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[发明专利]一种具有可控氧空位分布的三氧化钨电极及制备和应用-CN201911201693.X有效
发明人：李灿;邵晨熠;宗旭 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01M4/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有可控体相和表面氧空位的三氧化钨光电极及其制备并协同调控体相和表面氧空位的方法。采用两步氢火焰高温快速焙烧法可实现在金属W基底原位生长具有高结晶度的WO3薄膜。通过增加第一步的焙烧时间，WO3薄膜体相中的氧空位浓度逐渐降低。通过增加第二步的焙烧时间，可实现在基本不改变体相氧空位浓度的同时，降低WO3薄膜表面的氧空位浓度。不同于已公开报道的先实现电极制备后引入/调控氧空位的思路及对应的方法，该方法可以同时实现WO3电极的制备和氧空位的调控，此外，与其他的氧空位调控方法相比，该方法可以实现WO3光阳极体相和表面氧空位的协同调控，有望进一步提高WO3光阳极的光电催化水氧化活性及稳定性。
一种具有可控空位分布氧化钨电极制备应用

[发明专利]一种Ta3N5光电极及其制备方法-CN201510741556.0在审
发明人：李灿;邵晨熠;宗旭 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2015-11-04 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及在金属钽片上制备Ta3N5电极的方法。采用直接高温快速焙烧方法在Ta基底原位制备高结晶度的Ta2O5前驱薄膜。该Ta2O5前驱薄膜经高温氮化，获得以Ta3N5为光吸收层，Ta5N6，Ta2N和Ta叠层作为导电基底的光电极。不同于已公开报道的其他制备方法，该方法所得Ta3N5薄膜具有高致密度和结晶度，与导电基底接触紧密，具备优异的机械强度。此外Ta2O5前驱薄膜的制备过程快捷，有利于Ta3N5光电极的批量制备。此光电极可用于光电化学水分解制氢气、二氧化碳还原以及光催化降解有机物等用途。
一种 ta3n5 电极及其制备方法

[发明专利]一种棒状单晶结构硼酸铜的制备方法-CN201310686718.6有效
发明人：陈爱民;薄盈盈;邵晨熠;胡军;汪晶 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2013-12-09 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： C01B35/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种棒状单晶结构硼酸铜的制备方法，采用溶胶-凝胶法，将水溶性铜盐、发泡剂按物质的量比1：0.1～6的比例混合，加水配成含铜的水溶液，在室温下搅拌1～4h，再向溶液中滴加0.05～2.0mol/L硼酸或硼酸三丁酯溶液，在室温下搅拌1～4h，然后在120～170℃温度下烘干，得到干凝胶；干凝胶在空气氛围下于550～1000℃煅烧2～10h，得到粉状物；所述粉状物洗涤，离心，所得粉末在40～120℃干燥，制得棒状单晶结构硼酸铜Cu₃B₂O₆。本发明方法简单易行，能耗低，大大降低了生产成本，易实现工业化生产。
一种棒状单晶结构硼酸制备方法

[发明专利]一种可见光催化剂硼酸铜降解染料废水的应用-CN201310661010.5有效
发明人：陈爱民;邵晨熠;薄盈盈;胡军;汪晶 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2013-12-09 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： C02F1/72 文献下载
摘要：本发明公开了硼酸铜Cu3B2O6作为可见光催化剂的应用，具体的，硼酸铜可作为可见光催化剂在可见光下催化降解有机染料废水，特别可用于对含亚甲基蓝的染料废水的可见光催化降解。并公开了具体应用的方法。本发明提供的Cu3B2O6粉末加入亚甲基蓝溶液，在可见光（波长为420～800nm）条件下进行光催化降解反应，对水中亚甲基蓝的去除率高达99.52%，光催化讲解能力强，有利于Cu3B2O6光催化处理染料废水技术的工业化。
一种可见光催化剂硼酸降解染料废水应用