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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种可用于制作自旋太赫兹源器件的多层薄膜材料-CN202310164301.7在审
发明人：刘涛;谭碧;邓登福;刘冬华;邓龙江 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01S1/02 文献下载
摘要：本发明属于自旋电子学技术与应用领域，具体为一种可用于制作自旋太赫兹源器件的多层薄膜材料。本发明仅由三层或四层薄膜组成，利用拓扑反铁磁层既具有近零剩余磁矩从而频率在THz范围的磁共振和自旋波模式，又具有与铁磁材料相当的反常霍尔效应的特点，直接将自旋波(或磁共振)引起的磁矩扰动转化为同频率交变电场，从而作为THz源；其中四层薄膜结构中增加的自旋流产生层，可进一步提高多层薄膜的自旋流产生效率，更利于激发拓扑反铁磁层中THz频率的磁共振和自旋波。本发明只需用直流电就可完成太赫兹波的激发，摆脱了对于飞秒激光器的依赖，解决了基于铁磁/非磁结构自旋太赫兹源最大的实用化难题。
一种用于制作自旋赫兹器件多层薄膜材料

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