“郑镇权”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果5个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]自对准顶部过孔-CN202180083332.9在审
发明人：朴灿鲁;本山幸一;郑镇权;崔起植;杨智超 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：自对准顶部过孔本发明的实施例包括一种用于制造半导体器件的方法和所得结构。在衬里上图案化芯轴，其中衬里位于半导体衬底上。在芯轴的侧壁上形成隔离物。在衬里的暴露表面上并且在隔离物之间的多个间隙内形成电介质材料线。去除芯轴。从隔离物之间的多个间隙中的至少一个间隙内去除电介质材料线中的至少一个电介质材料线。在每个间隙内形成导电金属。导电金属被图案化以形成金属互连线和过孔。去除多个隔离物和剩余的电介质材料线。
对准顶部

[实用新型]一种电池性能检测机构-CN202320974525.X有效
发明人：周健;郑镇权;杜瑶;张旭;潘三水 -专利权人：纳凡检测技术（上海）有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：一种电池性能检测机构，包括电源模块、电动直线滑台、工作台、风机、电动伸缩杆、电压表、电阻发热机构，还具有控制电路、加热制冷机构、探针机构、固定机构；风机、电阻发热机构安装在工作台内部，加热制冷机构包括电磁阀、加热板、半导体制冷机构、外壳A、外壳B、出风壳，并和风机安装在一起；工作台后安装有支撑架，电动伸缩杆、电动直线滑台、探针机构安装在支撑架下，固定机构安装在工作台上；电源模块、电压表、控制电路安装在元件盒内并电性连接。本新型能对蓄电池电压数据进行检测，还能切换蓄电池在高温及低温条件下进行性能检测，且还能对蓄电池进行快速放电检测其电容量，给检测人员带来了便利，并实现了检测数据更多样化的目的。
一种电池性能检测机构

[实用新型]蓄电池性能实时监测装置-CN202321081718.9有效
发明人：周健;郑镇权;杜瑶;张旭;潘三水 -专利权人：纳凡检测技术（上海）有限公司
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G01K7/22 文献下载
摘要：蓄电池性能实时监测装置，包括蓄电池A，还具有第一温度监测电路、第二温度监测电路、比对电路、控制电路、漏液监测电路；漏液监测电路配套的两只金属片间隔距离安装在电动车蓄电池盒的内底部；第一温度监测电路、第二温度监测电路各配套有温控探头，其中一只温度探头安装在电池盒内部；蓄电池A、第一温度监测电路、第二温度监测电路及配套的温控探头、比对电路、控制电路、漏液检测电路安装在元件盒内并电性连接。本新型能实时监测蓄电池温度数据，及是否存在漏液情况，在蓄电池温度超过阈值或者发生漏液时，能及时生成对应的声光信号提示使用者，并断开负载，由此实现了自动化检测，且相应减少了火灾及爆炸，车辆被腐蚀几率。
蓄电池性能实时监测装置

[发明专利]具有横向凹陷自由层的磁阻随机存取存储器-CN202180084132.5在审
发明人： O·范德斯特拉滕;本山幸一;郑镇权;J·马尼斯卡尔科;杨智超 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：一种存储装置及其形成方法，包括在导电结构上方的底部电极，该导电结构被嵌入在互连电介质材料中。位于所述底部电极上方的磁性隧道结堆叠由所述底部电极上方的磁性参考层、所述磁性参考层上方的隧道势垒层、以及所述隧道势垒层上方的横向凹陷的磁性自由层形成。侧壁间隔物围绕所述横向凹陷的磁性自由层，以用于限制由所述横向凹陷的磁性自由层和所述隧道势垒层形成的有源区。
具有横向凹陷自由磁阻随机存取存储器

[发明专利]用于先进异质集成的具有贵金属籽晶层的柱凸块-CN202180069074.9在审
发明人： J·F·马尼斯卡科;郑镇权;本山幸一;O·范德斯特拉滕;A·雷兹尼塞克 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种柱凸块结构及其形成方法，包括在半导体衬底上形成覆盖衬里，接着形成包括贵金属的籽晶层。在籽晶层直接上方形成第一光致抗蚀剂层，随后在光致抗蚀剂层内形成第一多个开口。在第一多个开口的每一个内沉积第一导电材料以形成第一柱凸块。从半导体结构去除第一光致抗蚀剂层，随后去除从第一柱凸块向外延伸的籽晶层的部分，籽晶层的一部分保留在第一柱凸块下方。
用于先进集成具有贵金属籽晶柱凸块

1
共 5 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top