专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种MoS2-CN202110589903.8有效
  • 黄胜利;万景;刘家赫;赵经天;王紫云;郭生士;李书平;康俊勇 - 厦门大学;厦门大学九江研究院;厦门大学深圳研究院
  • 2021-05-28 - 2022-05-03 - C03C17/34
  • 一种MoS2/ZnO/Ag2S同轴纳米管阵列的制备方法,先制备MoS2纳米管阵列,然后在MoS2纳米管表面包覆ZnO薄膜,最后在MoS2/ZnO纳米管阵列表面吸附Ag2S量子点。具体,先在基片表面用ALD法沉积ZnO籽晶层,再用水热法生长ZnO纳米棒阵列,随后将基片固定放入反应釜中在纳米棒表面包覆MoS2薄膜,用硫酸刻蚀得到MoS2纳米管阵列,再用ALD法在MoS2纳米管表面包覆ZnO薄膜,最后用连续离子层吸附反应法制备Ag2S量子点,得MoS2/ZnO/Ag2S同轴纳米管阵列。所产生的纳米管存在两层异质界面,可通过调控各层厚度去调节整体的能带结构和光电特性,适用于光伏电池和光催化剂等领域。
  • 一种mosbasesub

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