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[发明专利]一种预电镀引线框架的凹凸镍微结构层用电化学沉积液和制备方法及应用-CN202310697481.5在审
发明人： 邓麒俊;吴家麟 -专利权人：江门市优彼思半导体材料有限公司
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C25D3/12 文献下载
摘要：本申请涉及预电镀引线框架技术领域，具体公开了一种预电镀引线框架的凹凸镍微结构层用电化学沉积液和制备方法及应用。电化学沉积液由溶剂和溶质组成，溶质主要包括以下原料：开缸组合物、稳定剂、分散剂；开缸组合物主要包括以下原料：氨基磺酸镍和/或硫酸镍，还包括硼酸、氢氧化铵、磷酸二氢铵中的至少两种；稳定剂主要包括以下原料：硼酸钾、氨基磺酸或氨基磺酸聚合物；分散剂主要包括以下原料：聚二硫二丙烷磺酸钠、3‑巯基‑1‑丙烷磺酸钠、丙烷磺酸钠及丙烷磺酸聚合物。该电化学沉积液，能够在引线框架表面形成粗化球状结构，获得的预电镀引线框架湿气敏感性测试等级达到MSL‑1，提升可靠性能力，能够满足更高要求的需求。
一种电镀引线框架凹凸微结构用电化学沉积制备方法应用

[发明专利]一种纯钯电镀液及其电镀工艺-CN202310428750.8在审
发明人： 邓麒俊;吴家麟 -专利权人：江门市优彼思半导体材料有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C25D3/52 文献下载
摘要：本发明属于金属电镀领域，具体涉及一种纯钯电镀液及其电镀工艺。一种纯钯电镀液，包括含钯氨络离子无机盐、导电剂、络合剂、pH稳定剂、添加剂和去离子水，pH为7.3‑8.5；所述含钯氨络离子无机盐的含量以钯计为10‑20g/L；所述导电剂的含量为10‑20g/L；所述络合剂的含量为1‑2g/L；所述添加剂的含量为0.5‑1g/L；所述添加剂由聚氧乙烯山梨糖醇酐单月桂酸酯、磺基丁二酸钠、环状酰亚胺和丙烯酰胺按质量比1:（1.5‑2）:（0.3‑0.5）:（0.5‑0.8）混合而成。本申请纯钯电镀液及其电镀工艺，钯层钯纯度大于99.9%，焊接性好，镀层孔隙率低，防护效果好，电镀效果优。
一种电镀及其工艺

[发明专利]一种用于引线框架表面的除油粉及其制备方法-CN202310164506.5在审
发明人： 邓麒俊;吴家麟 -专利权人：江门市优彼思半导体材料有限公司
申请日： 2023-02-25 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C11D1/14 文献下载
摘要：本申请涉及一种用于引线框架表面的除油粉及其制备方法，涉及油污产品技术领域，其包括以下质量份的原料：氢氧化钠40‑70份，磁性无磷除油剂15‑25份，葡萄酸钠5‑15份，柠檬酸钠10‑20份，十二烷基硫酸钠1‑5份，消泡剂1‑3份。本申请制备得到的除油粉在具有较好的除油效果的同时，可以有效减少对环境造成污染的效果。
一种用于引线框架表面及其制备方法

[发明专利]一种半导体无氰电镀金镀液及其制备方法-CN202211710052.9在审
发明人： 邓麒俊;吴家麟 -专利权人：江门市优彼思半导体材料有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C25D3/48 文献下载
摘要：本发明涉及半导体电镀技术领域，尤其是涉及一种半导体无氰电镀金镀液及其制备方法。一种半导体无氰电镀金镀液，所述镀液包含：金的亚硫酸盐15‑30g/L、导电盐20‑40g/L、pH缓冲剂5‑10g/L、络合剂10‑15g/L、添加剂5‑10mg/L；所述添加剂包括酒石酸锑钾、亚硒酸铵、聚乙二醇和异构醇聚氧乙烯醚；所述络合剂为乙二胺四亚甲基膦酸和丙二胺的复配。本申请提供的半导体无氰电镀金镀液，镀金层厚度均一，镀金层粒子结晶细化，提高了无氰镀金层在热处理后的硬度。
一种半导体无氰电镀金及其制备方法

[发明专利]一种无氰镀银基础溶液配制添加剂及制备方法-CN202211100623.7在审
发明人： 邓麒俊 -专利权人：江门市优彼思半导体材料有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： C25D3/46 文献下载
摘要：本申请涉及镀银用添加剂领域，更具体地说，它涉及一种无氰镀银基础溶液配制添加剂及制备方法。一种无氰镀银基础溶液配制添加剂，包括以下组分制备而成：亚硫酸盐、柠檬酸盐、磷酸氢二钾、丙三醇聚氧乙烯聚氧丙烯共聚物、丙二醇聚氧乙烯聚氧丙烯醚、有机酸银、水；其制备方法为：步骤1)：取部分水将丙三醇聚氧乙烯聚氧丙烯共聚物、丙二醇聚氧乙烯聚氧丙烯醚，混合均匀，得到混合液，待用；步骤2)：往容器内加入部分水，加热；步骤3)：往容器内加入有机酸银；步骤4)：往容器内投入混合液、亚硫酸盐、柠檬酸盐、磷酸氢二钾和剩余的水，搅拌均匀，得到成品。本申请具有无氰环保的优点。
一种镀银基础溶液配制添加剂制备方法

