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[发明专利]半导体器件及制造其的方法-CN201810952305.0有效
发明人：郑洛教;梁雪云;赵龙来;洪熙范 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-08-21 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H10B10/00 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：基板，包括第一区域和第二区域；在第一区域上的存储晶体管；第一互连层，在存储晶体管上并包括第一互连线；以及第二互连层，在第一互连层上并包括第二互连线。第一区域上的第二互连线包括第一线和第二线，第一线沿第一方向延伸并沿第一方向与第二区域间隔开第一距离，第二线沿第一方向延伸、沿交叉第一方向的第二方向与第一线间隔开并具有比第一线的宽度小的宽度。第一线包括沿第三方向朝向基板延伸的突起。突起沿第一方向与第二区域间隔开大于第一距离的第二距离。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体存储器件-CN201910846913.8在审
发明人：洪熙范;赵龙来 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-09-09 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：公开了一种半导体存储器件，该半导体存储器件包括：在基板上的多个存储单元，每个存储单元包括存取晶体管、上拉晶体管和下拉晶体管；第一线层，在存储单元上并包括第一下着陆焊盘和第二下着陆焊盘；第二线层，在第一线层上并包括具有开口的接地线和在开口中的上着陆焊盘；以及包括字线的第三线层，在第二线层上。接地线通过第一下着陆焊盘电连接到下拉晶体管的端子。字线通过上着陆焊盘和第二下着陆焊盘电连接到存取晶体管的端子。
半导体存储器件