专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种基于环境艺术设计的室内光源模拟设备-CN202223509692.1有效
  • 金丽;王兢;郭静姝;陈洁;李力 - 昆明冶金高等专科学校
  • 2022-12-28 - 2023-05-09 - F16M11/04
  • 本实用新型属于环境艺术设计设备技术领域,公开了一种基于环境艺术设计的室内光源模拟设备,包括显示器,所述显示器的下端固定连接有连接座,所述连接座的内部转动连接有转座,所述转座的下端固定连接有透明夹,所述连接座包括轴承座、固定杆和定位磁铁,所述轴承座设置有一对,所述固定杆的后端固定连接在轴承座的前端,所述定位磁铁固定连接在固定杆的内端,所述连接座还包括限位块,所述限位块固定连接在轴承座的上部,所述转座包括复位弹簧、第一转轴、磁铁和摆动板。本实用新型通过将笔记纸片夹在透明夹的内部,透过透明夹观察笔记,当使用者不需要展示笔记时,将透明夹翻转到显示器的后侧即可,方便了展开观察笔记也方便了折叠收起。
  • 一种基于环境艺术设计室内光源模拟设备
  • [发明专利]基于P-GaN帽层和Fin结构的增强型射频器件及其制备方法-CN202210769760.3在审
  • 马晓华;秦灵洁;祝杰杰;郝跃;刘思雨;郭静姝 - 西安电子科技大学
  • 2022-07-01 - 2022-11-01 - H01L29/78
  • 本发明公开一种基于P‑GaN帽层和Fin结构的增强型射频器件及其制备方法,所述器件包括自下而上依次堆叠设置的衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层和势垒层,其中,在势垒层的上表面两侧包括源电极和漏电极;势垒层的上表面以及源电极和漏电极的上表面包括SiN钝化层,在SiN钝化层上开设有栅脚区域凹槽,栅脚区域内部以及SiN钝化层上表面设置有P‑GaN帽层;P‑GaN帽层上设置有Fin结构;栅脚区域凹槽内部以及Fin结构上表面形成浮空T型栅电极;源电极和漏电极上方分别设置有金属互联层。本发明利用P‑GaN帽层和Fin结构实现增强型射频器件,并且器件的跨导较大,减小对沟道载流子浓度以及迁移率的影响,使得输出电流较大,电流崩塌效应减弱,使得器件的射频特性较好。
  • 基于ganfin结构增强射频器件及其制备方法

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