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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]降低衬底漏电流的GaN基JFET场效应晶体管及其制备方法-CN202310298051.6在审
  • 陈敦军;邵克戌;郭慧 - 南京大学
  • 2023-03-24 - 2023-07-04 - H01L29/808
  • 本发明公开了一种降低衬底漏电流的GaN基JFET场效应晶体管，其特征在于其结构依次包括：一衬底层；一p‑GaN缓冲层；一AlN层；一p‑GaN层；一n‑GaN沟道层；n‑GaN沟道层填充有两片p‑GaN，p‑GaN与两边的n‑GaN沟道层形成两个背靠背的p‑n结，控制沟道宽度，使沟道在零偏压下处于耗尽状态；源电极、漏电极，分别设置在n‑GaN沟道层n‑GaN顶表面的两端；叉指结构的栅电极，覆盖沟道内填充的p‑GaN的顶表面，并在一端联结。并公开了其制备方法。本发明实现了加入AlN层的增强型GaN基结型场效应晶体管。在运用适当掺杂浓度的p‑GaN作为缓冲层并加入AlN层后有效的降低了衬底漏电流，提高器件使用寿命。
  • 降低衬底漏电ganjfet场效应晶体管及其制备方法
  •  1 
  • 共 1 条
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