专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]反射式介质手性超表面-CN202310273218.3在审
  • 申超;李子瑛;蒋耐;高晓梅;史建伟;魏钟鸣;郑厚植 - 中国科学院半导体研究所
  • 2023-03-17 - 2023-06-27 - G02B1/00
  • 本公开提供一种反射式介质手性超表面,包括:衬底层,用于物理支撑作用;反射层,设于衬底层上,用于接收和反射圆偏振光,其中,圆偏振光包括左旋方向的圆偏振光和右旋方向的圆偏振光;介质微纳结构层,设于反射层上,用于对左旋方向的圆偏振光和右旋方向的圆偏振光进行差异性散射,以调控圆偏振光的强度。介质微纳结构层包括:阵列排布的纳米棒单元,其中,行与行之间的纳米棒单元沿纳米棒单元的长轴方向错位排列且错位方向相同,构成二维斜方格子周期性排列结构。该反射式介质手性超表面提高了器件的输出效率,减轻了对加工工艺的要求,保障了器件的成品率和量产。
  • 反射介质手性表面
  • [发明专利]高增益光电探测器和高增益光电探测方法-CN202111661143.3在审
  • 郑厚植 - 郑厚植
  • 2021-12-30 - 2022-08-12 - H01L31/109
  • 高增益光电探测器和高增益光电探测方法,涉及光电探测器技术领域,本发明的高增益光电探测器包括顺次重叠设置的第一本征半导体区、势垒区和第二本征半导体区,第一本征半导体区和势垒区形成异质结,第二本征半导体区和势垒区形成异质结;第一本征半导体区和第二本征半导体区分别连接有电极,且第一本征半导体区材料和第二本征半导体区材料的禁带宽度小于势垒区材料的禁带宽度。本发明具有极佳的弱光探测能力以及非线性光响应特性。
  • 增益光电探测器探测方法
  • [发明专利]基于量子效应光电探测器的便携式光谱快速检测仪-CN201410356412.9有效
  • 郭方敏;郑厚植;沈建华;陈布雨 - 华东师范大学
  • 2014-07-25 - 2016-09-14 - G01J3/28
  • 本发明公开了一种基于量子效应光电探测器的便携式光谱快速检测仪,其特点是该检测仪由探头、稱合器、光电探测器、放大电路、A/D转换器、存储器、微控器和时序驱动电路组成,所述稱合器将探头导入的待测光以不同波长的光分散投射到光电探测器,由读出电路将电信号读出后输入放大电路,经放大的电信号通过A/D转换器后由存储器进行缓存,由微控制器通过USB接口或WiFi模块将数据传输到LCD显示器或无线收发模块进行终端处理。本发明与现有技术相比具有模块化、智能化,拓宽了光谱的工作范围,提高了测量精度、灵敏度和速度,结构紧凑,性能好,尤其满足了环保、野外、现场检测以及星载分析检测的集成化、小型化和轻量化的需求。
  • 基于量子效应光电探测器便携式光谱快速检测
  • [发明专利]一种量子点嵌入式光谱仪-CN201610024715.X在审
  • 郭方敏;陆海东;郑厚植;张淑骅;沈建华;罗乐 - 华东师范大学
  • 2016-01-15 - 2016-05-04 - G01N21/25
  • 本发明公开了一种量子点嵌入式光谱仪,其特点是所述读出电路由PCB基板采用一空四线硅穿孔的连接方式与量子点探测器对接组成小型封装结构,封装后的读出电路分别与预处理模块和时序驱动电路连接,预处理模块与A/D转换和FPGA处理器依次串接后与时序驱动电路连接,FPGA处理器串接WiFi模块后与APP手机终端连接。本发明与现有技术相比具有高灵敏度、高信噪比和大响应率,对量子点进行调控组成不同波长的探测阵列,能够探测到1.5 um或更大波长的范围,可在及其微弱光的条件下完成光谱数据采集,大大减小了布板面积以及功耗,通过WIFI传输数据到手机APP进行光谱数据显示和处理,满足了智能化、小型化和轻量化的需求。
