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[发明专利]用于沟槽功率MOSFET的自对准接头-CN201610215555.7有效
发明人：薛宏勇;雷燮光;黄士彰;林靖凯;李文军;杨易昌;邓觉为 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2016-04-08 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的实施例提出了一种沟槽功率MOSFET器件的自对准接头。该器件具有一个氮化层，位于栅极沟槽中导电材料上方，以及每两个邻近的接触结构之间的那部分台面结构上方。还可选择，该器件具有一个氧化层，在栅极沟槽中的导电材料上方，以及每两个邻近的接触结构之间的那部分台面结构上方。要强调的是，本摘要是为了满足摘要的要求，允许研究人员或其他读者快速掌握技术方案的主旨内容。提交本专利应理解，它不会被用来解释或限制权利要求书的范围或含义。
用于沟槽功率 mosfet 对准接头

[发明专利]一种用湿法腐蚀减少GaN外延缺陷的方法-CN201310449306.0有效
发明人：张汝京;邓觉为;黄宏嘉;缪炳有;梁金刚 -专利权人：西安神光皓瑞光电科技有限公司
申请日： 2013-09-24 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种用湿法腐蚀减少GaN外延缺陷的方法，包括以下步骤1)在蓝宝石晶片上生长非掺杂氮化镓；2)将步骤1)生长了非掺杂氮化镓的蓝宝石晶片放入熔融的碱性溶液，之后取出用去离子水清洗甩干；3)将步骤2)清洗甩干后的蓝宝石晶片再进行生长；4)将GaN基键合在硅基板上，利用高温晶格失配应力剥离蓝宝石基片。本发明的一种用湿法腐蚀减少GaN外延缺陷的方法，降低GaN的缺陷密度，进一步提高LED亮度。
一种湿法腐蚀减少 gan 外延缺陷方法

[发明专利]梅花型掩膜版以及利用梅花型掩膜版制造图形化衬底的方法-CN201310473082.7有效
发明人：缪炳有;张汝京;黄宏嘉;邓觉为;许继仁;商毅博;王岩;韩沈丹 -专利权人：西安神光安瑞光电科技有限公司
申请日： 2013-10-11 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种梅花型掩膜版，包括光刻板，光刻板上设置梅花型阵列单元，梅花型阵列单元包括多个梅花型单元，梅花型单元包括外圆环和与外圆环内径相切的内圆。本发明的一种梅花型掩膜版以及利用梅花型掩膜版制造图形化衬底的方法，减少外延生长缺陷，增加光提取效率，从而提高GaN基LED发光效率。
梅花型掩膜版以及利用制造图形衬底方法

[发明专利]带有高纵横比沟槽接头以及沟槽间亚微米间距的功率器件-CN201610033164.3在审
发明人：李文军;保罗·托鲁普;常虹;李亦衡;向泱;邓觉为;薛宏勇;顾一鸣 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2016-01-19 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提出了一种位于半导体衬底中的半导体功率器件，该半导体功率器件包含一个有源晶胞区和一个端接区。该半导体功率器件还包含多个栅极沟槽，形成在有源晶胞区中半导体衬底的顶部，其中每个栅极沟槽都用导电栅极材料部分填充，沟槽的顶部用高密度等离子（HDP）绝缘层填充。该半导体功率器件还包含位于栅极沟槽之间的半导体衬底的台面结构区，其中台面结构区凹陷下去，顶部台面结构表面垂直位于HDP绝缘层的顶面以下，其中覆盖在导电栅极材料上方的HDP绝缘层构成一个凸起边界限定层，包围着栅极沟槽之间有源晶胞区中的凹陷台面结构区。
带有纵横沟槽接头以及微米间距功率器件

[实用新型]一种涂胶装置-CN201320588203.8有效
发明人：胡锋涛;陈起伟;侯柏宇;邓觉为;罗建华;李斌;马金金;杜兴时 -专利权人：西安神光安瑞光电科技有限公司
申请日： 2013-09-23 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： B05C11/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种涂胶装置，包括依次连接的光刻胶瓶、胶泵和控制阀，该装置还包括设置在胶泵与控制阀之间的耐化学品腐蚀的囊式过滤器。本实用新型在胶泵管路中加入一个过滤器，可在胶泵打胶时过滤掉胶中的杂质和颗粒，可提升涂胶后胶层的质量，提高在线的良率，降低返工率、节约原材料成本，增加设备的产能等。
一种涂胶装置

