“郑克丽”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果6个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种可调式放置多把胡琴的支架装置及其使用方法-CN202211712773.3在审
发明人： 郑克丽;何朝金;何凡 -专利权人：安徽中枨信息科技有限公司;芜湖金丽帆新材料科技有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G10G5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种可调式放置多把胡琴的支架装置及其使用方法，将胡琴支架装置中的可调式琴弦轴固定架上端面设计为多个可调式琴弦轴柔性固定槽，在琴筒固定架上端面设计为多个琴筒柔性固定半圆槽，来满足在一个支架装置上可以放置多把胡琴和多种规格的胡琴需求，针对多种规格胡琴弦轴距琴筒尺寸长短不一的特性，可调式琴弦轴固定架二端安装在左支柱、右支柱滑槽里，通过圆柱肖插入上下圆孔位置的变动，可上下调整可调式琴弦轴固定架高度和倾角，另外琴筒固定架左右端和左支柱、右支柱有一个倾角，形成可调式琴弦轴柔性固定槽和琴筒柔性固定半圆槽圆心距离不等，保证能使多把胡琴放置在可调试胡琴支架装置上。
一种调式放置胡琴支架装置及其使用方法

[实用新型]一种卧式带有折流板和自动除垢装置的母液过滤设备-CN202120063888.9有效
发明人：何朝金;田有发;何朝贵;杨秀兰;郑克丽;郭思思 -专利权人：安徽中枨信息科技有限公司;金昌中枨科技有限责任公司
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： B01D36/00 文献下载
摘要：一种卧式带有折流板和自动除垢装置的母液过滤设备，属于冶金、化工、电力、建材、食品、医药等行业母液过滤处理技术领域，具体涉及一种利用折流板、自动除垢装置、填料过滤原理对母液进行过滤处理的设备，采用的技术方案是在设备左侧进口端设计一种带有折流板和自动除垢的装置，中段设计有压缩空气吹扫腔，后端设计有填料装置，保证设备系统里的污垢能及时清除和母液充分过滤，达到设备连续性生产的目的。
一种卧式带有折流板自动除垢装置母液过滤设备

[实用新型]一种带有锅形布流装置的冷却器设备-CN202120284436.3有效
发明人：何朝金;田有发;何朝贵;杨秀兰;郑克丽;郭思思 -专利权人：安徽中枨信息科技有限公司;金昌中枨科技有限责任公司
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： F25D31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种带有锅形布流装置的冷却器设备，属于冶金、化工、电力、建材、食品、医药等行业母液冷却处理技术领域，具体涉及一种利用锅形布流装置和冷媒夹套对母液进行冷却处理的设备，为了解决现有设备存在母液分流不太均匀，冷却效果较差、冷却温度不易控制的技术问题，在设备母液进口端设计一种带有锅形布流装置、设备外部中下段设计有冷媒夹套，保证设备系统里的母液能及时达到冷却目的。
一种带有锅形布流装置冷却器设备

[发明专利]柔性InGaZnO薄膜晶体管及制备方法-CN202011176681.9在审
发明人：宋家琪;郑克丽 -专利权人：深圳技术大学
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性InGaZnO薄膜晶体管及制备方法。柔性InGaZnO薄膜晶体管，包括：柔性衬底，柔性衬底为柔性PI衬底；缓冲层，缓冲层位于柔性衬底上侧；ITO栅极，ITO栅极位于缓冲层上侧；高K介质层，高K介质层位于ITO栅极上侧；InGaZnO有源层，InGaZnO有源层位于高K介质层上侧；ITO源极，ITO源极位于有源层上侧；ITO漏极，ITO漏极位于有源层上侧。通过将栅极、源极和漏极的材料设置为ITO，使得薄膜晶体管整体具有良好的柔韧性和高透光率。
柔性 ingazno 薄膜晶体管制备方法

[发明专利]柔性InGaZnO薄膜晶体管及制备方法-CN202011179144.X在审
发明人：宋家琪;郑克丽 -专利权人：深圳技术大学
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性InGaZnO薄膜晶体管及制备方法。柔性InGaZnO薄膜晶体管，包括：柔性衬底、缓冲层、ITO栅极、高K介质层、InGaZnO有源层、源极、漏极，柔性衬底为柔性PI衬底，缓冲层位于柔性衬底上侧，ITO栅极位于缓冲层上侧，高K介质层位于ITO栅极上侧，InGaZnO有源层位于高K介质层上侧，源极位于有源层上侧，源极设置为圆柱结构，漏极位于有源层上侧，漏极设置为圆环结构，源极位于漏极中心。通过将源极设置为圆柱结构，将漏极设置为圆环结构，实现了中心对称型的沟道形状和传导电流分布，对机械形变和应力仍具备各项同性的特点，极大提升了InGaZnO薄膜晶体管的电学稳定性。
柔性 ingazno 薄膜晶体管制备方法

[发明专利]柔性InGaZnO薄膜晶体管制备方法-CN202011176695.0在审
发明人：宋家琪;郑克丽 -专利权人：深圳技术大学
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性InGaZnO薄膜晶体管制备方法。包括：提供柔性PI衬底，在所述柔性PI衬底上依次形成缓冲层、ITO栅极、高K介质层，对所述高K介质层进行准分子激光退火，在所述高K介质层上形成InGaZnO有源层，通过光刻和显影工艺，在所述InGaZnO有源层上形成源极和漏极的光刻胶图形，对所述InGaZnO有源层进行准分子激光退火，在所述InGaZnO有源层上形成金属薄膜，通过光刻胶的剥离工艺形成源极和漏极。通过使用准分子激光退火，可实现纳米尺度下的局域性退火，对特定的薄膜区域实现温度提升，有效避免了全结构的热效应，降低柔性衬底材料玻璃化温度的限制。
柔性 ingazno 薄膜晶体管制备方法