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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]光模块、通信单板、通信装置及光模块预拔出的检测方法-CN202110637842.8在审
发明人：李博伟;过乾 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H04B10/40 文献下载
摘要：本公开提供一种光模块、通信单板、通信装置及光模块预拔出的检测方法，属于光通信技术领域，其可解决现有的在使用过程中，光模块往往需要进行拔插，插拔光模块会造成瞬间流量丢包的问题。本公开的光模块包括：壳体、解锁件、牵引件及第一传感器；壳体具有相对设置的第一侧部和第二侧部，第一侧部和第二侧部中的至少一者设置有滑动轨道和限位孔；解锁件包括：滑片及与滑片连接的卡扣；滑片沿着滑动轨道往复运动；卡扣设置于限位孔内；牵引件与滑片远离卡扣的一端连接；第一传感器位于牵引件上，用于在牵引件被拉动时，生成告警信号，并将告警信号发送至通信单板，使得通信单板调整其通信端口的业务。
模块通信单板装置拔出检测方法

[发明专利]处理器子卡、适配其的电源板及系统板-CN201510076580.7有效
发明人：过乾;吴枫;王剑波 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2015-02-12 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： G06F1/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种处理器子卡、适配其的电源板及系统板，上述处理器子卡包括：烧结插座、可编程逻辑器件CPLD以及非易失存储器ROM，所述CPLD的边界扫描信号引脚连接至所述烧结插座，所述ROM连接至所述CPLD，通过所述烧结插座控制所述CPLD的边界扫描信号完成所述CPLD和/或所述ROM的烧结。本发明公开的处理器子卡、适配其的电源板及系统板，能够解决现有技术中处理器小系统模块的CPLD的逻辑版本和ROM固件版本不便于更新，以及处理器小系统模块不便于布局、维护及修复等问题。
处理器电源板系统

[发明专利]光模块状态信息的获取方法和装置-CN201510321411.5有效
发明人：过乾 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2015-06-11 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： G06F11/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种光模块状态信息的获取方法和装置，其中，该方法包括：获取用于指示光模块的在位状态的信号；在在位状态的信号指示光模块在位时，获取光模块本地存储的状态信息。通过本发明，解决了相关技术中当光模块发生严重异常，导致状态信息如中断信号无法正确送出或光模块本身并没有插到单板上，而是由于外界的干扰引起的中断信号错误上报而导致光模块状态信息上报准确率低的问题。
模块状态信息获取方法装置

[发明专利]一种测试光接口的装置及方法-CN201711147679.7在审
发明人：李博伟;过乾 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： G01R31/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种测试光接口的方法及装置，其中，所述方法包括：通过连接器与被测单板的光接口连接；通过所述连接器获取所述被测单板提供的输入电压，并对所述输入电压进行检测，获得供电电源电压值；判断所述供电电源电压值是否符合预设标准。
连接器供电电源电压测试光接口被测单板输入电压预设标准光接口检测

[发明专利]背板系统-CN201110239168.4有效
发明人：王琛;严亮;夏庆;过乾;李伟 -专利权人：南京中兴新软件有限责任公司
申请日： 2011-08-19 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： H04L12/70 文献下载
摘要：本发明公开了一种背板系统，该背板系统包括：电背板本体、多个单板及有源并行光缆，其中，每个单板上设置有一个或多个用于适配有源并行光缆的高速电连接器；电背板本体上包括有一个或多个用于高速电连接器透出的高速信号连接开口区域；相邻两个单板上的高速电连接器之间通过有源并行光缆连接。通过该背板系统，可以增加传统背板的交换带宽。
背板系统

[发明专利]一种服务器机框及机柜-CN201610446647.6在审
发明人：过乾 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2016-06-20 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： H05K7/18 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种服务器机框及机柜，其中，该服务器机框包括多个导轨，导轨包括相互平行设置的第一凹槽和第二凹槽，且第一凹槽上靠近第二凹槽的侧壁，与第二凹槽上靠近第一凹槽的侧壁连接；其中，位于相邻两个导轨上、且相邻的第二凹槽和第一凹槽内分别设有第一单板和第二单板，且第一单板的印制电路板设置在第一单板面向第二单板的一侧上，第二单板的印制电路板设置在第二单板面向第一单板的一侧上。本发明的实施例能提升单板的散热效率。
一种服务器机柜

