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[发明专利]金属氧化物纳米晶及其分散液、处理方法、应用-CN202111295379.X在审
发明人： 金一政;陈德睢 -专利权人：浙江大学;纳晶科技股份有限公司
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种金属氧化物纳米晶分散液及其处理方法、金属氧化物纳米晶及其应用。该处理方法包括制备得到金属氧化物纳米晶的分散液，金属氧化物纳米晶为醇溶性且表面化学吸附了醇类溶剂，向分散液中加入短链金属羧酸盐并反应一定时间，加入沉淀剂进行沉淀并分离得到表面修饰后的金属氧化物纳米晶，其中短链金属羧酸盐选自金属甲酸盐、金属醋酸盐、金属丙酸盐的一种或多种。通过短链金属羧酸盐的表面化学修饰，降低或消除了金属氧化物纳米晶表面的电荷捕获陷阱，可以在无需“积极老化”作用的情况下，实现高性能的发光器件及装置。
金属氧化物纳米及其分散处理方法应用

[发明专利]电荷传输薄膜、材料及含其的组合物、电子器件-CN202111187968.6在审
发明人： 金一政;邓云洲;黄飞;彭沣;应磊 -专利权人：浙江大学;东莞伏安光电科技有限公司;纳晶科技股份有限公司
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本公开提供了一种电荷传输薄膜，电荷传输材料及含其的组合物、电子器件。该电荷传输薄膜包括聚合物的电荷传输材料，电荷传输薄膜的禁带宽度范围为3.0–3.5eV，通过紫外光电子能谱测得电荷传输薄膜的HOMO能级态密度分布的高斯标准偏差为σ，σ小于等于0.3eV。较宽的禁带宽度和低的能量无序度的电荷传输材料或电荷传输薄膜共同实现低的电子泄漏，从而提高了应用电荷传输材料或电荷传输薄膜的电子器件的效率。
电荷传输薄膜材料组合电子器件

[发明专利]一种高灵敏度的光热偏转光谱测试装置及校准方法-CN202210796423.3在审
发明人： 金一政;金王骁;刘杨 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G01N21/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种高灵敏度的光热偏转光谱测试装置及校准方法，包括互相垂直的探测光光路和泵浦光光路，其中，沿泵浦光光路依次布置有泵浦光光源、单色仪、光学斩波器、泵浦光透镜组和吸收池；沿探测光光路依次布置有探测光光源、空间滤波系统、探测光聚焦透镜、吸收池和位敏探测器；所述位敏感测器的信号输出端与锁相放大器的信号输入端相连，锁相放大器的输出端连接至电脑；单色仪的信号控制端与电脑相连，光学斩波器的信号输出端与锁相放大器的信号输入端相连；所述的空间滤波系统包括沿光路布置的空间滤波聚焦透镜、微孔、空间滤波准直透镜和光阑。利用本发明，可以提高光热偏转光谱的测试灵敏度，使得薄膜吸光率测试精度可以达到10‑5～10‑4。
一种灵敏度光热偏转光谱测试装置校准方法

[发明专利]一种溶剂氛围控制的钙钛矿原位成膜方法及其产品和应用-CN202110772017.9有效
发明人： 金一政;修毓灵;齐羽慧;刘杨 -专利权人：浙江大学
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种溶剂氛围控制的钙钛矿原位成膜方法，包括：在具有溶剂气体分压的气氛下，将钙钛矿前驱体溶液旋涂到基底上，加热退火结晶得到钙钛矿薄膜；溶剂气体与钙钛矿前驱体溶液中的溶剂为同种物质。本发明还公开了所述钙钛矿原位成膜方法制备得到的钙钛矿薄膜及其在制备钙钛矿发光二极管中的应用。
一种溶剂氛围控制钙钛矿原位方法及其产品应用

[发明专利]氧化锌纳米晶体、氧化锌纳米晶体组合物、其制备方法和电致发光器件-CN201810285557.2有效
发明人： 金一政;张振星;陈小朋 -专利权人：浙江大学;纳晶科技股份有限公司
申请日： 2018-04-03 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化锌纳米晶体、氧化锌纳米晶体组合物、其制备方法和电致发光器件。该氧化锌纳米晶体包括氧化锌纳米晶主体和表面配体，该表面配体包括一种或多种巯基醇配体，巯基醇配体具有如下结构式：‑S‑R‑OH，其中，R代表直链烷基链或支链烷基链。S元素与Zn元素的配位能力要强于O元素，因此，选择巯基醇来对氧化锌纳米晶表面Zn元素初始的羧酸根和氢氧根进行配体交换，最终形成表面为Zn‑S‑ROH的氧化锌纳米晶。纳米晶经过配体交换后有效解决了由于羧酸根和氢氧根容易脱落或配位不完全导致的表面缺陷发光，同时改进了氧化锌纳米晶膜的电学性质，进而解决了电致发光器件中的延时发光问题。
氧化锌纳米晶体组合制备方法电致发光器件