[实用新型]一种涂胶机室-CN201320588085.0有效
发明人：胡锋涛;陈起伟;侯柏宇;邓觉为;罗建华;李斌;种景;杜兴时 -专利权人：西安神光安瑞光电科技有限公司
申请日： 2013-09-23 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本实用新型提供一种涂胶机室，包括胶杯、涂胶机台，所述涂胶机台包括晶片和吸盘，晶片设置于吸盘上，所述胶杯为圆台状，其横截面为T形，所述吸盘的位置与胶杯内侧顶端的间距为0.6―1.5cm，晶片边缘与胶杯侧壁的最短距离为2―4cm，在整个涂布过程中，使用了新型的胶杯外壳装置，相比原来的胶杯，外壳大小，高度，及斜面的改良，彻底的解决了第五步中甩出的光刻胶反溅回晶片表面造成缺陷，提升了涂布光刻胶这一步工艺中的良率及降低返工率。
一种涂胶

[实用新型]一种抛光液温度控制装置-CN201320588204.2有效
发明人：胡锋涛;陈起伟;侯柏宇;邓觉为;罗建华;李斌;马金金;杜兴时 -专利权人：西安神光安瑞光电科技有限公司
申请日： 2013-09-23 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： B24B51/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种抛光液温度控制装置，包括液冷管路，液冷管路上设置有电磁阀，所述抛光液温度控制装置还包括温度控制仪和用以探测抛光液温度的红外线测温传感器，所述温度控制仪包括温度数据输入端、报警输出端和控制输出端；所述红外线测温传感器与温度控制仪的温度数据输入端相连，温度控制仪的控制输出端连接至电磁阀，本装置增加了温度控制仪、红外线测温传感器以及报警装置，可以实现温度控制在35℃以下或者温度在38℃以上，报警装置报警提示操作人员停机检查，成功预防由于温度上升而造成的晶片滑片破碎等此类生产报废的发生，因此可提高抛光研磨的质量，提高在线良率，降低返工率。
一种抛光温度控制装置

[实用新型]一种磁流体保护装置-CN201320589032.0有效
发明人：胡锋涛;陈起伟;侯柏宇;邓觉为;罗建华;李斌;高翅;杜兴时 -专利权人：西安神光安瑞光电科技有限公司
申请日： 2013-09-23 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： G03F7/30 文献下载
摘要：本实用新型提供一种磁流体保护装置，包括磁流体本体、设置在磁流体本体上方的主轴，还包括保护装置，所述保护装置为下端开口的圆筒结构，所述主轴穿过保护装置的上底面，所述保护装置的筒壁外径与磁流体本体外径相等，所述保护装置的高度小于磁流体本体的高度，该保护装置可以完全可以解决废液流进磁流体和电机轴里，延长了磁流体和电机的使用寿命，提高了设备的稳定性、节约了设备及零部件更换的成本，增加了设备的正常使用率和产能，还可提升设备的正常工作时间，提高设备的产能，降低设备故障率。
一种流体保护装置

[发明专利]一种通过缺陷钝化减少GaN外延缺陷的方法-CN201310438891.4无效
发明人：张汝京;邓觉为;黄宏嘉;缪炳有;梁金刚 -专利权人：西安神光皓瑞光电科技有限公司
申请日： 2013-09-24 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提出了一种通过缺陷钝化减少GaN外延缺陷的方法，包括以下步骤：1）在蓝宝石晶片放入MOCVD中生长氮化镓；2)将步骤1）生长了氮化镓的蓝宝石晶片放入熔融的碱溶液，氮化镓被KOH溶液腐蚀，表面产生锯齿状蚀坑，之后取出用去离子水清洗甩干；3)将步骤2）清洗甩干后的蓝宝石晶片放入PECVD设备再进行生长,用等离子体淀积法生长1um厚的SiO2；4）对步骤3）的蓝宝石晶片进行研磨，除去氮化镓未被蚀坑平面上的SiO2，并清洗干净；5）将研磨后的蓝宝石晶片用MOCVD继续依次生长n型氮化镓、多量子阱、p型氮化镓，完成LED结构层生长。本发明的一种通过缺陷钝化减少GaN外延缺陷的方法，大大降低缺陷密度。
一种通过缺陷钝化减少 gan 外延方法

[发明专利]一种提高材料晶体质量的外延生长方法-CN201310446032.X有效
发明人：李淼;陈起伟;邓觉为;游桥明 -专利权人：西安神光皓瑞光电科技有限公司
申请日： 2013-09-26 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明提出了一种改进的外延生长方法和结构设计理念，能够大幅度稳定提高外延材料晶体质量和提升发光材料和器件的效率。该外延生长方法的特别之处在于，其前期生长过程先进行两次短暂生长，主要包括以下环节：（1）在反应室内，在400度至900度升温过程中，通入TMGa和NH3，进行外延生长一段时间，然后停止通入TMGa和NH3，继续升温至高温段；（2）在高温段维持10-300s后，再次通入TMGa和NH3并维持10-200s；然后停止通入，继续在高温段处理10-500s。按照本发明的方法进行外延生长，有利于处理掉衬底固有的机械损伤和形成初期的成核中心，而在后续的外延生长过程中更加有利于成核和外延的继续，对于材料的晶体质量提高起到了明显的效果。
一种提高材料晶体质量外延生长方法

