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[发明专利]半导体装置-CN201980072744.5在审
发明人：中田昌孝;井口贵弘;保坂泰靖;重信匠 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。该半导体装置包括半导体层、第一绝缘层、金属氧化物层、导电层以及绝缘区域。第一绝缘层覆盖半导体层的顶面及侧面，导电层位于第一绝缘层上。金属氧化物层位于第一绝缘层与导电层之间，金属氧化物层的端部位于导电层的端部的内侧。绝缘区域与金属氧化物层邻接，且位于第一绝缘层与导电层之间。半导体层包括第一区域、一对第二区域以及一对第三区域。第一区域与金属氧化物层及导电层重叠。第二区域夹着第一区域，且与绝缘区域及导电层重叠。第三区域夹着第一区域及一对第二区域，且不与导电层重叠。第三区域优选包括其电阻比第一区域低的部分。第二区域优选包括其电阻比第三区域高的部分。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202010692943.0在审
发明人：岛行德;大野正胜;重信匠 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。半导体装置包括第一绝缘层、第二绝缘层、半导体层以及第一导电层。半导体层、第二绝缘层以及第一导电层依次层叠在第一绝缘层上。第一绝缘层具有依次层叠有第一绝缘膜、第二绝缘膜以及第三绝缘膜的叠层结构。第二绝缘层包含氧化物。第三绝缘膜具有接触于半导体层的部分。第一绝缘膜包含硅及氮。第二绝缘膜包含硅、氮及氧。第三绝缘膜包含硅及氧。半导体层包含铟及氧。
半导体装置