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- [发明专利]R－T－B系烧结磁体的制造方法和R－T－B系烧结磁体-CN202210157065.1在审
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野泽宣介
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日立金属株式会社
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2022-02-21
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2022-09-27
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H01F41/02
- 提供减少重稀土RH使用量且Br与HcJ的平衡优异的R－T－B系烧结磁体的制造方法和R－T－B系烧结磁体。该方法包括：准备R－T－B系烧结磁体原材料(R为稀土元素，T为选自Fe、Co、Al、Mn和Si中的至少1种且必须包含Fe)的工序；准备RL－RH－B－M系合金的工序；和使RL－RH－B－M系合金的至少一部分附着于R－T－B系烧结磁体原材料的表面的至少一部分并加热的扩散工序，RL－RH－B－M系合金的RL含量为50mass％以上95mass％以下，RH含量为0mass％以上45mass％以下，B的含量为0.1mass％以上3.0mass％以下，M的含量为4mass％以上49.9mass％以下。
- 烧结磁体制造方法
- [发明专利]R－T－B系烧结磁体的制造方法-CN202210157081.0在审
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野泽宣介
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日立金属株式会社
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2022-02-21
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2022-09-27
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H01F41/02
- 本发明提供减少重稀土RH的使用量且Br与HcJ的平衡优异的R－T－B系烧结磁体的制造方法。该制造方法包括准备R－T－B系烧结磁体原材料(R为稀土元素，T为选自Fe、Co、Al、Mn和Si中的至少1种且必须包含Fe。)的工序、准备RL－RH－C－M系合金的工序和使上述RL－RH－C－M系合金的至少一部分附着于上述R－T－B系烧结磁体原材料的表面的至少一部分并且加热的扩散工序，RL－RH－C－M系合金的RL含量为50mass％以上95mass％以下，RH含量为45mass％以下(包含0mass％)，C含量为0.1mass％以上0.5mass％以下，M含量为4mass％以上49.9mass％以下。
- 烧结磁体制造方法
- [发明专利]R－T－B系烧结磁体的制造方法-CN202110306791.0在审
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江口彻;野泽宣介;国吉太
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日立金属株式会社
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2021-03-23
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2021-09-28
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H01F41/02
- 本发明要解决的技术问题在于提供一种降低了重稀土RH的使用量、并且具有高HcJ的R－T－B系烧结磁体的制造方法。解决技术问题的手段在于提供一种R－T－B系烧结磁体的制造方法，其包括：制作粒径D50为2.0μm～3.5μm的微粉末的烧结体，准备R－T－B系烧结磁体原材料的工序；准备RL－RH－M系合金的工序；和在上述R－T－B系烧结磁体原材料的表面的至少一部分附着上述RL－RH－M系合金的至少一部分，在真空或不活泼气体气氛中以700℃以上1100℃以下的温度进行加热的扩散工序，上述扩散工序中上述RL－RH－M系合金在上述R－T－B系烧结磁体原材料上的附着量为1mass％以上2.5mass％以下。
- 烧结磁体制造方法
- [发明专利]R－T－B系烧结磁体的制造方法-CN202010076504.7在审
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野泽宣介
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日立金属株式会社
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2020-01-23
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2020-08-04
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H01F41/02
- 提供降低RH使用量且具有高Br、HcJ的R－T－B系烧结磁体的制造方法。R－T－B系烧结磁体的制造方法包括准备R－T－B系烧结磁体原材料的工序、准备RL1－RH－M1系合金的工序、准备RL2－M2系合金的工序、第一扩散工序和第二扩散工序，第一扩散工序中RL1－RH－M1系合金的附着量为4mass％以上15mass％以下，第二扩散工序中RL2－M2系合金的附着量为1mass％以上15mass％以下，R－T－B系烧结磁体原材料中，R的含量为27mass％以上35mass％以下，[T]/[B]的摩尔比超过14.0且为15.0以下，RL1－RH－M1合金中，RL1含量为60mass％以上97mass％以下，RH含量为1mass％以上8mass％以下，M1含量为2mass％以上39mass％以下，RL2－M2系合金中，RL2含量为60mass％以上97mass％以下，M2含量为3mass％以上40mass％以下。
- 烧结磁体制造方法
- [发明专利]R－T－B系烧结磁体的制造方法-CN202010076516.X在审
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野泽宣介
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日立金属株式会社
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2020-01-23
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2020-08-04
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H01F1/057
- 提供降低重稀土RH的使用量且具有高HcJ的R－T－B系烧结磁体的制造方法。R－T－B系烧结磁体的制造方法包括准备R－T－B系烧结磁体原材料的工序、准备RL－RH－M系合金的工序和扩散工序，扩散工序中的对于R－T－B系烧结磁体原材料的RL－RH－M系合金的附着量为4mass％以上15mass％以下且RH的附着量为0.1mass％以上0.6mass％以下，在R－T－B系烧结磁体原材料中，R的含量为R－T－B系烧结磁体原材料整体的27mass％以上35mass％以下，Fe相对于T整体的含量为80mass％以上，在RL－RH－M系合金中，RL的含量为RL－RH－M系合金整体的60mass％以上97mass％以下，RH的含量为RL－RH－M系合金整体的1mass％以上8mass％以下，M的含量为RL－RH－M系合金整体的2mass％以上39mass％以下。
- 烧结磁体制造方法
- [发明专利]R－T－B系烧结磁体及其制造方法-CN201780074435.2有效
