源层以及在第一有源层上的第一氧化物层的第二半导体层；被布置在第二半导体层上的第二栅绝缘层；被布置在第二栅绝缘层上的第一导电层；被布置在第一导电层上的绝缘层；被布置在绝缘层上的第二导电层；被布置在第二导电层上的钝化层；以及被布置在钝化层上的第三导电层。
显示设备及其制造方法

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN202010668282.8在审
发明人：金亨俊;金明花;金兑相;文然建;朴晙晳;孙尙佑;申相原;林俊亨;崔惠临 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2020-07-13 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：提供了显示装置和显示装置的制造方法。显示装置包括连接到扫描线和与扫描线相交的数据线的像素，像素中的每个包括发光元件、以及配置成根据从数据线施加的数据电压来控制供给到发光元件的驱动电流的第一晶体管，第一晶体管包括第一有源层和第一氧化物层，其中，第一有源层具有氧化物半导体，第一氧化物层位于第一有源层上并且具有包含锡(Sn)的结晶氧化物。
显示装置及其制造方法

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