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[发明专利]离子注入装置及离子注入方法-CN201810256674.6有效
发明人： 越智秀太;二宫史郎;高桥裕二;香川唯信 -专利权人：住友重机械离子科技株式会社
申请日： 2018-03-27 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明提供一种离子注入装置及离子注入方法，能够应对多种射束条件。离子注入装置具备构成为对向晶圆照射的离子束(B)供给电子的等离子体簇射装置(60)。等离子体簇射装置(60)包含：等离子体生成室(62)，具有引出向离子束(B)供给的电子的引出开口(64)；第1电极(71)，具有与引出开口(64)连通的开口(74)，并以等离子体生成室(62)的电位为基准而被施加第1电压；第2电极(72)，配置在隔着离子束(B)而与第1电极(71)相对置的位置，并以等离子体生成室(62)的电位为基准而被施加第2电压；以及控制部(86)，对第1电压及第2电压分别独立地进行控制并切换等离子体簇射装置(60)的动作模式。
离子注入装置方法

[发明专利]离子生成装置及离子注入装置-CN202010173234.1在审
发明人： 越智秀太 -专利权人：住友重机械离子科技株式会社
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种能够稳定地生成高纯度的多价离子的离子生成装置。离子生成装置(10)具备：电弧室(50)，区划等离子体生成空间(S)；阴极(56)，朝向等离子体生成空间(S)释放热电子；及反射极(58)，隔着等离子体生成空间(S)而与阴极(56)相对置。电弧室(50)具有：箱形主体部(52)，其前表面(52g)开口；及狭缝部件(54)，安装在主体部(52)的前表面(52g)，且设置有用于引出离子的前狭缝(60)。暴露于等离子体生成空间(S)的主体部(52)的内表面(52a)由高熔点金属材料构成，暴露于等离子体生成空间(S)的狭缝部件(54)的内表面(54a)由石墨构成。
离子生成装置注入