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野泽宣介;重本恭孝;西内武司
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日立金属株式会社
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2017-11-30
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2020-03-03
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H01F41/02
- 本发明的R－T－B系烧结磁体在实施方式中具有R：27mass％以上37mass％以下(R为稀土元素中的至少一种，必须含有Nd和Pr中的至少一方)、B：0.75mass％以上0.97mass％以下、Ga：0.1mass％以上1.0mass％以下、Cu：0mass％以上1.0mass％以下、T：61.03mass％以上(T为选自Fe、Co、Al、Mn和Si中的至少一种，必须含有Fe，Fe的含量相对于T整体为80mass％以上)的组成。T相对于B的摩尔比([T]/[B])超过14.0。磁体表面部的R量比磁体中央部的R量多，磁体表面部的Ga量比磁体中央部的Ga量多。磁体表面部的T相对于B的摩尔比([T]/[B])比磁体中央部的T相对于B的摩尔比([T]/[B])高。
- 烧结磁体及其制造方法
- [发明专利]R－T－B系烧结磁体-CN201610117968.1有效
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野泽宣介;古泽大介;西内武司;深川智机
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日立金属株式会社
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2016-03-02
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2020-01-17
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H01F1/057
- 提供一种R－T－B系烧结磁体，其特征在于，下述式(1)所示的组成满足下述式(2)～(10)，uRwBaCxGazAlvCoqTigFejM(1)29.0≤u≤34.0(2)、0.80≤w≤0.92(3)、0.10≤a≤0.20(4)、0.3≤x≤0.8(5)、0.05≤z≤0.5(6)、0≤v≤3.0(7)、0.15≤q≤0.29(8)、58.29≤g≤69.60(9)、0≤j≤2.0(10)，在将g除以Fe的原子量而得的值设为g’、将v除以Co的原子量而得的值设为v’、将z除以Al的原子量而得的值设为z’、将w除以B的原子量而得的值设为w’、将a除以C的原子量而得的值设为a’、将q除以Ti的原子量而得的值设为q’时，满足下述式(A)及(B)。－0.02≤(g’+v’+z’)－(14×(w’+a’－2×q’))(A)，0.02≥(g’+v’+z’)－(14×(w’+a’－q’))(B)。
- 烧结磁体
- [发明专利]R－T－B系烧结磁体的制造方法-CN201680010761.2有效
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西内武司;重本恭孝;野泽宣介
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日立金属株式会社
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2016-02-16
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2019-06-28
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H01F41/02
- 本发明提供一种R－T－B系烧结磁体的制造方法，该R－T－B系烧结磁体直至磁体内部的二颗粒晶界能够变厚，即使进行表面研削、矫顽力提高效果也不会大幅受损，即使不使用重稀土元素也具有高的矫顽力。[解决手段]该制造方法包括：准备以Ti/(X－2A)的mol比为13以上作为主要特征的R1－T1－A－X(R1主要为Nd，T1主要为Fe，A为Ga、Ti、Zr、Hf、V、Nb和Mo中的至少一种，X主要为B)系合金烧结体的工序；准备R2－Ga－Cu(R2主要为Pr和/或Nd且R2为65mol％以上95mol％以下，Cu/(Ga+Cu)以mol比计为0.1以上0.9以下)系合金的工序；和使R2－Ga－Cu系合金的至少一部分与R1－T1－A－X系合金烧结体表面的至少一部分接触，在450℃～600℃的温度进行热处理的工序。
- 烧结磁体制造方法
- [发明专利]R-T-B系烧结磁体及其制造方法-CN201580007076.X有效
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深川智机;野泽宣介;西内武司;古泽大介;坂下信一郎
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日立金属株式会社
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2015-02-27
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2018-10-23
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H01F41/02
- 一种R‑T‑B系烧结磁体，其特征在于，下述式(1)所示的组成满足下述式(2)～(9)，uRwBxGazAlvCoqTigFejM(1)(R为稀土类元素中的至少一种且必须包含Nd，M为R、B、Ga、Al、Co、Ti和Fe以外的元素，u、w、x、z、v、q、g、j表示质量％)；29.0≤u≤32.0(2)(其中，重稀土类元素RH为R‑T‑B系烧结磁体的10质量％以下)；0.93≤w≤1.00(3)0.3≤x≤0.8(4)；0.05≤z≤0.5(5)；0≤v≤3.0(6)；0.15≤q≤0.28(7)；60.42≤g≤69.57(8)；0≤j≤2.0(9)；并且g除以Fe的原子量所得的值设为g’，v除以Co的原子量所得的值设为v’，z除以Al的原子量所得的值设为z’，w除以B的原子量所得的值设为w’，q除以Ti的原子量所得的值设为q’时，满足下述式(A)和(B)。0.06≤(g’+v’+z’)‑(14×(w’‑2×q’))(A)0.10≥(g’+v’+z’)‑(14×(w’‑q’))(B)。
- 烧结磁体及其制造方法
- [发明专利]R－T－B系烧结磁体的制造方法-CN201580009812.5有效
-
野泽宣介
-
日立金属株式会社
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2015-03-25
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2018-04-27
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H01F41/02
- 本发明提供一种R－T－B系烧结磁体的制造方法，其包括准备R－T－B系烧结磁体原材的工序，所述R－T－B系烧结磁体原材以式uRwBxGayCuzAlqM(100－u－w－x－y－z－q)T来表示，上述RH为R－T－B系烧结磁体的5质量％以下，在29.5≤u≤32.0、0.86≤w≤0.93、0.2≤x≤1.0、0.3≤y≤1.0、0.05≤z≤0.5、0≤q≤0.1且p＝[B]/10.811×14－[Fe]/55.847－[Co]/58.933时，满足p＜0的关系；和将上述R－T－B系烧结磁体原材在450℃以上且470℃以下的温度加热4小时以上且12小时以下的热处理工序。
- 烧结磁体制造方法
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