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[发明专利]具有屏蔽电极结构的绝缘栅半导体装置和方法-CN201510424575.0有效
发明人： 邓盛凌;Z·豪森 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2015-07-17 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及具有屏蔽电极结构的绝缘栅半导体装置和方法。在一个实施方案中，半导体装置包括具有电荷平衡区域在结点阻挡区域上的半导体区域，结点阻挡区域具有较低掺杂浓度。具有绝缘屏蔽电极和绝缘栅电极的沟槽结构设置在所述半导体区域中。在一个实施方案中，所述沟槽结构终止于所述结点阻挡区域中。在另一实施方案中，所述半导体装置包括与所述沟槽结构间隔开的邻接主体区域的下表面的局部掺杂区域。所述局部掺杂区域具有与所述电荷平衡区域的导电类型相反的导电类型。在另一实施方案中，所述沟槽结构包括接近所述主体区域的所述下表面的槽口。在进一步的实施方案中，所述绝缘屏蔽电极被构造为具有邻接窄部分的宽部分。
具有屏蔽电极结构绝缘半导体装置方法

[发明专利]在源极接触沟槽中具有集成的伪肖特基二极管的功率MOSFET-CN201910538144.5在审
发明人： 邓盛凌 -专利权人：瑞萨电子美国有限公司
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本申请涉及在源极接触沟槽中具有集成的伪肖特基二极管的功率MOSFET。本实施例提供了一种半导体器件的区域，其包括在半导体衬底中被配置为沟槽MOSFET的多个功率晶体管单元。至少一个有源功率晶体管单元还包括沟槽源极区域，其中沟槽源极接触的沟槽底表面被覆盖有绝缘层和在绝缘层顶部上的导电材料层，以用作有源功率晶体管单元中的集成的伪肖特基势垒二极管。
绝缘层晶体管单元源极接触源功率肖特基势垒二极管功率晶体管单元肖特基二极管半导体器件导电材料层功率MOSFET 沟槽MOSFET 沟槽底表面源极区域衬底半导体覆盖配置申请

[实用新型]半导体器件、金属氧化物半导体场效应管和整流器器件-CN201920544521.1有效
发明人： 邓盛凌;迪安·E·普罗布斯特;Z·豪森 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2019-04-19 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体器件、金属氧化物半导体场效应管和整流器器件。所述半导体器件可包括第一导电类型的半导体区域以及第二导电类型的阱区域。所述阱区域可被设置在所述半导体区域中。所述阱区域和所述半导体区域之间的界面可在所述半导体区域的上表面之下的深度处限定二极管结。所述半导体器件可还包括设置在所述半导体区域中的至少一个电介质区域。所述至少一个电介质区域的电介质区域可具有上表面，所述上表面在所述半导体区域中的高于所述二极管结的深度的深度处设置在所述阱区域中；和下表面，所述下表面在所述半导体区域中的与所述二极管结的深度相同的深度处或低于所述二极管结的深度的深度处设置在所述半导体区域中。
半导体区域二极管结阱区域半导体器件电介质区域上表面下表面金属氧化物半导体场效应管第一导电类型本实用新型整流器器件导电类型