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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]记忆体装置、记忆体系统以及操作记忆体装置的方法-CN202210028486.4在审
发明人：山内善高;张盟昇;野口纮希;喻鹏飞 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：本揭示文件的一些态样提出一种记忆体装置、记忆体系统以及操作记忆体装置的方法。此记忆体装置包含以多个行与多个列所排列的多个记忆体单元；多条字元线各自耦接至相对应的一行上的记忆体单元；多条位元线各自耦接至相对应的一列上的记忆体单元；以及多条第二字元线各自耦接至相对应的一列的记忆体单元。
记忆体装置系统以及操作方法

[发明专利]SRAM电路及其操作方法-CN201910639832.0有效
发明人：藤原英弘;戴承隽;林志宇;陈炎辉;野口纮希 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：静态随机存取存储器(SRAM)电路可以将存储器阵列中的列位线分组为位线的子集，并且为位线的每个子集提供y地址信号输入。额外地或可选地，存储器单元的阵列中的每行可操作地连接到多条字线。本发明的实施例还涉及SRAM电路的操作方法。
sram 电路及其操作方法

[发明专利]具有集成电路的垂直互连结构-CN202210109390.0在审
发明人：杨子贤;野口纮希;马合木提·斯楠吉尔;王奕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本公开涉及具有集成电路的垂直互连结构。3D IC结构包括多个管芯，例如顶部管芯和底部管芯。顶部管芯和/或底部管芯可以各自包括诸如计算单元、模数转换器、模拟电路、RF电路、逻辑电路、传感器、输入/输出器件、和/或存储器件之类的器件。一个或多个垂直互连结构(VIS)单元被形成为与器件的一侧或多侧相邻。在一些或所有VIS单元中形成VIS。一个或多个非敏感电路，例如中继器、二极管和/或无源电路(例如，电阻器、电感器、电容器、变压器)被布置在至少一个VIS单元中。
具有集成电路垂直互连结构

[发明专利]三维集成电路中的竖直互连结构-CN202210125260.6在审
发明人：杨子贤;野口纮希;藤原英弘;王奕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本公开涉及三维集成电路中的竖直互连结构。3D IC结构包括多个管芯层，例如顶部管芯层和底部管芯层。顶部管芯层和/或底部管芯层各自包括例如以下项的器件：计算单元、模拟到数字转换器、模拟电路、RF电路、逻辑电路、传感器、输入/输出器件、和/或存储器器件。第一管芯层和第二管芯层上的器件被竖直互连结构(VIS)横向地围绕或与之横向地相邻。
三维集成电路中的竖直互连结构

[发明专利]存储器系统以及处理器系统-CN201710136121.2有效
发明人： 野口纮希;藤田忍 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2017-03-09 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种使用非易失性存储器并且防止存取性能的降低，还能够提高数据写入时的可靠性的存储器系统以及处理器系统。一实施方式的存储器系统具备：第1存储器，按第1数据大小被存取；第2存储器；按小于所述第1数据大小的第2数据大小被存取，能够比所述第1存储器更高速地被存取；以及第3存储器，保存地址变换信息，所述地址变换信息用于将对所述第2存储器进行存取的地址变换为对所述第1存储器进行存取的地址，所述第1存储器以及所述第3存储器是非易失性存储器。
存储器系统以及处理器

[发明专利]记忆体装置及其操作方法-CN202110600400.6在审
发明人： 野口纮希;林谷峰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：揭示一种记忆体装置及其操作方法。记忆体装置包括至少一个参考单元及多个感测放大器。至少一个参考单元具有耦接到一接地的第一端子。感测放大器中的每一个具有第一端子及第二端子。第一端子耦接到多个第一数据接线中的一个，且第二端子耦接到至少一个参考单元的第二端子。
记忆体装置及其操作方法

[发明专利]存储器器件及其操作方法-CN202110914550.4在审
发明人： 野口纮希;池育德;王奕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： G11C7/04 文献下载
摘要：一种存储器器件，包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；温度传感器，被配置为检测存储器单元阵列的温度；写入电路，被配置为将数据写入到多个存储器单元中；控制器，耦合到温度传感器和写入电路，其中，控制器被配置为基于检测到的存储器器件的温度来确定写入电路使用的目标写入脉冲宽度。本发明的实施例还提供了操作存储器器件的方法。
存储器器件及其操作方法

[发明专利]存储器设备和存储器系统-CN201710901089.2有效
发明人：高谷聪;野口纮希;藤田忍 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：根据一个实施例，存储器设备包括：存储器单元；读取驱动器，被配置为在针对存储器单元的读取操作时向存储器单元供给读取脉冲；滤波器电路，被配置为从第一信号输出第一频域中的第二信号，该第一信号通过读取脉冲从存储器单元输出；保持电路，被配置为保持第二信号的峰值；以及感测放大器电路，被配置为基于峰值从存储器单元读取数据。
存储器设备系统