  • 一种量子嵌入式光谱仪
  • [实用新型]基于量子效应光电探测器的便携式光谱快速检测仪-CN201420412615.0有效
  • 郭方敏;郑厚植;沈建华;王维 - 华东师范大学
  • 2014-07-25 - 2014-12-10 - G01J3/28
  • 本实用新型公开了一种基于量子效应光电探测器的便携式光谱快速检测仪,其特点是该检测仪由探头、稱合器、光电探测器、放大电路、A/D转换器、存储器、微控器和时序驱动电路组成,所述稱合器将探头导入的待测光以不同波长的光分散投射到光电探测器,由读出电路将电信号读出后输入放大电路,经放大的电信号通过A/D转换器后由存储器进行缓存,由微控制器通过USB接口或WiFi模块将数据传输到LCD显示器或无线收发模块进行终端处理。本实用新型与现有技术相比具有模块化、智能化,拓宽了光谱的工作范围,提高了测量精度、灵敏度和速度,结构紧凑,性能好,尤其满足了环保、野外、现场检测以及星载分析检测的集成化、小型化和轻量化的需求。
  • 基于量子效应光电探测器便携式光谱快速检测
  • [发明专利]具有灵活测量几何的变温显微磁光电测试系统-CN200910093882.X无效
  • 吴昊;郑厚植;朱汇;李韫慧 - 中国科学院半导体研究所
  • 2009-09-23 - 2011-04-20 - G01N21/39
  • 一套具有灵活测量几何的变温显微磁光电测试系统,包括:一掺钛蓝宝石激光器,在其出射光路上依次排列有斩波器、宽波段线偏振片、光弹调制器、第一宽带消偏振分光棱镜、第二宽带消偏振分光棱镜、第一物镜和液氮杜瓦;该第二宽带消偏振分光棱镜的折射光路上还包括一摄像头及与其连接的显示器,在摄像头之后的光路上有一第二物镜,在第二物镜之后通过光纤连接有一单色仪及其配套的探测器;斩波器与一控制器连接;光弹调制器与一控制器连接;第一宽带消偏振分光棱镜的折射光路上还包括一照明光源及探测器;第二宽带消偏振分光棱镜的折射光路上还包扩一摄像头及与其连接的显示器;一钕铁硼永磁体,同轴但不接触地套在液氮杜瓦的前端;还包括一直流电流源,其两个输出端口通过导线与样品连接。
  • 具有灵活测量几何显微光电测试系统
  • [发明专利]分析光学元件保偏特性的方法-CN200910088591.1无效
  • 吴昊;郑厚植;朱汇 - 中国科学院半导体研究所
  • 2009-07-08 - 2011-01-12 - G01M11/02
  • 一种分析光学元件保偏特性的方法,包括:由第一宽波段线偏振片和第一宽波段四分之一波长波片组成极化单元,由第二宽波段四分之一波长波片和第二宽波段线偏振片组成检测单元,在同一光路上依次排列有激光器、极化单元、检测单元和光功率计;调节极化单元和调节检测单元;在极化单元和检测单元之间插入待测的光学元件;读取光功率计的读数,若待测光学元件对入射光的偏振状态有所改变,光功率计的读数将有所增加;若待测光学元件对入射光的偏振状态没有改变,则光功率计的读数不变,仍然只反映环境光的强度。
  • 分析光学元件特性方法
  • [发明专利]强磁场环境和液氮温度下的自旋相关输运测量系统-CN200910088590.7无效
  • 吴昊;郑厚植;谭平恒;章昊;朱汇;申超 - 中国科学院半导体研究所
  • 2009-07-08 - 2011-01-12 - G01N21/64
