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[实用新型]半导体反应室元件固定装置-CN200620112587.6无效
发明人： 郑意中;吕思汉;吴元胜;王进明;洪华骏 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2006-04-26 - 公布日： 2007-07-18 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体反应室元件固定装置包括：圆形顶板，适于通入反应气体至反应室内的半导体元件；三个支撑架，分别配置于所述圆形顶板外围的三个支撑点，以固定所述圆形顶板；以及闸式阀，提供所述半导体元件进出所述反应室的出入口，其中所述支撑架的任一皆不配置于所述半导体元件进出于所述反应室的所述闸式阀的路径上。该半导体反应室元件固定装置通过将固定圆形顶板(Shower head)的支撑架从晶片进出反应室的路径中移除，因此可以避免附着于支撑架上的微尘掉落，且由于支撑架以正三角形的三个顶点的方式配置，因此能够平均地支撑圆形顶板，达到有效改善晶片上带状缺陷的目的。
半导体反应元件固定装置

[发明专利]制作阻挡层的方法-CN200410031228.3无效
发明人：陈菁华;郑意中 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2004-03-26 - 公布日： 2005-09-28 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种形成钛/氮化钛(Ti/TiN)阻挡层的方法，首先提供一半导体衬底，且半导体衬底上包括至少一导电层，接着进行一化学汽相沉积(CVD)工艺，于导电层上形成一Ti/TiN阻挡层，随后进行一检测程序。若检测出Ti/TiN阻挡层中包括微粒，则进行一重作工艺。
制作阻挡方法