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[实用新型]半导体工艺设备-CN202320411720.1有效
发明人：高天;赵联波;赵雷超 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本申请公开一种半导体工艺设备，所公开的半导体工艺设备包括第一腔室、承载部、升降杆、第一吹扫进气管和吹扫格栅；承载部位于第一腔室内；第一腔室设有避让孔；吹扫格栅位于第一腔室内，且设于避让孔的内侧端口；吹扫格栅设有穿孔和与穿孔连通的过流孔；过流孔的贯通方向与避让孔的贯通方向相交；升降杆的第一端部依次穿过相互连通的避让孔和穿孔与承载部相连；第一吹扫进气管通过避让孔、穿孔和过流孔与第一腔室连通。上述方案能解决相关技术的半导体工艺设备存在颗粒容易落入避让孔中导致升降杆无法正常升降的问题。
半导体工艺设备

[发明专利]半导体设备的工艺腔室、半导体设备及半导体工艺方法-CN202210778421.1有效
发明人：赵雷超;高天;沈宇鑫;赵联波;郑波 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体设备的工艺腔室、半导体设备及半导体工艺方法，工艺腔室包括第一腔体和承载件，第一腔体的底壁设置有开口，承载件可相对于第一腔体的底壁升降设置，以配合第一腔体形成半导体工艺的工艺环境，承载件包括承载部和密封部，承载部的上表面用于承载晶圆，且承载部的外周面与第一腔体的底壁的内周面之间具有间距，密封部环绕承载部呈环状设置，且密封部的上表面低于承载部的上表面，密封部的上表面与第一腔体的底壁的下表面接触密封。本发明提供的半导体设备的工艺腔室、半导体设备及半导体工艺方法，能够降低晶圆受到颗粒污染的程度及可能性，改善半导体元器件的性能。
半导体设备工艺半导体方法

[发明专利]承载装置及半导体设备-CN202010254737.1有效
发明人： 赵联波;王宽冒;张同文;刘学滨 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-04-02 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明提供一种承载装置及半导体设备，其中，承载装置包括基座、托盘、卡环和绝缘连接部件，其中，托盘位于基座上；卡环环绕设置在托盘的周围，且卡环的内周壁与托盘的外周壁在水平方向上具有第一预设距离，第一预设距离满足能够使卡环与托盘在径向上相互绝缘；绝缘连接部件设置在托盘与卡环之间，用于使卡环与托盘相互绝缘。本发明提供的承载装置及半导体设备能够避免打火现象的发生，并且能够避免压环与待加工工件的工艺面接触，从而提高待加工工件的工艺结果。
承载装置半导体设备

[发明专利]半导体工艺腔室和半导体工艺方法-CN202310181532.9在审
发明人：王军帅;王冲;魏景峰;赵联波 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体工艺腔室，包括腔体和设置在腔体中的基座，基座用于承载晶圆，半导体工艺腔室还包括控制装置和基座驱动组件；基座驱动组件与基座固定连接，基座驱动组件用于驱动基座转动以及上升或下降；控制装置用于控制半导体工艺腔室对位于基座上的晶圆进行多步半导体工艺，并在每相邻两步半导体工艺之间控制基座驱动组件驱动基座带动晶圆转动预设角度。在本申请中，旋转驱动模块能够在每相邻两步半导体工艺之间驱动芯轴带动基座转动预设角度，从而每沉积一定厚度薄膜后将晶圆旋转预设角度并再次进行薄膜沉积，进而保证晶圆表面沉积薄膜的均匀性。本申请还提供一种半导体工艺方法。
半导体工艺方法

[发明专利]一种房建基础排水施工装置及其施工方法-CN202211265665.6在审
发明人：朱庆琳;李东明;张洪伟;宫海彬;刘翰龙;贾道同;张文领;郭再民;张宜华;赵洋;赵联波;于浩 -专利权人：中建二局第二建筑工程有限公司
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： E02D19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种房建基础排水施工装置及其施工方法。本发明中，在内部的管道、电缆线连接处安装温湿度采集模块，显示电路模块用于数据的显示，之后结束整个房建基础排水施工，当施工过程中，一旦发现管道连接处漏水等情况，即可及时通过显示电路模块进行报警，从而提高了该方法在安装时的安全性，同时配合进行质量管控，首先要提高施工人员的质量意识；强化施工人员的质量责任意识；其次，应按照给排水工程施工的具体情况和实际需求，建立并健全相应的质量管理机制，要求所有施工人员都能够严格遵守相关规章制度，提高对施工人员行为的约束力，保证给排水工程施工的顺利进行，提高了整个方法的质量稳定性。
一种基础排水施工装置及其方法