  • 一套强磁场环境和液氮温度下的自旋相关输运测量系统,包括:一液氮杜瓦;一手动五维调节平台,放置液氮杜瓦,用于调节液氮杜瓦的空间位置;一钕铁硼永磁体,同轴地套在液氮杜瓦的铝套筒外侧,用于提供测量的强磁场环境;一电动一维平移台,位于钕铁硼永磁体下方;一手动一维升降台,位于电动一维平移台下方,用于调节钕铁硼永磁体和液氮杜瓦的相对位置;一超长工作距离物镜,位于液氮杜瓦的光学窗口的正前方,用于聚焦激发光到样品、以及收集并准直样品发出的荧光;一宽波段偏振非敏感分束棱镜,位于钕铁硼永磁体的通孔的一侧;一荧光光路,从样品出射,并经过超长工作距离物镜准直到垂直于光学窗口的方向;一激发光光路,与荧光光路正交于宽波段偏振非敏感分束棱镜。
  • 磁场环境液氮温度自旋相关输运测量系统
  • [发明专利]一种可实现自旋动态存储的器件-CN200910237089.2无效
  • 孙晓明;郑厚植;甘华东 - 中国科学院半导体研究所
  • 2009-11-04 - 2010-12-15 - G11C11/16
  • 本发明公开了一种可实现自旋动态存储的器件,该器件包括从下到上依次生长的衬底(10)、缓冲层(20)和微腔结构(30),且该微腔结构(30)包括从下到上依次生长的下反射镜(31)、有源区(32)和上反射镜(33),该有源区(32)是由交替生长的镓氮砷(321)和砷化镓(322)构成。本发明通过将室温下具有长弛豫时间的镓氮砷材料置入微腔中作为有源区,利用微腔具有的强耦合机制,有效放大镓氮砷材料中电子的弛豫时间,为实现自旋的动态存储以及量子计算机的实现打下坚实的基础。
  • 一种实现自旋动态存储器件
  • [发明专利]判定无上反射镜谐振腔增强型光电探测器有效腔模的方法-CN200910091400.7无效
  • 孙晓明;郑厚植;章昊 - 中国科学院半导体研究所
  • 2009-08-19 - 2010-12-15 - G01M11/02
  • 一种判定无上反射镜谐振腔增强型光电探测器有效腔模的方法,包括如下步骤:设计无上反射镜谐振腔增强型光电探测器的结构,形成探测器样品;将设计的探测器样品生长好以后,利用光谱仪测量样品的反射谱,标出反射谱中高反带区域的各个漏模;依据光学传输矩阵的原理编辑模拟程序,模拟得到与设计的无上反射镜谐振腔增强型光电探测器结构以及层厚完全一致的理论模拟反射谱;调节模拟程序中反射镜各层和腔体各层的厚度,使模拟得到的反射谱与实验测得的反射谱保持一致,然后改变模拟程序中吸收层的吸收系数,并观察模拟反射谱中各个漏模的变化,而同时源自谐振腔模式的漏模即腔模不会发生任何变化,从而判定无上反射镜谐振腔增强型光电探测器反射谱中的漏模是来自有源区吸收还是来自腔模。
  • 判定无上反射谐振腔增强光电探测器有效方法
  • [发明专利]具有低暗电流特性的谐振腔增强型光电探测器-CN200910237780.0无效
  • 孙晓明;郑厚植;章昊 - 中国科学院半导体研究所
  • 2009-11-17 - 2010-12-15 - H01L31/111
  • 一种具有低暗电流特性的谐振腔增强型光电探测器,包括:一砷化镓衬底;一砷化镓缓冲层生长在砷化镓衬底上;一谐振腔结构生长在砷化镓缓冲层上;一有源区生长在腔体下砷化镓层上,包括交替生长的铟镓砷量子点和砷化镓间隔层;一腔体中砷化镓层生长在有源区上;一势垒结构生长在腔体中砷化镓层上,包括依次生长的下铝镓砷层、砷化铝层、上铝镓砷层以及铝镓砷渐变层,其中下铝镓砷层和上铝镓砷层的组成成份都为Al0.45Ga0.55As,铝镓砷渐变层的组成成份为AlXGa1-XAs,沿着生长方向,X由0.45渐变至0;一腔体上砷化镓层生长在势垒结构上;一上反射镜生长在腔体上砷化镓层上,包括依次生长的上反射镜砷化铝层和上反射镜砷化镓层。
  • 具有电流特性谐振腔增强光电探测器

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