[发明专利]发光器件及发光器件的制备方法-CN202010242291.0有效
发明人： 金一政;崔洁圆;刘杨 -专利权人：浙江大学;纳晶科技股份有限公司
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种发光器件的制备方法及发光器件，该发光器件的制备方法包括：准备钙钛矿前体液，准备发光器件的功能基板，将钙钛矿前体液覆盖于功能基板的上表面，得到钙钛矿前体液态层，对钙钛矿前体液态层进行加热，从而形成包括纳米片的钙钛矿发光层；钙钛矿前体液包括至少一芳香族化合物，调节该芳香族化合物在钙钛矿前体液中的摩尔比例从而调节钙钛矿发光层中纳米片的平行于功能基板的水平偶极比例，使得水平偶极比例为大于67％。
发光器件制备方法

[发明专利]一种光电器件及其制备方法-CN202010265478.2有效
发明人： 金一政;陈德睢;戴兴良;陈栋 -专利权人：浙江大学;纳晶科技股份有限公司
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种光电器件及其制备方法，该光电器件包括依次叠置的基底、第一电子传输层和第二电子传输层，第一电子传输层的材料为第一氧化锌纳米晶，第二电子传输层的材料为第二氧化锌纳米晶，第一氧化锌纳米晶具有第一尺寸、且第一氧化锌纳米晶存在第一缺陷态发光波长或不存在缺陷态发光，能够抑制基底和第一电子传输层界面的激子淬灭；第二氧化锌纳米晶具有第二尺寸、且第二氧化锌纳米晶存在第二缺陷态发光波长或不存在缺陷态发光，第一尺寸和第二尺寸以及第一缺陷态发光波长和第二缺陷态发光波长均不相同，第二氧化锌纳米晶的导电性大于第一氧化锌纳米晶的导电性。本申请的光电器件发光效率高，使用寿命长，兼具放置稳定性和工作稳定性。
一种光电器件及其制备方法

[实用新型]一种广波长覆盖的光热偏转光谱测试装置-CN202121035984.9有效
发明人： 金一政;金王骁;刘杨 -专利权人：浙江大学
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： G01N21/31 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种广波长覆盖的光热偏转光谱测试装置，包括沿光路依次布置的泵浦光源、单色仪、光学斩波器和分束器；分束器的反射光路上布置有光电探测器，分束器的透射光路上布置有吸收池；光电探测器的信号输出端与电脑连接；吸收池在与分束器透射光路相垂直的两侧面分别布置有探测光源和位敏探测器；位敏探测器的信号输出端依次与锁相放大器和电脑连接；吸收池内用于容纳导热介质，底部固定有样品台，样品台用于固定待测薄膜；吸收池与分束器之间设有聚焦透镜，透射过分束器的泵浦光通过聚焦透镜进入吸收池；泵浦光源采用激光驱动宽带光源，用于发射170nm～2100nm的泵浦光。利用本实用新型，可以同时满足从窄带隙材料到宽带隙材料的测试需求。
一种波长覆盖光热偏转光谱测试装置

[发明专利]量子点发光器件及其制备方法-CN201811089200.3有效
发明人： 金一政;张振星 -专利权人：浙江大学;纳晶科技股份有限公司
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种量子点发光器件及其制备方法。该制备方法包括：提供量子点发光器件的含纳米晶层的待加工件；采用有机酸对含纳米晶层的待加工件进行酸处理，得到量子点发光器件。通过对含纳米晶层的待加工件进行酸处理，一方面酸与纳米晶表面的氢氧根离子配体(目前的纳米晶由于合成工艺的原因，其表面通常带氢氧根离子配体)反应，形成酸根离子配体和生成水，从而大幅减少或消除纳米晶表面的氢氧根离子配体；另一方面，酸可以直接作为氧化物纳米晶的表面配体，减少甚至消除纳米晶表面大量的悬挂键，从而减少了纳米晶表面的缺陷态。这能有效抑制由于氧化物纳米晶与量子点之间淬灭相互作用导致的量子点荧光淬灭，进而提高器件的发光效率。
量子发光器件及其制备方法

