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[实用新型]基于类可控硅二极管的静电保护器件及静电保护电路-CN202223517005.0有效
发明人：赖大伟;王迪;邹池佳;郑飞君 -专利权人：杭州傲芯科技有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于类可控硅二极管的静电保护器件及静电保护电路，静电保护器件包括：半导体基板；深埋层隔离区，嵌埋至所述半导体基板中；第一N型掺杂区、第一P型掺杂区、第二N型掺杂区和第二P型掺杂区，依次设置在所述深埋层隔离区上；多个浅沟槽隔离区，依次设置在第一N型掺杂区、第一P型掺杂区、第二N型掺杂区和第二P型掺杂区的各交界面的上半部分，将这四个区域在表层隔离；在第一N型掺杂区、第一P型掺杂区、第二N型掺杂区和第二P型掺杂区上，从左至右依次设置有第三N型掺杂区，第三P型掺杂区，第四P型掺杂区，第四N型掺杂区；接地端，通过第五P型掺杂区与半导体基板电连接；输入端，通过第四P型掺杂区与半导体基板电连接；输出端。
基于可控硅二极管静电保护器件电路

[发明专利]基于类二极管可控硅的静电保护器件-CN202211699057.6在审
发明人：赖大伟;王迪;邹池佳;郑飞君 -专利权人：杭州傲芯科技有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于类可控硅二极管的静电保护器件，包括：半导体基板；深埋层隔离区，嵌埋至所述半导体基板中；第一N型掺杂区、第一P型掺杂区、第二N型掺杂区和第二P型掺杂区，依次设置在所述深埋层隔离区上；多个浅沟槽隔离区，依次设置在第一N型掺杂区、第一P型掺杂区、第二N型掺杂区和第二P型掺杂区的各交界面的上半部分，将这四个区域在表层隔离；在第一N型掺杂区、第一P型掺杂区、第二N型掺杂区和第二P型掺杂区上，从左至右依次设置有第三N型掺杂区，第三P型掺杂区，第四P型掺杂区，第四N型掺杂区；接地端，通过第五P型掺杂区与半导体基板电连接；输入端，通过第四P型掺杂区与半导体基板电连接；输出端。
基于二极管可控硅静电保护器件