[发明专利]一种抗静电击穿的LED结构-CN201310463035.4无效
发明人：李淼;陈起伟;邓觉为;游桥明 -专利权人：西安神光皓瑞光电科技有限公司
申请日： 2013-09-24 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明设计了一种抗静电击穿的LED结构，通过材料的生长即可实现在材料薄弱位置形成内置的二极管结构，形成类似与电容和齐纳二极管的作用，在瞬间大电流冲击的情况下，能够快速的扩散电流，进而保证基本结构不被破坏。该抗静电击穿的LED结构，包括在衬底材料上依次生长的N-GaN层、MQW层、P-GaN层，其特征在于：在P-GaN层上还生长一层n型InxAlyGa1-x-yN材料，或者还交叠生长了n型InxAlyGa1-x-yN与P型InxAlyGa1-x-yN材料；其中，0.15≧x≧0,0.25≧y≧0。
一种抗静电击穿 led 结构

[发明专利]一种发光器件及其制备方法-CN201310347050.2无效
发明人：李淼;陈起伟;邓觉为;黄宏嘉 -专利权人：西安神光皓瑞光电科技有限公司
申请日： 2013-08-09 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种发光器件及其制备方法，解决现有技术通过提升晶体质量和单层材料的性能来改善亮度效果不明显技术问题。本发明通过物理或者化学处理的方法在表面形成微粗化的结构，然后在此粗化的材料界面上继续进行外延生长即可延续此前的微粗化效果到量子阱的结构中，对于微粗化处理的外延表面进行继续外延一层N型或者非掺的材料，之后继续外延与量子阱结构相关的层。本发明提高了量子阱生长质量和提高发光面积，并通过最优化的生长速率选择，使得该发光器件出光效率高；该制备方法工艺简单，对材料的晶体质量提升和亮度提升效果明显。
一种发光器件及其制备方法

[实用新型]一种发光二极管-CN201320089083.7有效
发明人：姚禹;缪炳有;陈起伟;邓觉为 -专利权人：西安神光皓瑞光电科技有限公司;西安神光安瑞光电科技有限公司
申请日： 2013-02-26 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种发光二极管，使p型辅助电极部分或者全部置于透明导电层之内，可有效的避免外界化学物质腐蚀底部接触层金属，也降低了p型辅助电极于透明导电层之上的高度，使得难以受到外力作用而发生损伤、脱落、断裂等情况。尤其当p型辅助电极的高度小于透明导电层内凹槽高度，或者小于凹槽高度与绝缘保护层厚度之和时，p型辅助电极将全部被绝缘保护层所包覆，大大增加了器件的可靠性。如此，也可以减小金属辅助电极的线宽，从而减小遮挡出光的面积，一定程度上增加了LED芯片亮度。
一种发光二极管

[发明专利]一种发光二极管制作方法-CN201310060263.7有效
发明人：姚禹;缪炳有;陈起伟;邓觉为 -专利权人：西安神光皓瑞光电科技有限公司;西安神光安瑞光电科技有限公司
申请日： 2013-02-26 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种发光二极管制作方法，通过使p型辅助电极部分或者全部置于透明导电层之内，可有效的避免外界化学物质腐蚀底部接触层金属，也降低了p型辅助电极于透明导电层之上的高度，使得难以受到外力作用而发生损伤、脱落、断裂等情况。尤其当p型辅助电极的高度小于透明导电层内凹槽高度，或者小于凹槽高度与绝缘保护层厚度之和时，p型辅助电极将全部被绝缘保护层所包覆，大大增加了器件的可靠性。如此，也可以减小金属辅助电极的线宽，从而减小遮挡出光的面积，一定程度上增加了LED芯片亮度。
一种发光二极管制作方法

[发明专利]自适应输入电源的阵列式发光装置及其制造方法-CN201310041659.7无效
发明人：姚禹;缪炳有;陈起伟;邓觉为 -专利权人：西安神光皓瑞光电科技有限公司;西安神光安瑞光电科技有限公司
申请日： 2013-02-01 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明提供一种自适应输入电源的阵列式发光装置，接入一输入电源，包括：至少三个发光二极管单胞组，所述发光二极管单胞组进行电性串并混联连接；至少一个第一打线电极，所述第一打线电极分别分布在部分或全部发光二极管单胞组上；至少一个第二打线电极，所述第二打线电极分别分布在部分或全部发光二极管单胞组上；一基板，每个所述第一打线电极和第二打线电极均与所述基板电性连接。本发明又提出一种自适应输入电源的阵列式发光装置的制造方法，在后续封装使用当中，可通过自适应输入电源的阵列式发光装置的不同基板上的电极连接线之间的电学切换，实现多种用电方式兼容，以满足不同应用场合的供电特性。
自适应输入电源阵列发光装置及其制造方法

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