[发明专利]原子层沉积设备及清洗方法-CN202011321837.8有效
发明人：赵雷超;张文强;史小平;郑波;赵联波;纪红;李贺;马原 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种原子层沉积设备及清洗方法，该原子层沉积设备包括反应腔室和清洗装置，该清洗装置包括等离子体发生器、第一进气管路以及第二进气管路，等离子体发生器用于将毒性满足安全性要求的含氟气体离化形成等离子体，第一进气管路连接等离子体发生器与反应腔室，用于将等离子体传输至反应腔室；第二进气管路的进气端用于与臭氧气源连接，第二进气管路的出气端与反应腔室连接，等离子体及臭氧气体用于与氮化钛薄膜反应形成气态生成物。本发明实施例提供的原子层沉积设备及清洗方法，可以去除附着在反应腔室中的碳化钛薄膜，提高对氮化钛薄膜的刻蚀速率，降低工作环境的危险系数，减小安全性事故发生的风险。
原子沉积设备清洗方法

[实用新型]一种氯压机用强制排风装置-CN202220599107.2有效
发明人：张忠瑞;贾西军;阴法胜;杨鸿斌;孙良友;孙文强;马冲;郑欣;赵联波 -专利权人：安徽华塑股份有限公司
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： F28F9/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氯压机用强制排风装置，涉及氯压机技术领域，针对现有的氯压机中冷器循环水存在气堵的问题，现提出如下方案，其包括中冷器，所述中冷器外部安装有信道管和若干鳍片，一侧所述信道管开设有通槽、且固定连接有安装板，所述安装板开设有阶梯槽，所述阶梯槽与信道管通过通槽连通，所述信道管上方设有排气阀，所述排气阀通过阶梯槽与安装板滑动配合。本实用新型在中冷器上安装有排气阀，避免冷器循环水产生气堵的现象，从而干扰系统的正常运行，提升了整个系统运行的稳定性，且排气阀装卸过程快速便捷。
一种氯压机用强制装置

[实用新型]一种煤电生产用蒸汽回收装置-CN202220587611.0有效
发明人：赵安亮;贾西军;阴法胜;刘文和;孙文强;孙良友;杨鸿斌;赵联波 -专利权人：安徽华塑股份有限公司
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： B01D5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种煤电生产用蒸汽回收装置，涉及煤电生产技术领域，针对现有的蒸汽的不能回收的问题，现提出如下方案，其包括回收箱，所述回收箱的上侧固定连接有进气管，所述进气管的出口端固定连通有位于回收箱内部的冷却螺旋管，所述回收箱的内侧壁固定连接有多个与冷却螺旋管输出端配合的导向板，所述回收箱的上侧固定连接有圆弧套，所述圆弧套的上端固定连接有固定套，所述固定套的内侧上顶面固定连接有弹簧，所述弹簧的下端固定连接有与固定套内侧滑动套接的滑块，本实用新型结构简单，可以使得蒸汽以及热量可以充分回收，使得蒸汽再次回收利用，降低散热散失，操作简单，使用方便。
一种生产蒸汽回收装置

[实用新型]一种装配式建筑用钢丝网架混凝土墙体-CN202220883231.1有效
发明人：张景煜;贾道同;刘翰龙;赵联波;于浩;叶新月;吴良音 -专利权人：中建二局第二建筑工程有限公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： E04B2/00 文献下载
摘要：本实用新型提出一种装配式建筑用钢丝网架混凝土墙体，包括：墙板；钢丝网架，其设置于墙板内；拼接槽，其开设于墙板的侧端；拼接块，其设置于墙板的测端；连接结构，其包括可活动穿设于上墙板和拼接块上的钢筋；以及限位机构，其设于墙板上，托持钢筋的底端。钢丝网架的设置可以增加墙板的强度，通过拼接槽的设置便于连接拼接块，使得两个墙板牢固拼接在一起。本实用新型墙板的上注浆孔的内放置钢筋，钢筋的两端分别插接于上注浆孔和下注浆孔，通过管住混凝土将两个墙板固定在一起，可以解决现有技术中通过螺栓拼接的混凝土建筑墙体连接强度不高，装配式建筑混凝土墙体使用寿命低的问题。
一种装配式建筑钢丝网架混凝土墙体

[发明专利]半导体沉积设备-CN202210236546.1在审
发明人：沈宇鑫;赵雷超;郑波;赵联波;白明生 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体沉积设备，包括反应腔室、第一管路、第二管路、平衡气体管路和分流装置；第一管路、第二管路和平衡气体管路均与反应腔室相连通，第一管路设置有第一阀门组件，第二管路设置有第二阀门组件，平衡气体管路设置有第三阀门组件，第一管路用于通入第一反应源和载气，第二管路用于通入第二反应源，平衡气体管路用于通入平衡气体；分流装置包括分流管路和第一抽气泵，分流管路的一端与第二管路相连通，分流管路的另一端与第一抽气泵相连通，分流管路用于在反应腔室通入第二反应源时，分流第二反应源。上述方案能够解决半导体沉积设备沉积薄膜的均匀性较差的问题。
半导体沉积设备