[发明专利]计算机系统和存储器设备-CN201710894082.2有效
发明人：池上一隆;野口纮希;安部惠子 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本申请涉及计算机系统和存储器设备。根据一个实施例，系统包括：包含存储器单元阵列的存储器设备，该存储器设备被配置为对存储器单元阵列执行第一读取方法的第一读取操作和第二读取方法的第二读取操作；处理器，该处理器被配置为从设备接收第一数据，第一数据是通过第一读取操作来自存储器单元阵列中的选择的区域，该处理器被配置为在对选择的区域的第二读取操作期间使用第一数据执行第一计算处理，以及被配置为基于第一数据和第二数据的比较结果通过第一信号获取第一计算处理的结果，第一信号指示第一数据是有效的，并且第二数据是通过第二读取操作来自选择的区域。
计算机系统存储器设备

[发明专利]记忆体系统-CN202110105718.7在审
发明人： 野口纮希 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：揭示一种记忆体系统。记忆体系统包括第一记忆体阵列、错误校正码电路，以及监控器电路。错误校正码电路用以自第一记忆体阵列接收数据，以校正所接收数据中的至少一个错误位元。错误校正码电路进一步用以产生错误判定信号。监控器电路耦接至错误校正码电路。监控器电路用以接收错误判定信号，并且记录与至少一个错误位元相关联的至少一个失败字地址以及错误表中的对应故障次数。
记忆体系统

[发明专利]磁存储器和存储器系统-CN201710900091.8有效
发明人： 野口纮希;藤田忍 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本公开涉及磁存储器和存储器系统。根据一个实施例，磁存储器包括：具有第一电阻状态或第二电阻状态的第一磁阻效应元件；以及读取电路。读取电路被配置为：将第一读取电压施加到第一磁阻效应元件，保持由第一读取电压造成的第一充电电位，将高于第一读取电压的第二读取电压施加到第一磁阻效应元件，保持由第二读取电压造成的第二充电电位，以及基于第一充电电位与第二充电电位之间的比较结果来确定第一磁阻效应元件是处于第一电阻状态还是处于第二电阻状态。
磁存储器存储器系统

[发明专利]一次性可编程存储器单元以及电子器件-CN202110185541.6在审
发明人：王奕;野口纮希 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-10 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： G11C11/40 文献下载
摘要：公开了各种一次性可编程(OTP)存储器单元。OTP存储器单元包括至少部分地在诸如反熔丝晶体管的晶体管的栅极下面延伸的附加的掺杂剂区。附加的掺杂剂区为读取电流提供附加电流路径。可替代地，OTP存储器单元包括三个晶体管，一个反熔丝晶体管和两个选择晶体管。两个选择晶体管可以配置成级联选择晶体管，或者配置成两个单独的选择晶体管。本发明的实施例还涉及及电子器件。
一次性可编程存储器单元以及电子器件

[发明专利]用以更新记忆体装置的系统与方法-CN202110202614.8在审
发明人： 野口纮希;王奕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本案揭示一种用以更新记忆体装置的系统与方法。系统包括记忆体阵列及控制器。控制器用以以第一更新循环率对记忆体阵列执行更新操作。第一更新循环率来源于查找表中的第一更新时间。查找表用以分别地储存更新时间以及对应于更新时间的更新温度。
用以更新记忆体装置系统方法

[发明专利]存储器器件及动态误差监视和修复的方法-CN202110205516.X在审
发明人： 野口纮希;林谷峰;王奕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：一种存储器器件包含：存储单元阵列，包括多个存储单元，多个存储单元包括包含第一数据存储单元的多个数据存储单元和包含第一备份存储单元的多个备份存储单元；存储装置，存储配置成记录多个数据存储单元中的误差的误差表，误差表包含多个误差表条目，每一误差表条目对应于多个数据存储单元中的一个且具有地址和故障计数；以及控制器，配置成基于误差表用第一备份存储单元替换第一数据存储单元。
存储器器件动态误差监视修复方法

[发明专利]存储器装置-CN202110205521.0在审
发明人： 野口纮希;吕士濂;池育德;王奕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：一种存储器装置，其包含具有多个存储器宏的存储阵列、供电电路以及控制器。供电电路耦合到存储阵列。控制器耦合到存储阵列。供电电路配置成提供电力以同时对一定数目的存储器宏执行写入操作。被同时执行写入操作的存储器宏的数目不高于存储器宏的最大数目。控制器获得由供电电路同时执行写入操作的存储器宏的最大数目。控制器重新排列用于存储器宏的写入操作的顺序的时间表，以产生重新排列的时间表。最大数目被视为阈值。在重新排列的时间表中，被同时执行写入操作的存储器宏的部分的数目等于或小于阈值。
存储器装置

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