专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种工业固体废弃物粉碎装置-CN202321291876.7有效
  • 刘伟峰;赵树峰;靳朋涛;孟金强 - 漯河瑞银畜牧机械有限公司
  • 2023-05-25 - 2023-10-20 - B02C4/08
  • 本实用新型公开了一种工业固体废弃物粉碎装置,包括粉碎筒和回收筒,所述粉碎筒的底端固定连接有锥形筒,所述回收筒的顶端与锥形筒的外壁固定连接,所述锥形筒位于回收筒的内部;所述粉碎筒的内壁安装有多个均匀排列的喷水座;喷水座喷水,达到保护工作人员身体健康的作用;电磁铁通电产生磁性,将工业废物中的金属材料吸附在电磁铁的表面,电磁铁断电,电磁铁失去磁力,被吸附的金属材料从回收筒的底部落下,以便于工作人员进行收集;电机带动粉碎辊转动,以增大工业废物的碰撞面积,从而使得工业废物的粉碎更加彻底,如此便达到了使得工业废物粉碎彻底、且能减少粉碎时产生的灰尘还能回收其中金属材料的目的。
  • 一种工业固体废弃物粉碎装置
  • [发明专利]一种十字路口单层无障碍全互通立交系统-CN201710435437.1有效
  • 赵树峰 - 赵树峰
  • 2017-06-11 - 2023-03-31 - E01C1/04
  • 一种十字路口单层无障碍全互通立交系统,其特征在于:所述人行道在十字路口地平面经无障碍人行通道交汇贯通行人无障碍过马路,所述M形仰跨桥设在十字中心路面横向道路上层仰跨弧形跨路桥供直行车辆无障碍通行,所述弧形跨路桥设在十字中心路面纵向道路上层供直行车辆无障碍通行,所述菱花形高架转弯匝道组合体设在十字中心路面上层供转弯车辆无交织全方位无障碍通行。不设地下通道,不设红绿灯,不设斑马线,减少立交层次节省占地面积和投资,突破了行人在十字路口同一地平面上无障碍过马路以及左转弯车辆在十字路口上方单层立交无交织全方位无障碍畅通的交通瓶颈。十字路口下设地下中心广场。可广泛适用于十字路口改造以及交通枢纽建设。
  • 一种十字路口单层障碍互通立交系统
  • [实用新型]一种冷喂料挤出机自动上料报警装置-CN202123371200.2有效
  • 赵树峰;李攀辉;龚亚楠;岳斌斌 - 河南亿博科技股份有限公司
  • 2021-12-30 - 2023-01-24 - B29C48/285
  • 本实用新型属于冷喂料橡胶挤出机喂料技术领域,具体涉及的是一种冷喂料挤出机自动上料报警装置。相对于现有技术,该冷喂料挤出机自动上料报警装置,包括喂料导向孔,喂料导向孔侧上方设置喂料辊道一端,喂料辊道的另一端连接冷喂料挤出机喂料口上方,喂料辊道的托辊侧方设置光电感应器。所述的光电感应器设置喂料辊道靠近喂料导向孔一端的托辊侧方,喂料辊道靠近喂料导向孔一端的托辊对应光电感应器的周边设置光电感应孔,利用托辊传送喂料代替人工手动喂料,将冷喂料挤出机对胶料的拉扯力做为胶料在托辊上移动的动力,解决了现有的冷喂料橡胶挤出机的喂料口需要人工手动喂料的问题。
  • 一种喂料挤出机自动报警装置
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201911034943.5有效
  • 赵树峰 - 苏州能讯高能半导体有限公司
  • 2019-10-29 - 2022-09-27 - H01L29/778
  • 本申请提供一种半导体器件及其制造方法,该半导体器件包括衬底;设置于衬底上的第一半导体层;设置于第一半导体层远离衬底一侧的第二半导体层,第一半导体层和第二半导体层之间形成有二维电子气;设置于第二半导体层远离第一半导体层一侧的源极电极和漏极电极;与源极电极或漏极电极接触并从第二半导体层延伸到第一半导体层的导热材料;将导热材料与二维电子气隔离的隔离介质层。通过设置所述导热材料,提高了源极电极或漏极电极有源区的热量传导,并通过设置将所述导热材料与二维电子气隔离的隔离介质层来避免寄生效应。如此,可以在不影响器件电气特性的情况下提高器件的散热能力。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]半导体器件及制作方法-CN201810768931.4有效
  • 赵树峰 - 苏州能讯高能半导体有限公司
  • 2018-07-13 - 2022-09-27 - H01L29/778
  • 本申请实施例提供的半导体器件及制作方法。所述半导体器件包括:衬底;设置于所述衬底上的半导体层;设置在所述半导体层远离所述衬底一侧的第一电极及第二电极;设置在所述半导体层远离所述衬底一侧,且位于所述第一电极及第二电极之间的表面钝化介质层;及设置在所述半导体层远离所述衬底一侧,位于所述第一电极与所述表面钝化介质层之间用于隔离所述第一电极与所述表面钝化介质层的隔离层。通过隔离层将表面钝化介质层与第一电极隔离开,可以很好地起到抑制形成NiSi化合物,提高第一电极的肖特基结质量,降低漏电,提高器件的可靠性。
  • 半导体器件制作方法

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