[发明专利]一种无氰碱铜电镀液及其使用方法-CN202211566085.0在审
发明人： 邓麒俊;吴家麟 -专利权人：江门市优彼思半导体材料有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： C25D3/38 文献下载
摘要：本申请涉及电镀液的技术领域，具体公开了一种无氰碱铜电镀液及其使用方法。一种无氰碱铜电镀液，包括以下物质：开缸剂500‑900mL/L；添加剂0.5‑10mL/L；pH调节剂5‑20g/L；光亮剂0.1‑2g/L；导电盐0‑40g/L；平衡液0‑20g/L；所述添加剂为晶粒细化添加剂，所述添加剂选自聚醚或胺类化合物中的至少一种。其使用方法为：S1、电镀液配置，调节pH至8.5‑10.5；S3、电镀：调节电流密度为0.1‑2ASD，电镀温度45‑53℃，电镀1‑10min。本申请的电镀液可用于铁、不锈钢等打底预镀铜工艺，其具有镀层结合牢固、光亮、不含氰化物的优点、适用于连续镀、浸镀等多种电镀方式。
一种无氰碱铜电镀及其使用方法

[发明专利]一种镀银光亮剂及其电镀液-CN202211191945.7在审
发明人： 邓麒俊;吴家麟 -专利权人：江门市优彼思半导体材料有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C25D3/46 文献下载
摘要：本申请涉及电镀领域，具体公开了一种镀银光亮剂及其电镀液。本申请的镀银光亮剂，包括以下重量份的原料：40‑50份硫脲衍生物，10‑15份乙酸酯类非离子表面活性剂，8‑15份磺酸盐型阴离子表面活性剂与1‑3份金属‑无机复合光亮剂，所述金属‑无机复合光亮剂由0.2‑0.5份金属光亮剂与0.8‑2.5份无机光亮剂组成；上述所有原料基准都是相同的，以硫脲衍生物为基准。本申请的镀银光亮剂具有在提高镀层的沉积速度的同时提高镀层光亮度的效果。
一种镀银光亮剂及其电镀

[发明专利]一种无氰镀银电镀液、制备方法以及应用其的电镀方法-CN202211159694.4在审
发明人： 邓麒俊;吴家麟 -专利权人：江门市优彼思半导体材料有限公司
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C25D3/46 文献下载
摘要：本申请涉及电镀液的技术领域，具体公开了一种无氰镀银电镀液、制备方法及以及应用其的方法。一种无氰镀银电镀液，包括如下组分及其质量浓度：硝酸银25‑45g/L、络合剂40‑120g/L、柠檬酸钠10‑50g/L、碳酸钾5‑30g/L、十二烷基硫酸钠10‑30g/L、磷酸氢二钠5‑20g/L、光亮剂5‑35g/L以及pH调节剂10‑30g/L，所述络合剂包括5,5‑二甲基海因（DMH）、蛋氨酸、植酸中的任意两种或多种。应用其的电镀方法为：预镀处理；镀银。本申请的一种无氰镀银电镀液可用于半导体、仪器仪表等电镀中，其具有光亮、结合效果优异的优点。
一种镀银电镀制备方法以及应用

[发明专利]一种半导体引线框架高速镀银用防置换剂及包含其的预浸液-CN202211082160.6在审
发明人： 邓麒俊 -专利权人：江门市优彼思半导体材料有限公司
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： C25D3/46 文献下载
摘要：本申请涉及高速镀银的领域，具体公开了一种半导体引线框架高速镀银用防置换剂，包括以下含量的组分：2‑巯基‑1‑甲基咪唑2‑30g/L；硫代巴比士酸2‑30g/L；2‑羟基‑3‑巯基‑1‑丙磺酸1‑30g/L。本申请还公开一种包含半导体引线框架高速镀银用防置换剂的预浸液，包括以下含量的组分：防置换剂10‑60ml/L；氰化银钾0‑10g/L；游离氰化钾0.010‑0.15g/L。本申请具有使铜基材在镀银液中不容易与银发生置换，保证生产的银镀层与铜基材之间具有良好的结合力的效果。
一种半导体引线框架高速镀银置换包含浸液

[发明专利]引线框架高速镀银用助导电组合物及含该组合物的电镀液-CN202210828628.5在审
发明人： 邓麒俊 -专利权人：江门市优彼思化学技术有限公司
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： C25D3/46 文献下载
摘要：本申请涉及一种引线框架高速镀银用助导电组合物及含该组合物的电镀液，组合物包括以下浓度的原料：导电混合盐56‑84g/L；缓冲剂16‑24g/L；辅助剂7‑9g/L；调节剂1‑3g/L；溶剂为水；所述导电混合盐中包括硝酸钾和硫酸钾；所述缓冲剂中包括硼酸钾、磷酸氢二钾和氯化钾；所述辅助剂为焦磷酸钾；所述调节剂包括2‑丁炔‑1，4‑二醇、尿素、硫代甲酸糠酯、甲硫酸氨或异构醇聚氧乙烯醚中的一种或多种。本申请具有提升镀液和镀层性能，进而提升产品导电性和使用性的效果。
引线框架高速镀银导电组合电镀

[发明专利]一种半导体引线框架高速镀银用光亮剂-CN202210789074.2在审
发明人： 邓麒俊 -专利权人：江门市优彼思化学技术有限公司
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C25D3/46 文献下载
摘要：本发明涉及电镀银添加剂领域，具体公开了一种半导体引线框架高速镀银用光亮剂，包括以下质量份数的组分：溶剂95.47‑95.95份；含硒化合物0.9‑1.08份；含碲化合物0.25‑0.35份；含铋化合物2.9‑3.1份；含硒化合物为硫化硒、亚硒酸铵的复配；含碲化合物为碲酸铵、亚碲酸钾的复配；含铋化合物为钛酸铋、柠檬酸铋铵的复配；半导体引线框架高速镀银用光亮剂在高速镀银溶液中的用量为5‑10g/L。本发明具有提高银镀层的可焊性的优点。
一种半导体引线框架高速镀银用光

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