[发明专利]一种工业化含水氯化氢气体脱水制备装置及制备方法-CN202111523587.0在审
发明人：张忠瑞;贾西军;孙文强;胡旭;胡正梅;赵联波 -专利权人：安徽华塑股份有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： B01D53/79 文献下载
摘要：本发明公开了一种工业化含水氯化氢气体脱水制备装置及制备方法，属于氯化氢气体脱水技术领域，现有的技术在对含水氯化氢气体进行脱水制备时，直接将脱水用的化学溶剂与含水氯化氢接触，由于制备的化学溶剂长时间放置后产生沉淀，产生沉淀后的化学溶剂影响含水氯化氢气体的脱水效果，包括脱水塔，脱水塔的外壁分别固定安装有进气管和出气管，脱水塔的一面固定安装有进液管，脱水塔远离进液管的一面固定安装有排污管；通过驱动搅拌杆转动，搅拌杆通过转动辊使搅拌叶片转动，搅拌叶片对搅拌桶内的化学溶剂进行搅拌，从而方便的实现了脱水用的化学溶剂的搅拌，进而避免了因化学溶剂发生沉淀而影响后续对含水氯化氢气体的脱水效果。
一种工业化含水氯化氢气体脱水制备装置方法

[发明专利]半导体工艺设备及其加热装置-CN202111503640.0在审
发明人：王军帅;魏景峰;赵联波 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体工艺设备及其加热装置，所公开的半导体工艺设备包括气源腔室和管路组件，管路组件与气源腔室连通，且位于气源腔室之外；所公开的加热装置包括壳体和加热组件，壳体用于与气源腔室围成封闭的加热腔室，管路组件设于加热腔室，加热组件设于加热腔室，且用于对加热腔室内的管路组件加热。上述方案可以解决管路组件由加热带包覆加热时，在加热带交接的地方容易出现裸露的间隙而造成管路组件内的气体冷凝而堵塞管路组件的问题。
半导体工艺设备及其加热装置

[实用新型]半导体设备反应腔室的匀流装置、反应腔室和半导体设备-CN202120933366.X有效
发明人：赵雷超;赵联波;沈宇鑫;马原 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体设备反应腔室的匀流装置、反应腔室和半导体设备，其中匀流装置包括：匀流板；匀流板的内部沿匀流板的厚度方向间隔设有上层气流通道和下层气流通道；上层气流通道和下层气流通道均从匀流板的中央延伸至匀流板的侧壁边缘；匀流板的中央区域相邻设有第一进气口和第二进气口；第一进气口与上层气流通道连通，用于通入第一反应源气体；第二进气口与下层气流通道连通，用于通入第二反应源气体。本实用新型的匀流板分为上层气流通道和下层气流通道，有效降低公共气流流通面积，隔离两种气源，避免了两种反应气源相遇的风险，延长了PM周期，减少了吹扫时间，提高产能。
半导体设备反应装置

[发明专利]工艺腔室及半导体设备-CN201911017045.9有效
发明人： 赵联波;王宽冒;郑金果;郭浩;王涛 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明提供一种工艺腔室及半导体设备，该工艺腔室包括腔室本体和设于所述腔室本体内基座及进气管路，所述进气管路包括主进气通道和多条分流通道，多条所述分流通道均设于所述基座内，并分别与所述主进气通道连通，且各所述分流通道的出气口均位于所述基座的外周面上。应用本发明，可以有效减弱了冷泵偏置抽气对沉积薄膜均匀性的影响，使工艺区的气体运动更均匀，改善了沉积薄膜的均匀性，提升了设备的工艺能力和产品品质。
工艺半导体设备

[发明专利]薄膜制备方法-CN202011284775.8在审
发明人：张同文;王宽冒;赵联波;傅新宇 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种薄膜制备方法，包括：自衬底表面将活性粒子掺杂入衬底材料；在掺杂后的衬底表面上沉积形成薄膜。在沉积薄膜的过程中，活性粒子用于作为催化剂促使薄膜材料中的离子与衬底材料中的原子反应形成化学键。本发明实施例提供的薄膜制备方法，可以使薄膜与衬底之间通过化学键和分子间作用力连接，进而提高薄膜与衬底之间的粘附强度。
薄膜制备方法

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