[发明专利]主机、主机管理从机的方法及系统-CN201410665689.X在审
发明人：梁冬冬;过乾;严亮;刘秀 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2014-11-19 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： G06F13/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种主机、主机管理从机的方法及系统，主机包括一主机本体，所述主机还包括一连接于所述主机及所述主机管理的从机之间的数字模块，其中：所述数字模块用于在主机对从机进行管理时，接收所述主机本体发送的时钟信号和从机选择信号，通过选择信号将相应的时钟信号发送至单个从机，以使接收到时钟信号的从机接收所述主机本体发送的数据信息。本发明能够实现主机对具有相同地址的从机进行单独管理。
主机管理方法系统

[发明专利]一种光模块散热装置及利用该散热装置的通信设备-CN201410277436.5在审
发明人：过乾;刘秀;李婷婷;梁冬冬;林伟儒 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2014-06-19 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种光模块散热装置，包括设于电路板上用于容纳光模块的导轨，所述导轨上覆盖有导热块，所述导热块上的部分区域中形成有散热齿，所述散热齿位于所述导轨的尾部，且所述散热齿朝向靠近电路板的方向延伸以使所述散热齿和所述导轨位于所述导热块的同侧。这与现有技术中散热齿和导轨位于导热块两侧的结构相比，降低了光模块组件的高度，有效地解决光模块组件配高限制的问题，从而有利于系统的小型化，而且通过导热块传热和散热齿的散热，还保证了散热装置的散热效率。
一种模块散热装置利用通信设备

[发明专利]一种包含深槽结构的芯片封闭环-CN200910057607.2无效
发明人：过乾 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-07-16 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种包含深槽结构的芯片封闭环，包含金属的堆叠层以及通孔的堆叠层，其中，芯片封闭环与划片槽的隔离区上设有沟槽区域。本发明在不增加光刻板以及保证传统芯片封闭环性能的条件下，利用现有制程，采用沟槽结构的芯片封闭环减小划片时产生的应力对内部电路的损伤。
一种包含结构芯片闭环

[发明专利]横向扩散MOS晶体管的版图设计的方法-CN200810044076.9无效
发明人：过乾;朱丽霞 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2008-12-09 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种横向扩散MOS晶体管的版图设计方法，其采用网格状的版图设计，将作为横向扩散MOS晶体管的源区和漏区的阱分别设计为正方形，每个作为源区的阱四周都有作为漏区的阱围绕，同时每个作为漏区的阱四周都有作为源区的阱围绕；后在作为漏区的阱的正方形中定义一边长较小的正方形区域为漏区的有源区，在作为源区的阱上和所述漏区定义薄氧化层区作为有源区，剩余作为漏区的阱的环状部分为场氧化区；多晶硅位于源区正方形和漏区正方形相接处，并覆盖整个沟道区和部分场氧化区；在整个区域的硅外延层下增加埋层离子注入区。本发明的版图设计方法可实现阵列面积的最优化。
横向扩散 mos 晶体管版图设计方法

[发明专利]肖特基势垒二极管器件及其制作方法-CN200710094349.6有效
发明人：过乾 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2007-11-30 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基势垒二极管器件，在N^-阱上包括的正极有源区中包括环形硅沟槽，所述硅沟槽内填充有多晶硅，所述多晶硅与所述N^-阱之间隔离有栅氧化层，所述沟槽两外侧上部均有P型杂质重掺杂区，正极有源区和负极有源区上方均覆盖有金属硅化物层。本发明还公开了一种肖特基势垒二极管器件的制作方法，其步骤包括，先在N^-阱上制作隔离区；然后刻蚀出环形硅沟槽；依次生长栅氧化层和淀积多晶硅并进行刻蚀，然后对P型杂质重掺杂区和负极有源区进行掺杂；淀积正极有源区和负极有源区上方的金属硅化物层。本发明工艺步骤简单，通过在肖特基接触区域外掺杂P型杂质精确控制与金属硅化物的接触面积，提高肖特基管的反向击穿电压低，减小漏电。
肖特基势垒二极管器件及其制作方法

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