[发明专利]一种广波长覆盖的光热偏转光谱测试装置-CN202110529166.2在审
发明人： 金一政;金王骁;刘杨 -专利权人：浙江大学
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： G01N21/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种广波长覆盖的光热偏转光谱测试装置，包括沿光路依次布置的泵浦光源、单色仪、光学斩波器和分束器；分束器的反射光路上布置有光电探测器，分束器的透射光路上布置有吸收池；光电探测器的信号输出端与电脑连接；吸收池在与分束器透射光路相垂直的两侧面分别布置有探测光源和位敏探测器；位敏探测器的信号输出端依次与锁相放大器和电脑连接；吸收池内用于容纳导热介质，底部固定有样品台，样品台用于固定待测薄膜；吸收池与分束器之间设有聚焦透镜，透射过分束器的泵浦光通过聚焦透镜进入吸收池；泵浦光源采用激光驱动宽带光源，用于发射170nm～2100nm的泵浦光。利用本发明，可以同时满足从窄带隙材料到宽带隙材料的测试需求。
一种波长覆盖光热偏转光谱测试装置

[发明专利]一种电致发光器件工况原位分析系统及分析方法-CN202010773243.4有效
发明人：邓云洲;金一政 -专利权人：浙江大学
申请日： 2020-08-04 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种电致发光器件工况原位分析系统及分析方法，其中，系统包括激发光路部分、电激发源部分、收集光路部分、信号探测和解析部分、频率调制和同步部分，以及仪器机械控制部分。本发明的系统是多模式、多维度、多尺度的，将多种先进光谱学测试、锁相放大技术、半导体器件电学测试、自动化二维位移系统、显微镜系统与仪器控制系统等有机结合，有助于直接揭示器件的能量损失途径、单分子层面工作机制与器件老化机制，并指导未来材料化学和器件结构创新。
一种电致发光器件工况原位分析系统方法

[发明专利]氧化镍薄膜及其制备方法、功能材料、薄膜结构的制作方法及电致发光器件-CN201610525274.1有效
发明人： 金一政;梁骁勇;陈超 -专利权人：浙江大学;纳晶科技股份有限公司
申请日： 2016-07-01 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化镍薄膜及其制备方法、功能材料、薄膜结构的制作方法及电致发光器件。该氧化镍薄膜包括：氧化镍膜层；具有吸电子基团的有机分子，该有机分子连接设置在氧化镍膜层表面上。该有机分子利用吸电子基团与氧化镍薄膜表面的羟基自由基形成化学键稳定连接，且由于该具有吸电子基团的有机分子的存在，相当于在氧化镍表面建立起一个反向氧化镍的电场，进而提高了氧化镍薄膜的表面功函数。进而将本申请具有高表面功函数的氧化镍薄膜应用到QLED器件和OLED器件时，使得空穴注入率提高，进而可以避免使用对器件有损害的PEDOT：PSS，从而提高了器件的性能和稳定性。
氧化薄膜及其制备方法功能材料结构制作方法电致发光器件

[发明专利]一种光电器件的制备方法及光电器件-CN201910214087.5有效
发明人： 金一政;刘杨 -专利权人：浙江大学;纳晶科技股份有限公司
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种光电器件，包括：衬底，还包括设置于衬底上方的钙钛矿膜层，钙钛矿膜层包括有机金属卤化物钙钛矿量子点和有机金属卤化物钙钛矿量子阱，钙钛矿量子点和钙钛矿量子阱具有能量偶联关系。该钙钛矿膜层包括钙钛矿量子阱和钙钛矿量子点，钙钛矿量子阱可以将能量转移给钙钛矿量子点，从而实现高效率发光。
一种光电器件制备方法

[发明专利]单光子源和QLED-CN202010983758.7在审
发明人：彭笑刚;濮超丹;金一政 -专利权人：浙江大学;纳晶科技股份有限公司
申请日： 2018-10-18 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本申请提供了一种单光子源和QLED。该单光子源和QLED均包括量子点，量子点包括量子点本体和设置在量子点本体外表面的配体，配体包括电化学惰性配体，电化学惰性配体的还原电位大于量子点本体的导带底对应的电位，电化学惰性配体的氧化电位小于量子点本体的价带底对应的电位，电化学惰性配体占量子点本体外表面的所有配体的80％以上。该量子点由于包括电化学惰性配体，使得其发光效率较高，器件较稳定，可靠性较高。
光子 qled

[发明专利]量子点、制作方法、单光子源和QLED-CN201811216931.X有效
发明人：彭笑刚;濮超丹;金一政 -专利权人：浙江大学;纳晶科技股份有限公司
申请日： 2018-10-18 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本申请提供了一种量子点、制作方法、单光子源和QLED。该量子点包括量子点本体和设置在量子点本体外表面的配体，配体包括电化学惰性配体，电化学惰性配体的还原电位大于量子点本体的导带底对应的电位，电化学惰性配体的氧化电位小于量子点本体的价带底对应的电位，电化学惰性配体占量子点本体外表面的所有配体的80％以上。该量子点由于包括电化学惰性配体，使得其发光效率较高，器件较稳定，可靠性较高。
量子制作方法光子 qled

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