专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]减震器-CN201780047929.1有效
  • 藤田悦则;小仓由美;桑野龙次;近藤次郎;福田顺 - 株式会社三角工具加工
  • 2017-08-04 - 2021-04-23 - F16F9/50
  • 本发明的减震器通过简单的结构产生与相对位移量相应的适当的阻尼力。该减震器具有线状部件(32),其卷绕于在工作缸(2)内相对运动的活塞(3)的外周面;和粘性流体,其附着于线状部件(32)并产生粘性阻尼力。通过工作缸(2)与活塞(3)的相对运动而产生张力,振幅越小,则线状部件(32)的紧贴卷绕的部位分别欲以沿该线状部件(32)自身的圆周方向扭曲的方式变形,振幅越大,则紧贴卷绕的部位彼此以成为一体的状态变形的倾向变强。在振幅较小的情况下,由于摩擦阻力降低,活塞(3)的运动变得顺畅,通过粘性流体的粘性阻尼力可得到适当的阻尼力。在振幅较大的情况下,线状部件(32)的紧贴卷绕的部位一体地变形的倾向增大,从而摩擦阻尼力的作用相对变大。
  • 减震器
  • [发明专利]金属或半导体熔融液的精制方法和真空精制装置-CN201280069123.X无效
  • 岸田丰;堂野前等;近藤次郎;后藤洁;大桥渡 - 菲罗索拉硅太阳能公司
  • 2012-02-06 - 2014-12-24 - C01B33/037
  • 本发明的目标是在对金属或半导体熔体的精炼中,在不损害精炼效率的情况下缓解与由流动熔体中的不稳定性导致的坩埚不平相伴的磨损和撕裂,以及在长时期内允许安全操作从而不发生从坩埚的泄漏。提供一种金属或半导体熔体精炼方法,其中通过使用AC电阻加热加热器作为坩埚加热方法,将熔体保温并通过由电阻加热加热器产生的旋转磁场混合。金属或半导体熔体精炼方法和用于精炼方法的最佳真空精炼装置的特征在于:为了当通过旋转磁场使熔体旋转时在熔体与坩埚底面之间的边界中不出现流体不稳定性,设熔体的运动粘度系数为v(m2/秒)、熔体的流体表面的半径为R(m)、且熔体的旋转角速度为Ω(弧度/秒),进行使被定义为Re=R×(Ω/v)^(1/2)的雷诺数(Re)的值不超过600的操作。
  • 金属半导体熔融精制方法真空装置
  • [发明专利]水玻璃的制造方法-CN200980111564.X无效
  • 近藤次郎;小野信行;小野寺浩;齐藤勉 - 新日铁高新材料
  • 2009-04-03 - 2011-02-23 - C01B33/32
  • 本发明涉及一种水玻璃的制造方法,其特征在于,所述制造方法包含下述步骤:使在提高硅的纯度的工序中副生的、含有硅并以硅酸钠作为主成分的钠类副产物溶解于水中,在生成粗水玻璃的同时,将上述硅溶解而产生氢气,然后将上述粗水玻璃过滤,从而制造出水玻璃。本发明的目的在于,在将从提高硅的纯度的工序中副生的、含有硅并以硅酸钠作为主成分的钠类副产物作为水玻璃利用时,能解决因副产物中的硅引起的氢气产生的问题,并提供一种能实现安全且稳定的操作、且所制得的水玻璃能作为透明的水玻璃而有效利用的水玻璃的制造方法。
  • 水玻璃制造方法
  • [发明专利]高纯硅的制备方法-CN200680007451.1无效
  • 伊藤信明;近藤次郎;冈泽健介;冈岛正树 - 新日铁高新材料
  • 2006-02-28 - 2008-03-05 - C01B33/027
  • 本发明的一个目的是提供制备大量价格低廉的用于太阳能电池的高纯硅的方法。公开了一种通过将熔融硅中的杂质转移到矿渣中来制备高纯硅的方法,其包括将矿渣和氧化剂一起加到熔融硅上的步骤,其中所述氧化剂是包含下面材料中的至少一种作为主要组分的材料:碱金属碳酸盐、碱金属碳酸盐的水合物、碱金属氢氧化物、碱土金属碳酸盐、碱土金属碳酸盐的水合物或碱土金属氢氧化物。
  • 高纯制备方法
  • [发明专利]硅的精炼方法-CN200680004118.5无效
  • 德丸慎司;冈泽健介;近藤次郎;冈岛正树 - 新日铁高新材料株式会社
  • 2006-02-09 - 2008-01-30 - C01B33/037
  • 本发明提供一种利用炉渣对低纯度Si进行精炼,特别地去除B的方法,该方法可抑制反应容器的因炉渣而引起的损耗,并以低成本制造在太阳能电池原料等中使用的高纯度Si。通过将SiO2和碱金属氧化物或者碱金属碳酸盐作为炉渣原料添加到熔融的Si中,使其形成炉渣时,将与所使用的反应容器材质相同的物质或反应容器材质中所含有的成分之中的一种或多种物质添加到炉渣中,以去除熔融Si中的杂质。
  • 精炼方法
  • [发明专利]生产硅的方法-CN03801130.1无效
  • 近藤次郎;冈岛正树;德丸慎司;堂野前等 - 新日本制铁株式会社
  • 2003-07-22 - 2005-01-12 - C01B33/021
  • 本发明涉及一种生产Si的方法,其特征在于它包括将碱金属元素的氧化物、氢氧化物、碳酸盐或氟化物、或者碱土金属元素的氧化物、氢氧化物、碳酸盐或氟化物、或者两种或更多种前述化合物加入固体SiO中,其中这些化合物的总摩尔量为固体SiO摩尔量的1/20至1000倍,将混合物在Si的熔点至2000℃之间加热以进行形成Si的反应,以及将Si与反应副产物分离并回收。该方法可以用于以较低成本和良好的效率由各种形式的SiO生产Si,所述SiO是在Si生产方法等中形成且传统上没有工业价值。
  • 生产方法

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